技术总结
本发明提供了一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，晶圆测量机构包括测量仪固定架；与测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，该方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及参考校零值，获取晶圆的磨削厚度值。本发明在晶圆减薄加工的过程中可有效控制晶圆的厚度，提高了晶圆磨削加工的精度。
技术研发人员：刘国敬;张文斌;衣忠波;王仲康;孙莉莉;黄佳鑫
受保护的技术使用者：北京中电科电子装备有限公司
文档号码：201611168287
技术研发日：2016.12.16
技术公布日：2017.05.31