一种高压LED芯片制备方法与流程

技术特征：

1.一种高压LED芯片制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)选用蓝宝石衬底生长GaN外延，在完成Mesa刻蚀、氮化镓深刻蚀(ISO)之后沉积P-SiO₂沉积的膜，P-SiO₂沉积的膜厚为100nm-1um；

(2)在上一步制备的基片上进行版图设计，版图设计时在6道光刻方法的P-SiO₂的基础上，在所有刻蚀坡面的地方加以保留；

(3)做完P-SiO₂光刻后，通过湿法腐蚀的方法去除非保留的P-SiO₂；

(4)做完P-SiO₂后，继续后续的ITO、PN-Pad工艺；

(5)在完成PN-Pad工艺后，产品使用250℃、氮气保护气氛下退火10min，产品经光电参数抽测判定。

2.根据权利要求1所述的一种高压LED芯片制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中P-SiO₂沉积过程中单独使用笑气的等离子体对P-SiO₂膜层进行处理。

3.根据权利要求1所述的一种高压LED芯片制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中生长ITO膜层，厚度为0.05μm-0.3μm。