技术总结
本发明提供一种高压LED芯片制备方法，包括以下步骤：(1)选用蓝宝石衬底生长GaN外延，在完成Mesa刻蚀、氮化镓深刻蚀(ISO)之后沉积P‑SiO2沉积的膜，P‑SiO2沉积的膜厚为100nm‑1um；(2)在上一步制备的基片上进行版图设计，版图设计时在6道光刻方法的P‑SiO2的基础上，在所有刻蚀坡面的地方加以保留；(3)做完P‑SiO2光刻后，通过湿法腐蚀的方法去除非保留的P‑SiO2；(4)做完P‑SiO2后，继续后续的ITO、PN‑Pad工艺；(5)在完成PN‑Pad工艺后，产品使用250℃、氮气保护气氛下退火10min，产品经光电参数抽测判定。本发明由于P‑SiO2对刻蚀坡面的保护，由于不再做钝化SiO2工艺，避免了对钝化SiO2干刻时卤族元素对PN‑Pad金属焊盘产生腐蚀，保证高压LED芯片产品使用的可靠性。
技术研发人员：宣圣柱;吕振兴;刘亚柱;唐军;潘尧波
受保护的技术使用者：合肥彩虹蓝光科技有限公司
文档号码：201611187170
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.05.24