一种LED芯片Sputter‑ITO腐蚀工艺的制作方法

本发明涉及LED芯片制作技术领域，具体为一种LED芯片Sputter-ITO腐蚀工艺。

背景技术：

基于氮化镓基发光二极管(LED)其节能、环保的绿色发展优势，LED芯片在显示、照明领域得到广泛的应用。LED芯片制程中一个关键步骤ITO薄膜的沉积，在一定程度上决定了芯片电性参数的优劣，因此ITO薄膜层的沉积方式以及成膜质量至关重要。传统ITO薄膜由蒸镀完成，随着蒸镀技术与设备性能的提升，Sputter溅镀工艺被逐步引渡到LED芯片制程中。Sputter溅镀是在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间分子被离子化而产生带点电荷，其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上的靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜。

Sputter-ITO成膜后需先进行RTA(高温退火)后再进行黄光工艺光刻出图形，然后进行化学湿法过腐蚀蚀刻。由于成膜质量存在差异性使得ITO化学湿法过腐蚀的蚀刻时间不能统一固定(腐蚀时间较长)，这就使部分产品在实际制程中会出现腐蚀过的现象，对产品的质量稳定性造成一定的影响。本发明专利提供了一种新的蚀刻工艺，重点解决Sputter-ITO在化学湿法蚀刻时存在的腐蚀过等问题。

技术实现要素：

本发明所解决的技术问题在于提供一种LED芯片Sputter-ITO腐蚀工艺，以解决上述背景技术中的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种LED芯片Sputter-ITO腐蚀工艺，包括以下步骤：

(1)选取外延片，清洗后进行P-SiO₂层的沉积，再进行黄光P-SiO₂制程，光刻出所需图形；

(2)通过浸泡BOE溶液化学湿法腐蚀SiO₂，去除光刻胶，再进行酸洗、甩干；

(3)进行Sputter-ITO溅镀，然后进行黄光光刻所需图形；

(4)化学湿法蚀刻后，清洗完成后甩干，进行ICP刻蚀，去除光刻胶后清洗、甩干；

(5)再进行RTA高温退火熔合；

(6)然后进行钝化SiO₂层的沉积、PN黄光光刻，金属蒸镀后去除光刻胶，再金属熔合，最后完成点测。

所述步骤(5)中高温退火温度为400-600℃

所述步骤(4)中化学湿法蚀刻方法为厚度的ITO，化学湿法蚀刻120S。

与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明将取消Sputter-ITO过腐蚀，在ITO膜溅镀完成后先经过黄光光刻，再固定ITO的腐蚀时间，这样就避免了由于ITO膜过腐蚀所造成的腐蚀过现象。

附图说明

图1为本发明的固定蚀刻时间后的腐蚀图形示意图。

图2为本发明的ITO与Mesa的边间距示意图。

具体实施方式

为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种LED芯片Sputter-ITO腐蚀工艺，包括以下步骤：

(1)选取外延片，清洗后进行P-SiO₂层的沉积，再进行黄光P-SiO₂制程，光刻出所需图形；

(2)通过浸泡BOE溶液化学湿法腐蚀SiO₂，去除光刻胶，再进行酸洗、甩干；

(3)进行Sputter-ITO溅镀，然后进行黄光光刻所需图形；

(4)化学湿法蚀刻后，清洗完成后甩干，进行ICP刻蚀，去除光刻胶后清洗、甩干；化学湿法蚀刻方法为厚度的ITO，化学湿法蚀刻120S。

(5)再进行RTA高温退火熔合；高温退火温度为400-600℃；

(6)然后进行钝化SiO₂层的沉积、PN黄光光刻，金属蒸镀后去除光刻胶，再金属熔合，最后完成点测。

本发明将取消Sputter-ITO过腐蚀，在ITO膜溅镀完成后先经过黄光光刻，再固定ITO的腐蚀时间，具体时间视ITO膜厚度而定，ITO膜与Mesa线的间距在0.5～2μm范围内均可，然后再进行RTA高温退火。这样就避免了由于ITO膜过腐蚀所造成的腐蚀过现象。

RTA是将工件加热到较高温度，根据材料和工件尺寸采用不同的保温时间，然后进行快速冷却，目的是使电流扩散层内部组织达到或接近平衡状态，获得良好的工艺性能和使用性能。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。