技术总结
本发明是针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法，包括高阻硅作为基板或转接板；基板或转接板上通过多层介质‑金属交替完成布线用于射频信号传输与控制；异质类化合物芯片通过chip to wafer键合实现异质集成，所有芯片都通过底部焊盘与硅基板或转接板上金属凸点连接，实现不同层间的信号传输，通过带有硅腔的圆片与硅基板或转接板圆片键合实现三层结构堆叠与芯片保护；运用硅穿孔技术实现整个器件的信号引出。优点：三层堆叠，将异质芯片集成到一起，大幅提高器件原有的功能，利用硅穿孔技术实现信号从键合界面引出，形成密闭紧凑的芯片结构，真正实现射频器件的三维异质集成，工艺简化、封装低成本、成品率高等。
技术研发人员：石归雄;黄旼;吴璟;朱健;郁元卫
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611189123
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.05.31