1.一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga1-zInzP应变缓冲层、Ga1-xInxAs子电池和背面电极，其中AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子，AlAs/AlGaAs DBR反射层用于反射中长波光子。
2.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述欧姆接触层厚度为100～1000nm，该欧姆接触层为n型高掺Ga(In)As，掺杂浓度大于2×18/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述GaInP子电池的总厚度为500～1500nm，GaInP材料带隙为1.85～1.9eV。
4.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述GaAs子电池的总厚度为1000～3000nm，GaAs材料带隙为1.42eV。
5.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述Ga1-xInxAs子电池的总厚度为1500～5500nm，其材料带隙为0.7～0.8eV；所述GaInNAs子电池的总厚度为1000～3000nm，其Ga1-3yIn3yNyAs1-y材料带隙为1.0～1.1eV；所述GaAs缓冲层的厚度为500～1500nm，其n型掺杂浓度为1×18/cm3～1×19/cm3。
6.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述第一隧道结由p++-GaAs和n++-GaAs构成，其厚度均为5～80nm；所述第二隧道结由p++-AlGaAs和n++-GaAs构成，其厚度均为8～100nm；所述第三隧道结由p++-GaInP和n++-GaInP构成，其厚度均为10～150nm。
7.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAs DBR反射层的反射波长为780～880nm，其组合对数为10～30对；所述AlGaAs/GaInAs DBR反射层的反射波长为900～1200nm，其组合对数为10～30对。
8.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述Ga1-zInzP应变缓冲层组分渐变的方式为连续渐变或步进渐变，最终层的晶格常数与Ga1-xInxAs子电池相同。
9.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述减反射膜为氧化物、氮化物或氟化物薄膜。
10.根据权利要求1所述的一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，其特征在于：所述正面电极和背面电极均为金属合金。