技术总结
本实用新型公开了一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga1‑zInzP应变缓冲层、Ga1‑xInxAs子电池和背面电极。本实用新型可以提高光子吸收效率，同时发挥四结电池的优势，提高GaAs多结电池的整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率。
技术研发人员：刘雪珍;杨翠柏;王雷;吴波;黄珊珊;陈丙振;张小宾;张杨
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
文档号码：201620437361
技术研发日：2016.05.12
技术公布日：2016.11.30