一种多工位自动烧录机的电磁铁驱动装置的制作方法

本实用新型涉及一种电磁铁驱动装置，主要应用于用于多工位自动烧录机。

背景技术：

随着电子技术的发展以及消费者对电子设备需求量的不断增加，要求IC 烧录操作具有较高的生产效率，以满足大规模生产的要求。IC烧录分为芯片上下料、烧录等工序，传统的烧录过程受制于烧录机，上料、下料等工序都要靠机械手来操作。随着设备自动化程度的提高，现在已有部分厂家开发出了自动烧录机。

现有技术的自动烧录机普遍是通过气缸驱动组件来完成芯片上下料、烧录等一系列动作的，气缸驱动组件含气动液压元件，在烧录的过程中噪音比较大，而对于多工位的自动烧录机而言这种现象会更加明显。同时，由于多工位烧录机械动作相对复杂，需要根据不同快慢的机械动作安装数量较多的气缸驱动组件才能完成整套动作，存在的问题是结构复杂、灵活度低、成本高，设备安装局限于生产环境。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，开发一种专门针对多工位自动烧录机的电磁铁驱动装置，该装置结构简单、灵活度高、成本低。

为实现以上技术目的，本实用新型采用的技术方案是：一种多工位自动烧录机的电磁铁驱动装置，其特征在于，包括单片机、光耦合器、驱动芯片和电磁铁，所述光耦合器有四端，一端通过光耦限流电阻与5V电源连接，二端与单片机连接，三端与24V电源连接，四端通过分压电路与驱动芯片的栅极端连接，驱动芯片的源极端接地，所述驱动芯片的漏极端与电磁铁连接。

进一步地，所述电磁铁驱动装置包括中小功率电磁铁驱动装置和大功率电磁铁驱动装置，对于中小功率电磁铁驱动装置，所述光耦合器包括第一光耦合器和第二光耦合器，所述驱动芯片为双N沟道MOSFET功率器件，所述电磁铁包括第一电磁铁和第二电磁铁，所述光耦限流电阻第一光耦限流电阻和第二光耦限流电阻，所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路；对于大功率电磁铁驱动装置，所述驱动芯片为N沟道MOSFET功率器件。

对于中小功率电磁铁驱动装置，还包括续流二极管（6）和开关指示电路（7），所述开关指示电路7通过续流二极管6与驱动芯片2的漏极端连接。

进一步地，所述续流二极管6包括第一续流二极管601和第二续流二极管602，所述开关指示电路包括第一开关指示电路和第二开关指示电路，所述第一开关指示电路通过第一续流二极管与驱动芯片的漏极端连接，所述第二开关指示电路通过第二续流二极管与驱动芯片的漏极端连接。

进一步地，所述第一开关指示电路由第一开关指示电阻和第一开关指示二极管串联而成；所述第二开关指示电路由第二开关指示电阻和第二开关指示二极管串联而成。

进一步地，所述第一分压电路由第一分压电阻和第二分压电阻串联组成，所述第二分压电路由第三分压电阻和第四分压电阻串联组成。

进一步地，对于中小功率电磁铁驱动装置，所述驱动芯片的漏源极电压不超过30V，源极电流不超过5A；对于大功率电磁铁驱动装置，所述驱动芯片的漏源极电压不超过100V，源极电流不超过20A。

从以上描述可以看出，本实用新型的技术效果在于：

（1）本实用新型采用电磁铁驱动装置完成烧录机机械动作的驱动，避免了由大量气缸驱动组件驱动造成的噪音；

（2）本实用新型根据多工位烧录机的机械动作状态（快、慢状态）设计了能控制不同功率电磁铁的两路驱动电路，且能实现一路驱动电路控制两个电磁铁的目的；

（3）在生产过程中，本装置能够根据实际的需要对驱动电路灵活布线，既达到简化装置结构的目的，又能节省资源、降低成本。

附图说明

图1是本实用新型的中小功率电磁铁驱动装置的电路图。

图2是本实用新型的中小功率电磁铁驱动装置的驱动芯片电路图。

图3是本实用新型的大功率电磁铁驱动装置的电路图。

附图标记说明：1-光耦合器、101-第一光耦合器、102-第二光耦合器、2-驱动芯片、3-电磁铁、301-第一电磁铁、302-第二电磁铁、4-光耦限流电阻、401-第一光耦限流电阻、402-第二光耦限流电阻、5-分压电路、501-第一分压电路、502-第二分压电路、5011-第一分压电阻、5012-第二分压电阻、5021-第三分压电阻、5022-第四分压电阻、5013-第五分压电阻、5014-第六分压电阻、6-续流二极管、601-第一续流二极管、602第二续流二极管、7-开关指示电路、701-第一开关指示电路、702-第二开关指示电路、7011-第一开关指示电阻、7012-第一开关指示二极管、7021-第二开关指示电阻、7022-第二开关指示二极管。

具体实施方式

下面结合具体附图对本实用新型作进一步说明。

根据附图1和附图2所示，一种多工位自动烧录机的中小功率电磁铁驱动装置，其特征在于，包括单片机、光耦合器1、驱动芯片2和电磁铁3，所述光耦合器1有四端，一端通过光耦限流电阻4与5V电源连接，二端与单片机连接，三端与24V电源连接，四端通过分压电路5与驱动芯片2的栅极端连接，驱动芯片2的源极端接地，所述驱动芯片2的漏极端分别与电磁铁3和续流二极管6连接，所述驱动芯片2的漏源极电压不超过30V（VDS≤30V），源极电流不超过5A（Id≤5A）；所述光耦合器1包括第一光耦合器101和第二光耦合器102，所述驱动芯片2为双N沟道MOSFET功率器件，如图2所示，所述电磁铁3包括第一电磁铁301和第二电磁铁302，所述光耦限流电阻4第一光耦限流电阻401和第二光耦限流电阻402，所述分压电路5包括第一分压电路501和第二分压电路502，所述续流二极管6包括第一续流二极管601和第二续流二极管602；所述第一分压电路501由第一分压电阻5011和第二分压电阻5012串联组成，所述第二分压电路502由第三分压电阻5021和第四分压电阻5022串联组成；

还包括开关指示电路7，所述开关指示电路7包括第一开关指示电路701和第二开关指示电路702，所述第一开关指示电路701通过第一续流二极管601与驱动芯片2的漏极端连接，所述第二开关指示电路702通过第二续流二极管602与驱动芯片2的漏极端连接；所述第一开关指示电路701由第一开关指示电阻7011和第一开关指示二极管7012串联而成；所述第二开关指示电路702由第二开关指示电阻7021和第二开关指示二极管7022串联而成。

根据附图3所示，一种多工位自动烧录机的大功驱动电磁率电磁铁驱动装置，其特征在于，包括单片机、光耦合器1、驱动芯片2和电磁铁3，所述光耦合器1有四端，一端通过光耦限流电阻4与5V电源连接，二端与单片机连接，三端与24V电源连接，四端通过分压电路5与驱动芯片2的栅极端连接，驱动芯片2的源极端接地，所述驱动芯片2的漏极端与电磁铁3连接，所述驱动芯片2的漏源极电压不超过100V(VDS≤100V)，源极电流不超过20A（Id≤20A）；所述分压电路5由第五分压电阻5013和第六分压电阻5014串联组成。

本实用新型的工作原理为，当单片机的控制信号CTRL为低电平时，5V电压通过光耦限流电阻4使光耦合器1导通，24V电压通过光耦合器1和分压电路5使驱动芯片2的栅极端输入高电平，源极端接地，此时驱动芯片2导通，在驱动芯片2的驱动下使电磁铁3运动，进而完成烧录机机械动作的驱动。

以上对本实用新型及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。