技术总结
本实用新型涉及集成电路分选领域，目的是提供一种晶圆均匀加热装置。一种晶圆均匀加热装置，包括：吸盘，加热器；所述的吸盘设有若干个同轴设置的功率密度区域；位于外侧的功率密度区域的功率密度大于位于内侧的功率密度区域的功率密度；加热器包括：上端与吸盘下端贴合且连接的安装盘，由发热线盘绕构成且位于安装盘下侧的发热盘，压住发热盘且与吸盘下端连接的压盘；发热盘的相邻两圈发热线的间距由中心到外周逐渐变小；发热盘的功率由中心到外周逐渐变大。该晶圆均匀加热装置加热时吸盘中心的温度与外侧的温度均匀，吸盘表面温差小于设定温度的±1℃，提高集成电路晶圆高温测试精度。
技术研发人员：胡东辉;郭剑飞;陈林;姚建强;杨富池;李旭明;邢耀淇;赵轶
受保护的技术使用者：杭州长川科技股份有限公司
文档号码：201621164118
技术研发日：2016.11.01
技术公布日：2017.05.24