图像传感器和图像传感器集成电路的制作方法

本申请要求由Aaron Belsher、Richard Mauritzson、Swarnal Borthakur和Ulrich Boettiger发明的、提交于2015年11月17日的名称为“Image Sensors with Improved Surface Planarity”(具有改进表面平整度的图像传感器)的美国临时申请No.62/256328的优先权，该申请以引用方式并入本文，并且据此要求该申请的共同主题的优先权。

技术领域

本实用新型整体涉及图像传感器，更具体地讲，涉及具有改进表面平整度的背照式图像传感器。

背景技术：

现代电子设备(诸如移动电话、相机和计算机)通常使用数字图像传感器。成像器(即，图像传感器)包括二维图像传感像素阵列。每个像素包括用于接收入射光子(入射光)并把光子转变为电荷的光传感器，诸如光电二极管。常规图像像素阵列包括前照式图像像素或背照式图像像素。图像像素是通过使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合器件(CCD)技术在半导体衬底上制造而成。

在常规背照式图像像素中，往往在像素区外围处的衬底表面上方形成接合垫，这增加了表面形貌。高表面形貌会负面地影响设备成品率，在滤色器阵列(CFA)和微透镜的后续处理过程中造成窗口分框(window framing)(即图像传感器边缘处非线性)、条纹缺陷和阴影缺陷。例如，在晶圆上滤色器阵列元件和微透镜的常规制造中，光阻旋涂操作有时可得到光阻覆盖过薄或过厚的晶圆区(通常被称为“条纹”)。表面特征(诸如接合垫、沟槽和凹槽阵列)的高水平深度偏差会导致这种条纹。表面形貌的偏差阻止光阻在晶圆表面上均匀铺展(例如，在晶圆表面上突出或在晶圆表面中形成凹陷的特征阻碍光阻的流动)。这类条纹导致设备质量不理想地降低，并因此降低了设备成品率。

一些常规背照式图像传感器具有接合垫，所述接合垫部分地凹入衬底中，其中每个接合垫的顶表面在衬底的顶表面上方延伸。此类接合垫通过衬底顶表面上的金属层连接至硅通孔，其中该硅通孔结构与接合垫相邻。由于这些图像传感器接合垫在衬底表面上方延伸，故它们会促成如上所述的不期望的表面形貌。其他常规图像传感器具有凹入到衬底中的接合垫，使得每个接合垫的顶表面都在衬底的顶表面下方。由于每个接合垫的顶表面不延伸到衬底的顶表面且由此在图像传感器的表面中形成下陷，故这些图像传感器接合垫也会促成如上所述的不期望的表面形貌。

有时在相邻裸片之间的切割线区域中形成用于光刻工艺的对准结构。在常规背照式图像传感器中，必须在切割线衬底中形成开口，以使得对准结构从背面可见。这种方法进一步促成高形貌。

因此，期望提供在形成接合垫和对准结构的区域中具有改进表面平整度的图像传感器。

技术实现要素：

本实用新型解决的一个技术问题是改进形成接合垫和对准结构的区域中的表面平整度。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器，包括：具有半导体层的衬底；所述半导体层中的光敏元件阵列，其中所述光敏元件阵列被所述衬底的外围区至少部分地包围；以及所述衬底的所述外围区中的接合垫，其中所述接合垫凹入到所述衬底中，并且其中所述接合垫的顶表面与所述衬底的顶表面实质上平齐。

在一个实施例中，所述接合垫的所述顶表面位于所述衬底的所述顶表面的0.5μm内。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：所述半导体层下方的介电层；以及所述接合垫下方的所述介电层中的输入/输出电路，其中所述接合垫电连接至所述输入/输出电路。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：插置在所述接合垫和所述半导体层之间的介电衬里。

在一个实施例中，所述介电衬里包括氧化物。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：所述输入/输出电路上方的所述半导体层中的介电窗口，其中所述接合垫凹入到所述介电窗口中。

在一个实施例中，所述介电窗口包括氧化物。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：所述衬底的所述外围区中的对准结构，所述对准结构包括：所述半导体层中的透明氧化物窗口；以及所述透明窗口下方的至少一个对准标记。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器，包括：具有半导体层和介电层的衬底，其中所述衬底包括像素区和对准区；所述衬底的所述像素区中所述半导体层中的光电二极管阵列；所述衬底的所述对准区中所述半导体层中的透明窗口；以及所述衬底的所述对准区中所述介电层中的至少一个对准标记，其中所述至少一个对准标记与所述透明窗口对齐。

在一个实施例中，所述透明窗口包括介电材料。

在一个实施例中，所述介电材料包括氧化物。

在一个实施例中，所述至少一个对准标记包括多晶硅。

在一个实施例中，所述至少一个对准标记包括金属。

根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器集成电路，包括：半导体层；所述半导体层中的光敏元件；所述半导体层下的介电层；所述半导体层中的接合垫，其中所述接合垫的上表面与所述半导体层的上表面实质上相平；以及所述介电层中的金属垫，所述金属垫电耦接到外部电路。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：所述金属垫上方的所述半导体层中的窗口。

在一个实施例中，所述窗口是氧化物窗口。

在一个实施例中，所述接合垫凹入到所述窗口中，并且其中所述窗口具有孔，所述接合垫通过所述孔电连接至所述金属垫。

在一个实施例中，所述接合垫和所述窗口的侧壁之间存在间隙，并且其中所述间隙由树脂填充。

在一个实施例中，所述半导体层具有孔，所述接合垫通过所述孔电连接至所述金属垫。

在一个实施例中，所述图像传感器还包括：所述接合垫和所述半导体层之间的氧化物衬里。

本实用新型实现的一个技术效果是提供一种具有改进的表面平整度以及改进的在像素上方形成的滤色器和微透镜的均匀性的图像传感器。

附图说明

图1为根据一个实施方案的示例性电子设备的示意图。

图2为根据一个实施方案的示例性像素阵列以及用于从该像素阵列读出图像信号的相关读出电路的示意图。

图3为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入窗口中的接合垫。

图4为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入半导体层中的接合垫。

图5为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入钝化层中的接合垫。

图6为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有在窗口下形成的对准结构。

图7为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入窗口中的接合垫和在另一窗口下形成的对准结构。

图8为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入半导体层中的接合垫和在窗口下形成的对准结构。

图9为根据一个实施方案的示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，该示例性图像传感器具有凹入钝化层中的接合垫和在窗口下形成的对准结构。

图10为根据一个实施方案的采用图1-图9所示实施方案的示例性处理器系统的框图。

具体实施方式

图1为示例性电子设备的示意图，该电子设备使用图像传感器捕获图像。图1的成像系统10可以是便携式成像系统，诸如相机、移动电话、摄像机或捕获数字图像数据的其他成像设备。相机模块12可用于将入射光转换成数字图像数据。相机模块12可包括镜头14和对应的图像传感器16。镜头14和图像传感器16可安装在同一封装内，并且可向存储和处理电路18提供图像数据。在一些实施方案中，镜头14可以是镜头阵列的一部分，图像传感器16可以是图像传感器阵列的一部分。

存储和处理电路18可包括一个或多个集成电路(如，图像处理电路、微处理器、存储设备诸如随机存取存储器和非易失性存储器等)，并且可使用与相机模块12分开和/或形成相机模块12的一部分的部件(如，形成包括图像传感器16的集成电路或者与图像传感器16相连的模块12内的集成电路的一部分的电路)来实施。如果需要，可使用存储和处理电路18进一步处理并且存储被相机模块12捕获和处理的图像数据。如果需要，已处理图像数据可使用耦接至存储和处理电路18的有线和/或无线通信路径提供给外部设备(如，计算机或其他设备)。

如图2所示，图像传感器16可包括包含被布置成行和列的图像传感器像素22(有时在本文称为图像像素或像素)的像素阵列20以及控制和处理电路24(其可包括例如图像信号处理电路)。阵列20可包含例如几百或几千行以及几百或几千列图像传感器像素22。控制电路24可耦合至行控制电路26和图像读出电路28(有时称为列控制电路、读出电路、处理电路或列解码器电路)。可以在衬底23上形成像素阵列20、控制和处理电路24、行控制电路26和图像读出电路28。如果需要，图像传感器16的一些或所有组件可替代地形成在除衬底23之外的衬底上，所述衬底可例如通过堆叠式晶圆互连件、硅通孔(TSV)、引线接合或倒装芯片接合连接到衬底23。

衬底23可以包括光敏区29和外围区27，像素阵列20位于该光敏区中，非光敏结构位于该外围区中。外围区27可从阵列20延伸至衬底23的边缘。除其他结构之外，外围区27还可包括行控制电路26、图像读出电路28以及控制和处理电路24。外围区27还可包括切割线区，通过该切割线区使用切割刀片分开或切割衬底。可在外围区27的切割线区中形成用于光刻对准的对准结构，也可在外围区27中形成用于接合外部电路的接合垫结构。如果需要，可分别在阵列20的相对侧或者(如果需要)在阵列20的同一侧的衬底23外围区中形成对准结构和接合垫。

行控制电路26可从控制电路24接收行地址，并且通过行控制路径30将对应的行控制信号，例如，复位控制信号、行选择控制信号、电荷传输控制信号、双转换增益控制信号和读出控制信号提供给像素22。例如，控制路径30可耦接到外围区27中的接合垫。可将一根或多根导线(例如，列线32)耦合至阵列20中的各列像素22。列线32可用于读出来自像素22的图像信号以及用于将偏置信号(如，偏置电流或偏置电压)提供给像素22。如果需要，在像素读出操作期间，可使用行控制电路26选择阵列20中的像素行，并且可沿列线32读出由该像素行中的图像像素22生成的图像信号。

图像读出电路28可通过列线32接收图像信号(如，由像素22生成的模拟像素值)。图像读出电路28可包括用于对从阵列20读出的图像信号进行采样和暂时存储的采样保持电路、放大器电路、模拟/数字转换(ADC)电路、偏置电路、列存储器、用于选择性启用或禁用列电路的闩锁电路或者耦合至阵列20中的一个或多个像素列以用于操作像素22以及用于读出来自像素22的图像信号的其他电路。读出电路28中的ADC电路可将从阵列20接收的模拟像素值转换成对应的数字像素值(有时称为数字图像数据或数字像素数据)。图像读出电路28可针对一个或多个像素列中的像素通过路径25将数字像素数据提供给控制和处理电路24和/或处理器18(图1)。

如果需要，可在阵列20中的光敏区上方形成滤色器阵列，使得在相关像素22的光敏区的上表面上方形成滤色器阵列中的预期滤色器元件。用于滤色器阵列的滤色器可例如是红色滤色器、蓝色滤色器和绿色滤色器。还可使用其他滤色器，诸如透明滤色器、黄色滤色器、双带IR截止滤色器(例如，允许透过可见光和LED灯发出的某个范围的红外光的滤色器)等。可在滤色器阵列的上表面上方形成微镜头，以将入射光聚焦到与该像素22相关的光敏区上。入射光可由微镜头聚焦到光敏区上，并且可穿过滤色器元件，使得在光敏区处仅捕获对应颜色的光。

图3中示出了接合垫的示例性例子，该接合垫可在结合图2所示和所述的类型的衬底23的外围区27中形成。图3的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入半导体衬底中的窗口中。如图3所示，接合垫206可凹入在半导体衬底202中形成的窗口204中。为了保证表面平整度和低表面形貌，接合垫206可具有顶表面，该顶表面与窗口204的顶表面实质上平齐(即共面)。例如，接合垫206的顶表面可延伸到窗口204的顶表面但不可在该窗口顶表面上方延伸，使得接合垫206的顶表面与窗口204的顶表面对齐。半导体衬底202可由任何合适的半导体材料(例如，外延硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等)形成。窗口204可以是氧化物或任何介电膜，诸如二氧化硅。接合垫206可由金属诸如铝或任何其他合适的导电材料形成。接合垫206可通过窗口204和钝化层212的通孔中的导电通路207接触导电垫214。钝化层212可以是金属间介电层。导电通路207可由金属诸如铝制成。导电垫214可以是金属垫，并且可电耦接到互连件216，所述互连件可在模拟电路、数字电路、逻辑块、像素阵列等(例如，图2中所示的像素22)与导电垫214之间传送信号。在蚀刻窗口204并沉积(例如，电子束蒸发、溅射等)金属用于形成接合垫206和通孔207之后，可保留间隙210和211。在随后的处理步骤中，为进一步改进表面平整度，间隙210和211可任选地由介电材料诸如光阻填充。接合垫206可通过接合至例如接合垫206表面208的连接件(例如，焊丝、焊球等)电连接到外部电路。

氧化物窗口204在接合垫206和周围半导体层202之间提供额外的隔离，从而减少不期望的电容耦合，并且不太可能发生氧化层击穿可引起接合垫206对半导体层202不利地短路的情况。凹入窗口204的接合垫206为像素阵列提供了较低的形貌，这提高了表面平整度。例如，接合垫206的顶表面可在半导体层202的顶表面的0.5μm之内。这种改进的表面平整度提高了设备成品率，缩短了新产品工艺调试所需的时间，并且减少了窗口分框、条纹缺陷和阴影缺陷。

图4中示出了接合垫的示例性例子，该接合垫可在结合图2所示和所述的类型的衬底23的外围区27中形成。图4的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入半导体层中。

如图4所示，接合垫206可凹入半导体衬底202中，并且可通过导电通路207接触导电垫214。为了保证表面平整度和低表面形貌，接合垫206可具有顶表面，该顶表面与半导体衬底202的顶表面实质上平齐(即共面)。例如，接合垫206的顶表面可延伸到半导体衬底202的顶表面但不可在该半导体衬底顶表面上方延伸，使得接合垫206的顶表面与半导体衬底202的顶表面对齐。为了防止接合垫206对半导体衬底202短路，可在接合垫206和半导体衬底202之间形成氧化物218。

接合垫206凹入半导体衬底202，使得接合垫206的顶表面与半导体衬底202的顶表面实质上平齐，从而通过提高表面平整度来为像素阵列提供较低形貌。例如，接合垫206的顶表面可在半导体层202的顶表面的0.5μm之内。这种改进的表面平整度提高了设备成品率，缩短了新产品工艺调试所需的时间，并且减少了窗口分框、条纹缺陷和阴影缺陷。

图5中示出了接合垫的示例性例子，该接合垫可在结合图2所示和所述的类型的衬底23的外围区27中形成。图5的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入钝化层中。如图5所示，导电垫214可在钝化层212中形成，并且可通过互连件216连接至图像传感器电路(例如，图2中所示的像素22)。可在导电垫214上方半导体衬底202中形成窗口204。

可在导电垫214上方区205中(例如，通过蚀刻窗口204和钝化层212)形成孔。导电垫214可通过接合至例如导电垫214表面208的连接件(例如，焊丝、焊球等)电连接到外部电路。可在所有表面处理(包括滤色器阵列和微透镜的形成)完成后打开此孔，以确保在表面处理过程中该表面是平整的。如果在之前打开此孔，则必须用非导电材料(诸如光阻或任何其他合适的树脂)将其填充，以确保该表面是平整的。在表面处理完成之后且在导电垫214接合外部电路之前，必须移除该光阻或任何其他合适的树脂或介电材料。

图6中示出了对准结构的示例性例子，该对准结构可在结合图2所示和所述的类型的衬底23的外围区27或相邻裸片之间的切割线区中形成。图6的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，对准结构形成在钝化层中，窗口形成在对准结构上方的半导体衬底中。如图6所示，在钝化层212中可形成对准标记314。对准标记314可由任何合适的材料(例如，金属、多晶硅等)形成，从而在光刻工艺的掩模对准步骤中可观察对准标记314。在前段制程加工过程中或在背面减薄工艺中，可根据需要在对准标记314上方半导体层202中形成窗口304。窗口304可以是氧化物或任何透明膜，诸如二氧化硅。为了有助于在掩模对准处理步骤中查看对准标记314(例如，用于微透镜形成或任何其他所需背面处理步骤)，可形成窗口304。

在前段制程加工过程中形成窗口304的实施方案中，半导体衬底202可经图案化和蚀刻以在半导体衬底202的对准标记区中形成腔。随后，可用氧化物或透明膜(诸如二氧化硅)填充腔，并可通过化学机械抛光(CMP)进一步处理以确保平整度。随后，可在钝化层212中或(如果需要)在窗口304中形成对准标记314。

在背面减薄工艺中形成窗口304的实施方案中，在进行背面加工之前，对准标记314可已存在于钝化层212中。半导体衬底202的背面可经过粗磨、细磨和湿硅蚀刻工艺。随后，半导体衬底202的背面可在减薄工艺中于任何点处受到图案化和蚀刻，以在半导体衬底202的对准标记区中形成腔。使该腔图案化所需的对准可通过粗对准(例如，红外对准或全局对准)实现。随后，可用氧化物或透明膜(诸如二氧化硅)填充该腔。随后，在对半导体衬底202的整个背面表面进行最终化学机械抛光之前，可通过化学机械抛光加工半导体衬底202背面的对准标记区。

如图6中所示的实施方案比常规背照式图像传感器对准标记形成工艺更为有利。在常规工艺中，为了使对准标记在掩模对准过程中可见，必须蚀刻对准标记上方区中硅衬底的背面，这会在硅中留下不期望的形貌。然而，在图6的示例性实施方案中，窗口304使得对准标记在掩模对准过程中能够被看见，同时保持对准区周围表面的平整度(即，没有不期望的形貌)。此外，这种改进的平整度可改进图像传感器(例如，图1中所示的图像传感器16)中像素(例如，图2中所示的像素22)上方形成的滤色器和微透镜的均匀性。

在一些实施方案中，可不形成窗口304，而是蚀刻对准区中半导体衬底202的部分，使得对准标记314在掩模对准处理过程中可见。随后，为了获得更平整的表面，可用材料诸如光阻或任何其他合适的树脂填充半导体衬底202减薄所留下的腔。这种方法的缺点在于，树脂、光阻或其他旋涂材料通常不会如化学机械抛光氧化物膜那样有效地使广大区域平整。

图7的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入窗口中，并且在对准标记上方形成另一窗口。如图7所示，光敏区406可包含在半导体衬底202中形成的光电二极管402，接合垫区404可位于光敏区406的外围处，并且可包含凹入窗口204中的接合垫206(例如，上文结合图3所述的实施方案)，并且对准区408可位于光敏区406的外围处或相邻裸片之间，并且可包含在对准标记314上方形成的窗口304(例如，上文结合图6所述的实施方案)。

图8的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入半导体衬底中，并且在对准标记上方形成窗口。如图8所示，光敏区406可包含在半导体衬底202中形成的光电二极管402，接合垫区410可位于光敏区406的外围处，并且可包含凹入半导体衬底202中的接合垫206(例如，上文结合图4所述的实施方案)，并且对准区408可位于光敏区406的外围处或相邻裸片之间，并且可包含在对准标记314上方形成的窗口304(例如，上文结合图6所述的实施方案)。

图9的例子示出了示例性图像传感器的中间处理平台的横截面侧视图，在该示例性图像传感器中，接合垫凹入半导体衬底中，并且在对准标记上方形成窗口。如图9所示，光敏区406可包含在半导体衬底202中形成的光电二极管402，接合垫区412可位于光敏区406的外围处，并且可包含凹入钝化层212中的接合垫214(例如，上文结合图5所述的实施方案)，并且对准区408可位于光敏区406的外围处或相邻裸片之间，并且可包含在对准标记314上方形成的窗口304(例如，上文结合图6所述的实施方案)。

图10为采用图3-图9中的至少一些图像像素阵列实施方案的处理器系统的框图。设备584可包括设备10的多个元件(图1)或该元件的任何相关子集。处理器系统500是可包括成像设备584的具有数字电路的示例性系统。在不进行限制的前提下，这种系统可包括计算机系统、静态或视频摄像机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监控系统、自动对焦系统、星体跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定系统以及其他采用成像设备的系统。

处理器系统500可以是数字静态或视频摄像机系统，其可包括由镜头596所表示的一个或多个镜头，所述镜头用于在快门释放按钮598被按下时将图像聚焦到图像传感器、图像传感器阵列或多个图像传感器阵列诸如图像传感器16(图1)上。处理器系统500可包括中央处理单元，诸如中央处理单元(CPU)594。CPU 594可以是微处理器，它控制相机功能和一个或多个图像流功能，并通过总线(诸如总线590)与一个或多个输入/输出(I/O)设备586通信。成像设备584还可通过总线590与CPU 594通信。系统500可包括随机存取存储器(RAM)592和可移动存储器588。可移动存储器588可包括通过总线590与CPU 594通信的闪存存储器。成像设备584可在单个集成电路上或在不同芯片上与CPU 594相组合，并可具有或没有存储器。尽管总线50被示为单总线，但该总线也可以是一个或多个总线或桥接器或其他用于互连系统组件的通信路径。

已描述了各种实施方案，这些实施方案示出了具有衬底的图像传感器、具有形成在对准标记上方的窗口的对准区，以及凹入衬底中的接合垫。

图像传感器晶圆可包括具有半导体层的衬底、形成在半导体层中的光敏元件阵列以及衬底外围区中的接合垫，所述光敏元件阵列被衬底外围区至少部分地包围，所述接合垫凹入到衬底中，其中接合垫的顶表面与衬底的顶表面实质上平齐。可在半导体层下方形成介电层。可在接合垫下方介电层中形成输入/输出电路。接合垫的顶表面可在衬底顶表面的0.5μm内。接合垫可被电连接到输入/输出电路。

在一些实施方案中，介电衬里可插置在接合垫和半导体层之间。介电衬里可以是氧化物。

在一些实施方案中，可在输入/输出电路上方半导体层中形成介电窗口。接合垫可凹入到介电窗口内。介电窗口可以是氧化物。

在一些实施方案中，可在衬底的外围区中形成对准结构。对准结构可包括半导体层中的氧化物透明窗口以及透明窗口下方的至少一个对准标记。

图像传感器可包括具有半导体层、介电层、像素区和对准区的衬底。图像传感器还可包括衬底像素区中半导体层中的光电二极管阵列、衬底对准区中半导体层中的透明窗口和衬底对准区中介电层中的至少一个对准标记。所述至少一个对准标记可与透明窗口对齐。透明窗口可包括介电材料。该介电材料可以是氧化物。在一些实施方案中，所述至少一个对准标记可以是多晶硅。在一些实施方案中，所述至少一个对准标记可以是金属。

图像传感器集成电路可包括半导体层、半导体层中的光敏元件、半导体层下方的介电层、半导体中的接合垫以及介电层中的金属垫，所述接合垫具有与半导体层上表面实质上相平的上表面，所述金属垫电连接到外部电路。

在一些实施方案中，可在金属垫上方半导体层中形成窗口。该窗口可以是氧化物窗口。接合垫可凹入到窗口中。窗口可包括孔，接合垫通过该孔可电连接至金属垫。接合垫和窗口侧壁之间可存在间隙。间隙可由树脂填充。

在一些实施方案中，接合垫可凹入到半导体层中。半导体层可包含孔，接合垫通过该孔电连接至金属垫。可在接合垫和半导体层之间形成氧化物衬里。

前述内容仅是对本实用新型原理的示例性说明，因此本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下进行多种修改。上述实施方案可单独地或以任意组合方式实施。