1.一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括：
半绝缘衬底；
位于所述半绝缘衬底上异质外延生长的AlN成核层；
位于所述AlN成核层上外延生长的GaN缓冲层；
位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN势垒层；
分列于所述AlGaN势垒层上的源极、栅凹槽以及漏极；所述栅凹槽位于所述源极与漏极之间；
位于所述栅凹槽上的绝缘介质层；
位于所述绝缘介质层上的栅极；
其特征在于：
在AlGaN势垒层上还外延生长有与栅极边缘邻接的本征GaN帽层，所述本征GaN帽层部分覆盖或者完全覆盖栅极和漏极之间的区域。
2.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述本征GaN帽层是通过在AlGaN势垒层表面外延生长本征GaN层，然后刻蚀形成的。
3.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述本征GaN帽层长度不超过栅漏间距的百分之二十。
4.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述栅凹槽是通过对本征GaN帽层和AlGaN势垒层局部刻蚀形成的。
5.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘介质层是通过等离子增强化学气相淀积介质层形成的，材料为氮化硅或氧化铝。
6.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述栅极是通过在绝缘介质层上淀积金属形成的。
7.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述源极和所述漏极均通过欧姆接触与所述AlGaN势垒层相连。
8.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述外延生长的GaN缓冲层具有n型电阻特性或半绝缘特性。
9.如权利要求1所述的槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，其特征在于：所述半绝缘衬底的材料为硅或碳化硅，或者半绝缘衬底替换为蓝宝石衬底。