技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、量子缓冲层、发光层、P型GaN层，发光层包括若干子层，子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量子垒层，量子缓冲层的晶格常数在量子阱层的晶格常数和量子垒层的晶格常数之间。本发明通过在N型GaN层和发光层之间的量子缓冲层，量子缓冲层的晶格常数在量子阱层的晶格常数和量子垒层的晶格常数之间，可以减少量子阱层和量子垒层在量子缓冲层上交替生长时产生的应力，从而减少发光层内的晶格缺陷，增加了电子和空穴的辐射复合，最终提高了发光二极管的内量子效率。
技术研发人员：刘华容
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201710021780
技术研发日：2017.01.12
技术公布日：2017.06.20