技术总结
本发明公开了一种小型化高散热性的线性功率放大器结构小型化高散热性的线性功率放大元件结构及其制作方法，其特征是将功率放大芯片预先埋入至有机基板内部，功率放大芯片背面粘贴于基板内部的金属层上；功率放大芯片正面的电极通过基板内部的金属印制电路和过孔进行信号传输，并最终连接至基板外表层相应的焊盘；基板外表层焊盘上焊接金属焊球以及相应的无源器件。本发明能使功率放大芯片的散热路径尽可能缩短，同时又能充分利用基板内部空间，从而达到高散热性和缩小器件尺寸的目的。
技术研发人员：王宏杰;马雷;彭小滔
受保护的技术使用者：合肥雷诚微电子有限责任公司
文档号码：201710059053
技术研发日：2017.01.23
技术公布日：2017.05.31