一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极及其制备方法和应用与流程

文档序号:15520491发布日期:2018-09-25 19:19阅读:379来源:国知局

本发明属于光电化学池的半导体电极领域,具体为一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极及其制备方法和应用。



背景技术:

一维纳米管材料,由于其特殊的光学和电磁学性质受到广泛研究1。氧化铁,尤其是赤铁矿型α-fe2o3,在能源和环境领域得到了广泛应用2。其中,fe2o3纳米管在锂离子电池3,化学传感器4和光解水制氢电极5上备受人们关注。

研究表明高温焙烧对提升氧化铁性能有至关重要的作用。高温焙烧可以大幅度提高fe2o3材料的结晶性,从而提高其载流子的传输,传感的敏感度以及对太阳光的吸收系数。在光解水电极领域,高温焙烧(≥750℃)能够有效提高fe2o3电极的起始电位6和光生电流7。然而,高温焙烧会造成fe2o3结构的破坏,尤其会造成纳米颗粒的团聚8

因此,制备耐高温焙烧的fe2o3纳米管是亟待解决的科学技术难题。目前,还没有先例成功制备出耐高温焙烧的fe2o3纳米管。

1a)g.r.patzke,f.krumeich,r.nesper,angew.chem.int.ed.2002,41,2446-2461;b)y.xia,p.yang,y.sun,y.wu,b.mayers,b.gates,y.yin,f.kim,h.yan,adv.mater.2003,15,353-389.

2c.wu,p.yin,x.zhu,c.ouyang,y.xie,j.phys.chem.b2006,110,17806-17812.

3n.kang,j.h.park,j.choi,j.jin,j.chun,i.g.jung,j.jeong,j.-g.park,s.m.lee,h.j.kim,s.u.son,angew.chem.int.ed.2012,51,6626-6630.

4z.sun,h.yuan,z.liu,b.han,x.zhang,adv.mater.2005,17,2993-2997.

5g.k.mor,h.e.prakasam,o.k.varghese,k.shankar,c.a.grimes,nanolett.2007,7,2356-2364.

6j.-w.jang,c.du,y.ye,y.lin,x.yao,j.thorne,e.liu,g.mcmahon,j.zhu,a.javey,j.guo,d.wang,nat.commun.2015,6,7447.

7j.y.kim,g.magesh,d.h.youn,j.-w.jang,j.kubota,k.domen,j.s.lee,sci.rep.2013,3,2681.

8k.sivula,r.zboril,f.leformal,r.robert,a.weidenkaff,j.tucek,j.frydrych,m.j.am.chem.soc.2010,132,7436-7444.



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供了一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极及其制备方法和应用,本发明简便易行,可控性强,对环境友好,能耗比较小,可实现大规模生产。

为了解决上述技术问题,本发明通过以下的技术方案予以实现:

一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极,由垂直生长在导电玻璃上的fe2o3纳米管阵列和在fe2o3纳米管外壁周围原位包覆fe2o3的zro2纳米晶粒组成;所述的耐高温焙烧氧化铁纳米管电极厚度和fe2o3纳米管阵列高度一致,均为330~355nm;fe2o3纳米管的外径为50~55nm,zro2纳米薄膜厚度15~20nm。

一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极的制备方法,步骤如下:

步骤一,将浓度为0.1~0.2mol/l的三氯化铁和1~2mol/l的硝酸钠水溶液混合,将混合溶液的ph调节至1.1~1.5,作为制备feooh纳米棒的前驱体溶液;

步骤二,将导电玻璃基底放入步骤一所述的前驱体溶液中,在95~100℃下反应6~12h,所得为在导电玻璃基底上均匀生长的feooh纳米棒阵列;

步骤三,将步骤二中所述的feooh纳米棒阵列置于原子层沉积系统的腔体内进行沉积,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水,沉积周期数为10~50周期,每个沉积周期的沉积温度为150~300℃,四(乙基甲基胺基)锆(iv)的通入时间为0.1~5s,对应载气清洗时间为5~20s,前驱体水的通入时间为0.01~1s,对应载气清洗时间为10~30s;此步骤实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在导电玻璃基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

步骤四,将步骤三中所述的feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,高温焙烧的温度为760~840℃,焙烧时间为6~14分钟最终得到zro2-fe2o3纳米管即所述的耐高温焙烧氧化铁纳米管电极。

而且,步骤一中,将混合溶液的ph调节至1.2~1.3。

而且,步骤二中的反应时间优选为11~12h。

而且,步骤三中的沉淀周期数优选为10~40。

而且,步骤四中所述的高温焙烧的条件优选为焙烧温度790~810℃,焙烧时间9~11分钟。

一种耐高温焙烧氧化铁纳米管电极在光电化学中的应用,所述的耐高温焙烧氧化铁纳米管电极作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极,将三者组装成光电化学池,电解液为1~2mol/l的koh水溶液,采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,电极活性较高时光电流密度可达0.7~1.5ma/cm2,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

本发明首次合成出耐高温焙烧氧化铁纳米管电极,一维纳米管阵列有效结合了增大固液界面和载流子分离的问题。与现有技术相比,本发明简单易行,每一步骤均精确可调。通过调节水热合成的时间,可以控制合成出的feooh纳米棒的长度从而可以控制整个电极的厚度,通过设置原子层沉积的温度、时间和周期数,可以调节zro2的厚度,通过高温焙烧,可以得到规整的耐高温焙烧氧化铁纳米管电极。

附图说明

图1是实施例1中耐高温焙烧氧化铁纳米管电极的扫描电子显微镜截面图,标尺为500nm;

图2是实施例1中耐高温焙烧氧化铁纳米管电极的扫描电子显微镜俯视图,标尺为500nm;

图3是实施例1中耐高温焙烧氧化铁纳米管电极的透射电子显微镜图,标尺为10nm;

图4(a)为实施例1中耐高温焙烧氧化铁纳米管电极的透射电镜明场像;(b)为(a)相应的电子衍射图;(c-f)为(a)对应的eds元素面扫描谱,(c)、(d)、(e)分别是fe、o、zr元素,(f)是三种元素的叠加图;(g)为eds元素线扫描图,扫的区域是(a)中白色箭头所指路径;

图5为实施例1中耐高温焙烧氧化铁纳米管电极外侧的高倍透射电镜图;

图6是模拟太阳光照射下,实施例1制备的耐高温焙烧氧化铁纳米管电极与fe2o3纳米棒薄膜电极的光电流-电位曲线对比图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

实施例中使用到的药品来源如下:

浓盐酸(36.5-38wt%)、六水合三氯化铁(fecl3·6h2o,≥99%),天津光复精细化工研究所;

硝酸钠(nano3,≥99%),北京百灵威科技有限公司;

四(乙基甲基胺基)锆(temazr,≥99.9999%),苏州复纳电子科技有限公司。

实施例中使用到的仪器型号如下:

扫描电子显微镜:fe-sem,hitachis-4800,5kv

透射电子显微镜:tem,jeoljem-2100f,200kv

电化学工作站:iviumcompactstat

实施例中使用的原子层沉积设备详见中国发明专利申请“一种原子层沉积设备和应用”(申请号为2014107494591,申请日为2014.12.09,公开日为2015.04.22)。

实施例1

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应12h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为30周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

如附图1~2,从扫描电子显微镜截面图中可以看出,zro2-fe2o3nt规整地生长在400nm的fto基底上,氧化铁纳米管电极整体的厚度即zro2-fe2o3nt的高度,为340~350nm,纳米管外壁较为粗糙。

如附图3,从透射电子显微镜图可以看出,zro2-fe2o3nt直径为100±5nm,壁厚为20±5nm,管内侧比较平滑,外侧由于有zro2颗粒的存在较为粗糙。

如附图4,由图(a-b)可知,规整的点阵是fe2o3的衍射点阵,散乱的点是多晶zro2的衍射点;由图(c-g)可知所制备的zro2-fe2o3nt含有fe、o、zr元素且zr元素含量较少,zr元素在整个纳米管的外侧。

如附图5,由图可以看出外侧有很多zro2的晶粒,造成了纳米管外壁比较粗糙。

如附图6,光电流-电位曲线对比图中的实验结果表明,在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下,fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为1.5ma/cm2。由此证明,经zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

实施例2

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应12h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为10周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为0.78ma/cm2。由此证明,zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

实施例3

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应12h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为20周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为1.16ma/cm2。由此证明,zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

实施例4

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应12h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为40周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为0.97ma/cm2。由此证明,zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

实施例5

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应12h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为50周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为0.3ma/cm2。由此证明,当zro2沉积周期为50时,zro2-fe2o3nt活性发生了明显的下降。

实施例6

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应6h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为30周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,合成出的zro2-fe2o3nt外径为100±5nm,壁厚20±5nm,高度在220±5nm。在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为1.06ma/cm2。由此证明,zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

实施例7

步骤1,制备耐高温焙烧氧化铁纳米管电极:

(1)将fto导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟,经去离子水洗净,吹干备用;

(2)配制三氯化铁和硝酸钠前驱体溶液:称量2.16g三氯化铁和6.8g硝酸钠,溶于80ml水,得到0.1mol/l氯化铁和1mol/l硝酸钠的混合溶液;

(3)将fto基底放入上述前驱体溶液中,在95℃下反应9h,淋洗、干燥,得到在fto基底上生长的均匀的feooh纳米棒阵列;

(4)将上述feooh样品置于原子层沉积系统的腔体内,所用的前驱体为四(乙基甲基胺基)锆(iv)和水。开启程序进行沉积,沉积的周期数为30周期,实现在feooh纳米棒阵列表面均匀包覆一层zro2薄膜,得到在fto基底上的feooh-zro2纳米棒阵列;

(5)将上述feooh-zro2样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到耐高温焙烧氧化铁纳米管电极(记为zro2-fe2o3nt)。

步骤2,制备fe2o3纳米棒阵列:

(1)先合成出feooh纳米棒阵列,方法同步骤1中的(1)~(3)步;

(2)将上述feooh样品在空气中高温焙烧,使用管式炉,条件为:800℃,保持10分钟,自然降温,得到fe2o3纳米棒阵列(记为fe2o3nr)。

步骤3,将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr用于光电化学池光解水制氢:

(1)分别将zro2-fe2o3nt和fe2o3nr作为工作电极,铂片电极作为对电极,银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池,进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为1mol/l的koh水溶液,工作电极光照面积为1cm2

(2)采用300w的氙灯搭配am1.5g滤光片获得模拟太阳光,光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mw/cm2

实验结果表明,合成出的zro2-fe2o3nt外径为100±5nm,壁厚20±5nm,高度在290±5nm。在1.23v(与可逆氢电极对比)偏压下:fe2o3nr的光电流密度为0.63ma/cm2;而zro2-fe2o3nt的光电流密度为1.35ma/cm2。由此证明,zro2-fe2o3nt相比于fe2o3nr有明显的优势。

依照本发明内容进行工艺参数的调整均可制备出耐高温焙烧氧化铁纳米管电极并且耐高温焙烧氧化铁纳米管电极能表现出良好的光电性能。尽管上面实施例结合附图对此发明进行了比较详细的描述,但此发明不局限于上述的具体实施方式,应该说明的是,在不脱离本发明的核心的情况下,任何简单的变形、修改或者在本发明启示下能够不花费创造性劳动作出的各种形式的变换均落入本发明的保护范围。

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