1.一种差异化控制蚀刻深度的方法，其特征在于，所述方法包括：
在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；
采用第一蚀刻剂对所述面板进行第一次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得所述第二蚀刻深度深于所述第一蚀刻阻档图案层的底面；
采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层还包括：
在所述层叠结构的面板中的至少一层设置第二蚀刻阻档图案层，其中所述第二蚀刻阻档图案层所在的层位于所述第一蚀刻阻档图案层所在的层的下方；
所述采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉之后进一步包括：
采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第三次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置和在未设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置同步蚀刻直至蚀刻到未设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置的蚀刻深度深于所述第二蚀刻阻档图案层的底面；
采用所述第二蚀刻剂对所述面板进行第四次蚀刻，将所述第二蚀刻阻档图案层蚀刻掉。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用所述第二蚀刻剂对所述面板进行第四次蚀刻，将所述第二蚀刻阻档图案层蚀刻掉之后进一步包括：
采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第五次蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述层叠结构包括由下至上的基板、阻隔层、缓冲层、主动层、覆盖所述主动层的栅极绝缘层、栅极图案层、覆盖所述栅极图案层的电容介电层、电容电极图案层及覆盖所述电容电极图案层的绝缘层，所述第一蚀刻阻档图案层与所述电容电极图案层同层设置于所述电容介电层的表面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡图案层与所述电容电极图案层采用同一光刻工艺同时图案化形成。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡图案层与所述栅极图案层同层设置于所述栅极绝缘层的表面，且与所述栅极图案层采用同一光刻工艺同时图案化形成。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡图案层的图案的数量少于所述第一蚀刻阻挡图案层的图案的数量。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第五次蚀刻包括：
采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第五次蚀刻，使得所述面板在设有所述第一蚀刻阻档图案层及所述第二蚀刻阻档图案层的位置蚀刻至所述主动层、所述面板设有所述第一蚀刻阻挡图案层且未设有所述第二蚀刻阻档图案层的位置蚀刻至所述缓冲层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为干法蚀刻，所述第一蚀刻剂为CF4与O2的混合气体或C2FH5、A1r与H2的混合气体，所述第二蚀刻剂为SF6与O2的混合气体、Cl2与O2的混合气体或Cl2与B1F3的混合气体。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为湿法蚀刻，所述第一蚀刻剂为HF或B1OE，所述第二蚀刻剂为H3PO4、HNO3或HCOOH。