技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN芯片及其制作方法。GaN芯片包括硅衬底、SiN或AlN成核层、掺杂GaN缓冲层、AlN或GaN隔离层、GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结和氧化铝栅介质；GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结由下至上，依次设置未掺杂GaN缓冲层、AlN势垒层、InGaN势垒层和GaN帽层；SiN或AlN成核层设置在硅衬底的上面，掺杂GaN缓冲层设置在SiN或AlN成核层的上面，AlN或GaN隔离层设置在掺杂GaN缓冲层的上面，氧化铝栅介质设置在GaN帽层的上面。本发明改善了GaN基晶体管的性能，提高了GaN芯片的工作可靠性，应用于可穿戴设备导航芯片，提升了导航精度。
技术研发人员：何宏波;徐静
受保护的技术使用者：四川北斗卫星导航平台有限公司
技术研发日：2017.04.21
技术公布日：2017.09.05