技术特征：
技术总结
本发明公开了一种PIN结构紫外光电探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极，所述非掺杂i型ZnO/TiO2超晶格吸收层中，超晶格的重复周期数为1～10个。本发明还公开了PIN结构紫外光电探测器的制备方法。该PIN结构紫外光电探测器可提高探测器对弱紫外信号的响应度。
技术研发人员：王书昶;刘玉申;李中国;冯金福
受保护的技术使用者：常熟理工学院
技术研发日：2017.05.02
技术公布日：2017.07.18