技术特征：
技术总结
超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调，而且低功耗、驱动快，没有迟滞效应，线性度好、精度与可靠性高。
技术研发人员：张继华;郑懿;陈宏伟;吴开拓
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.05.03
技术公布日：2017.09.15