技术特征：
技术总结
本发明提供一种基于离子注入掺杂HfO2的MFIS铁电栅制备工艺，先采用标准清洗工艺对P‑Si或者n‑Si基片进行清洗，以去除硅表面的颗粒及其它污染物，随后在硅片上沉积适当厚度的HfO2并进行退火处理；之后使用离子注入机对HfO2进行掺杂，然后对掺杂后的HfO2进行退火处理；在掺杂后的HfO2上即氧化铪铁电薄膜上沉积顶电极，然后再次对电极快速热处理；最后采用反应离子刻蚀方法将MFIS多层薄膜结构刻蚀成与源、漏和沟道尺寸相匹配MFIS阵列单元。本发明能精确控制HfO2铁电薄膜掺杂浓度，且制备相对简单，薄膜制备温度低的成熟操作工艺。
技术研发人员：彭强祥;刘巧灵;兰杨波;廖敏;杨琼;周益春
受保护的技术使用者：湘潭大学
技术研发日：2017.05.04
技术公布日：2017.09.08