技术特征：
技术总结
本发明公布了一种变比例钛铝共晶的GaN HEMT欧姆接触工艺方法，通过溅射同时淀积Ti和Al两种金属，增加了合金中两种反应金属的接触面积来改善欧姆合金金属中Ti和Al的共融程度；在溅射过程中调节电极表面Ti/Al金属的比例来降低接触电阻和提高合金反应后电极表面形貌,以上方式制备的欧姆接触，降低了接触电阻率和合金反应温度，提高了常规合金反应的欧姆接触电极的表面形貌，从而提高了GaN HEMT器件的性能和可靠性，有广泛的工业化应用前景。
技术研发人员：林书勋
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.10.20