本发明涉及led芯片。
背景技术：
：led即发光二极管，由于其可以直接将电能转化为光能，因此在各种领域得到广泛的应用，应用led照明时需要将其封装为led芯片，传统的芯片封装方式由于透光率低，影响了照明效果，因此提供一种具有高透光率的led芯片成为现有技术中亟待解决的问题。技术实现要素：为解决前述技术问题，本发明采用了以下技术方案：提供了具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述led芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材质选自氧化铝、氮化铝、氧化锆以及氟化钙。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片包括依序堆叠的n型半导体层、半导体发光层、p型半导体层。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述n型半导体层为n型gan(氮化镓)层，所述半导体发光层包含氮化镓或氮化铟镓，所述p型半导体层为p型gan层，所述的p型gan层及n型gan层分别电连接连接至外部电源所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述的所述封装胶包覆环形侧壁和荧光层，所述封装胶由包括硅胶和/或环氧树脂的材料构成。所述的所述的具有高透光率的led芯片，其特征是位于所述led芯片在于环形侧壁的固晶区域内交错排列。本发明提供的具有高透光率的led芯片，与现有技术相比，通过改进led封装结构，优化封装胶体的材料选择与结构设计，提高了led芯片的透光率，解决了现有技术中存在的问题。具体实施方式本发明提供的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述led芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。所述的陶瓷基板的材质选自氧化铝、氮化铝、氧化锆以及氟化钙。所述led芯片包括依序堆叠的n型半导体层、半导体发光层、p型半导体层。所述n型半导体层为n型gan(氮化镓)层，所述半导体发光层包含氮化镓或氮化铟镓，所述p型半导体层为p型gan层，所述的p型gan层及n型gan层分别电连接连接至外部电源所述封装胶包覆环形侧壁和荧光层，所述封装胶由包括硅胶和/或环氧树脂的材料构成。所述led芯片在于环形侧壁的固晶区域内交错排列。所述封装胶的相对介电常数范围50～200。封装胶中掺杂由纳米银粒子。所述纳米银粒子的制备方法为：1)在表面活性剂如十二烷基硫酸纳和十二烷基磺酸钠等存在下；2)采用532nm,10ns的激光在丙酮、水、甲醇、异丙醇等溶剂中辐照银金属基体材料与溶液界面处，用激光剥离银箔，得到纳米银粒子。透光率测试测试将实施例1～4制得的led各取100只分别进行透光率测试，所结果如下实施例号1234透光率/％85878687实验结果表明，采用本发明的具有高透光率的led芯片具有较高的透光率。技术特征：技术总结具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述LED芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。技术研发人员：庞绮琪受保护的技术使用者：庞绮琪技术研发日：2017.07.06技术公布日：2017.09.22