技术特征：
技术总结
本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，由于像素电路中包括有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管，像素电路中需要较高载流子迁移率的晶体管设置为硅薄膜晶体管，需要较低载流子迁移率的晶体管可以设置为半导体氧化物薄膜晶体管，与现有相比不需要通过增加晶体管的沟道长度，因此能够在保证在不降低阵列基板分辨率的基础上实现满足像素电路所需的不同性能的薄膜晶体管的要求。并且由于半导体氧化物薄膜晶体管为顶栅结构晶体管，这样第二栅电极层可以对半导体氧化物层起遮光作用，从而改善半导体氧化物薄膜晶体管由于负偏置温度光照应激NBTIS导致的阈值电压偏移。
技术研发人员：李祥远;高玟虎;姜尚勋;宋国焕;安星俊;朱艺丹
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2017.10.27
技术公布日：2018.02.23