本发明涉及一种失效分析方法，特别涉及一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法。
背景技术：
在半导体研发、生产过程中，失效分析是改善工艺提高良率不可或缺的手段。失效分析流程中，最基本最重要的步骤就是失效点的定位，定位的精度直接影响后续的分析，因此如何获得准确的失效位置尤为关键。但是在目前的三维存储器产品中，存储阵列区结构为字线层堆叠模式，随着堆叠层数越来越多(≥32层)，阵列区范围越来越大(≥3mm*6mm)，阵列区的失效将成为主要的失效模式。针对字线层间、字线与源极间发生短路类型的失效，需要精确定位(≤1μm范围)到失效点，从而实现对阵列区的失效分析，需要设计一套流程快速实现对短路点的定位和切片分析。
现有技术无法实现针对三维存储器阵列区的字线层间、字线与源极间的短路失效点进行精确定位和表征。三维存储器工艺不稳定导致阵列区字线层与字线层之间、字线层与源极间发生短路，从而影响产品的性能。由于阵列区范围大，精确找到失效点并进行表征成为一大难点。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，从而克服现有技术的缺点。
为实现上述目的，本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，其特征在于：方法包括：将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记，从而方便纳米点针台下针；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；通过微光显微镜，在失效点处标记激光标记；使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削，同时观察失效点，制备透射电子显微镜试片；以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。
优选地，上述技术方案中，将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品具体为：将待测试样品处理到钨栓塞层，保持待测试样品的清洁度，并使用加热台烘烤去除待测试样品中的水分，得到处理之后的待测试样品。
优选地，上述技术方案中，在失效点处标记激光标记具体为：给失效点标记十字交叉形的激光标记，标记的精确度达到1μm。
优选地，上述技术方案中，失效是短路。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明首先将芯片进行处理；随后通过纳米点针台找出阵列区字线层与字线层或字线层与源极间的短路路径；通过微光显微镜抓取短路处热点信号并进行激光标记，缩小目标范围；使用聚焦离子束机台对激光标记处进行剖面切削，同时注意观察失效点，制备透射电镜试片；最后使用透射电镜对失效点进行表征。通过以上步骤，可以快速实现对字线层短路点的定位和表征。
附图说明
图1是根据本发明的芯片的俯视图。
图2是根据本发明的芯片的俯视示意图。
图3是根据本发明的芯片的截面示意图。
图4是根据本发明的方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
图1是根据本发明的芯片的俯视图。本发明的芯片包括图2是根据本发明的芯片的俯视示意图。图3是根据本发明的芯片的截面示意图。从图中可以看出，本发明的芯片包括阵列区101和台阶区102。阵列区101中的字线层与字线层之间或字线层与源极之间存在短路路径，其中wl约为5.9mm；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区102的钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体。
图4是根据本发明的方法的流程图。本发明的方法包括将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品401；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记，从而方便纳米点针台下针402；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径403；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体404；通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号405；通过微光显微镜，在失效点处标记激光标记406；使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削，同时观察失效点，制备透射电子显微镜试片407；以及使用透射电子显微镜对试片进行表征408。优选地，上述技术方案中，将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品具体为：将待测试样品处理到钨栓塞层，保持待测试样品的清洁度，并使用加热台烘烤去除待测试样品中的水分，得到处理之后的待测试样品。优选地，上述技术方案中，在失效点处标记激光标记具体为：给失效点标记十字交叉形的激光标记，标记的精确度达到1μm。优选地，上述技术方案中，失效是短路。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。