本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法。
背景技术：
发光二极管(英文：lightemittingdiode，简称：led)是一种能发光的半导体电子元件。led芯片广泛应用在户内和户外的显示屏上。从电视机显示屏，到电脑显示屏，再到手机显示屏，显示屏的尺寸逐渐减小，显示密度逐渐增大，应用在显示屏上的led芯片的尺寸需要相应减小，从而使得尺寸大小达到微米级的微型发光二极管(英文简称：microled)芯片广泛应用在显示屏上。
microled芯片应用在显示屏上时，通常是先制作若干相互独立的芯片，芯片包括依次层叠的n型半导体层、发光层、p型半导体层和p型电极；再对所有的芯片进行巨量转移，将各个芯片固定在控制电路板上形成显示面板。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
各个芯片之间是相互独立的，在一次或多次芯片巨量转移的过程中，难免会有部分芯片实际固定在控制电路上的位置与预先设计的位置存在一定的偏差。由于芯片的尺寸只有微米级，因此很小的偏差也会造成显示面板的像素失效，并且很难纠正，使得显示面板的不良率较高，增加了制作成本。
技术实现要素：
为了解决现有技术的偏差造成显示面板失效、造成制作成本高问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层。
可选地，所述反射绝缘层还设置在所述凹槽内的第一导电型半导体层上。
可选地，所述反射绝缘层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。
可选地，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。
可选地，所述第一导电型半导体层的第二表面具有多个凸块，各个所述凸块的高度小于所述第一导电型半导体层的厚度，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括控制电路板和发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层；所述控制电路板的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极，所述至少三个固晶电极分别与所述发光二极管芯片阵列中的不同电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。
可选地，所述第一导电型半导体层的第二表面上设有至少两个颜色转换结构，所述至少两个颜色转换结构与所述至少两个叠层结构一一对应，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面，所述颜色转换结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域包含所述颜色转换结构对应的叠层结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域，相邻两个所述颜色转换结构将同一波长的光线转换成不同的颜色。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层；
在所述第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个所述叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层；
在各个所述叠层结构的第二导电型半导体层上形成欧姆接触层；
在从各个所述叠层结构的欧姆接触层延伸至所述第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层；
在各个所述叠层结构的欧姆接触层上设置第二导电型电极，在所述第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层；
将所述发光二极管芯片阵列中的各个电极分别与控制电路板上设置的不同固晶电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极；
去除所述衬底。
第四方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的第二导电型半导体层铺设至所述第一导电型半导体层。
第五方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括控制电路板和发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的第二导电型半导体层铺设至所述第一导电型半导体层；所述控制电路板的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极，所述至少三个固晶电极分别与所述发光二极管芯片阵列中的不同电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过将各个芯片的第一导电型半导体层连接在一起形成发光二极管芯片阵列，发光二极管芯片阵列中各个芯片之间的相对位置固定不动，与将多个相互独立的芯片转移到控制电路板上相比，不存在部分芯片出现位移的问题，可以有效避免由于芯片实际固定在控制电路上的位置与预先设计的位置存在一定的偏差而造成显示面板失效，大大提高了显示面板的良率，降低了制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管芯片阵列的结构示意图；
图1a是本发明实施例一提供的叠层结构的一种排列方式的示意图；
图1b是本发明实施例一提供的叠层结构的另一种排列方式的示意图；
图2是本发明实施例一提供的反射绝缘层的结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的反射层的结构示意图；
图4是本发明实施例一提供的第一导电型半导体层的结构示意图；
图5是本发明实施例二提供的一种发光二极管芯片阵列的制作方法的流程图；
图6a-图6f是本发明实施例二提供的制作方法执行过程中发光二极管芯片阵列的结构示意图；
图7是本发明实施例三提供的一种显示面板的结构示意图；
图8是本发明实施例四提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
图9a-图9d是本发明实施例四提供的制作方法执行过程中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列，图1为本实施例提供的发光二极管芯片的结构示意图，参见图1，该发光二极管芯片包括第一导电型半导体层10、第一导电型电极20、反射绝缘层30和至少两个叠层结构40。第一导电型电极20和至少两个叠层结构40间隔设置在第一导电型半导体层10的第一表面上，每个叠层结构40包括依次层叠在第一导电型半导体层10的第一表面上的发光层41、第二导电型半导体层42、欧姆接触层43和第二导电型电极44，相邻两个叠层结构40之间设有从第二导电型电极44延伸至第一导电型半导体层10的凹槽50。第二导电型电极44和欧姆接触层43中的至少一个中设有反射层，反射绝缘层30从各个叠层结构40的欧姆接触层43铺设至第一导电型半导体层10。
本发明实施例通过将各个芯片的第一导电型半导体层连接在一起形成发光二极管芯片阵列，发光二极管芯片阵列中各个芯片之间的相对位置固定不动，与将多个相互独立的芯片转移到控制电路板上相比，不存在部分芯片出现位移的问题，可以有效避免由于芯片实际固定在控制电路上的位置与预先设计的位置存在一定的偏差而造成显示面板失效，大大提高了显示面板的良率，降低了制作成本。
需要说明的是，虽然各个芯片的第一导电型半导体层连接在一起，会同时连通电源，但是各个芯片的第二导电型半导体层是相互独立的，可以对各个芯片的第二导电型半导体层是否连通电源分别进行控制。由于一个芯片的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层只有同时连通电源才能在电流的驱动下进行发光，因此本实施例提供的发光二极管芯片阵列可以通过对第二导电型半导体层是否连通电源进行控制，实现对各个芯片是否进行发光的控制。
具体地，各个芯片的第二导电型半导体层上都相应设有独立的第二导电型电极，以将第二导电型半导体层单独接入电源。同时考虑到第一导电型半导体层的电流扩展能力较好，因此在第一导电型半导体层上只设置一个共用的第一导电型电极即可将各个芯片的第一导电型半导体层同时接入电源。
另外，将第一导电型半导体层的一个表面作为出光面，第一导电型电极和发光层等均设置在第一导电型半导体层的另一个表面上，并且欧姆接触层和第二导电型电极中的至少一个中设有反射层，反射绝缘层从欧姆接触层铺设至第一导电型半导体层，从而将射向非出光面的光线都反射回去，直到光线从出光面射出，可以有效避免光线被白白浪费掉，大大提高了出射光线的有效利用率。
在实际应用中，叠层结构40可以以阵列形式排列在第一导电型半导体层10上。例如，图1a为叠层结构40的一种排列方式的示意图，参见图1a，在同一列中，奇数行的叠层结构40排成一条直线，偶数行的叠层结构40也排成一条直线，且奇数行的叠层结构40和偶数行的叠层结构40在不同的直线上。相应地，在同一行中，奇数列的叠层结构40排成一条直线，偶数列的叠层结构40排成一条直线，奇数列的叠层结构40和偶数列的叠层结构40在不同的直线上。
又如，图1b为叠层结构40的另一种排列方式的示意图，参见图1b，在同一列中，奇数行的叠层结构40和偶数行的叠层结构40排成一条直线。相应地，在同一行中，奇数列的叠层结构40和偶数列的叠层结构40排成一条直线。
具体地，叠层结构投影到第一导电型半导体层的第一表面上的区域中两点之间的最大距离可以为1μm～100μm，即本实施例提供的发光二极管芯片阵列形成的显示面板的像素大小可以为1μm～100μm。
可选地，如图1所示，反射绝缘层30还可以设置在凹槽50内的第一导电型半导体层10上，从而增加反射光线的区域，提高出射光线的有效利用率。而且设置在凹槽内的反射绝缘层可以将设置在各个叠层结构上的反射绝缘层连成一个整体，方便反射绝缘层的铺设。
图2为本实施例提供的反射绝缘层的结构示意图。可选地，参见图2，反射绝缘层30可以包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜31和多个第二金属氧化物薄膜32，第一金属氧化物薄膜31的材料的折射率与第二金属氧化物薄膜32的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。
通过两种折射率不同的绝缘材料形成的金属氧化物薄膜交替层叠形成分散式布拉格反射镜(英文：distributedbraggreflectors，简称：dbr)，可以有效实现对光线的反射。
优选地，第一金属氧化物薄膜31的材料可以采用二氧化钛(tio2)、二氧化硅(sio2)、二氧化铪(hfo2)和五氧化二钽(ta2o5)中的一种，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的另一种。
其中，二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽均为绝缘材料，可以有效避免覆盖在叠层结构上时导致叠层结构漏电。
例如，当第一金属氧化物薄膜31的材料采用二氧化钛时，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化硅，也可以采用二氧化铪，还可以采用五氧化二钽。又如，当第一金属氧化物薄膜31的材料采用二氧化硅时，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化钛，也可以采用二氧化铪，还可以采用五氧化二钽。
在实际应用中，可以选择折射率相差最大的两种材料制作第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜，以达到最佳的反射效果。
优选地，第一金属氧化物薄膜31的数量与第二金属氧化物薄膜32的数量相同，第二金属氧化物薄膜的数量可以为2个～100个。
更优选地，第二金属氧化物薄膜的数量可以为14个～36个。
一般情况下，第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量越多，反射绝缘层的反射效果越好；但当第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量达到一定时，反射绝缘层的反射效果变化很小，此时继续增加第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量，只会增加工艺步骤，加大实现难度，提高加工成本，因此第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量之和需要限定在一定的范围内。在本实施例中，第一金属氧化物薄膜的数量为14个～36个，第二金属氧化物薄膜的数量与第一金属氧化物薄膜的数量相同，既能达到较佳的反射效果，也能尽量减少工艺步骤，控制加工成本。
图3为本实施例提供的反射层的结构示意图。可选地，参见图3，反射层60可以包括依次层叠的金属反射层61、金属粘附层62和金属保护层63。
其中，金属反射层设置在底层，可以与反射绝缘层一起，有效减少除所需方向之外其它方向的出光。同时由于金属反射层采用的金属材料通常性质不够稳定，因此本实施例通过在金属反射层上设置金属保护层，以有效防止金属反射层扩散。又由于金属反射层和金属保护层之间的连接通常不牢固，因此本实施例通过在金属反射层和金属保护层之间设置金属粘附层，以将减少反射层和金属保护层牢牢连接在一起。金属反射层、金属粘附层和金属保护层相互配合，从而实现对出射光线的长久反射。
优选地，金属反射层61的材料可以采用银(ag)或铝(al)，金属粘附层62的材料可以采用钛(ti)或铬(cr)，金属保护层63的材料可以采用铂(pt)、金(au)或者钨(w)。
其中，银和铝为折射率为较高的金属材料，可以有效实现对光线的反射；钛和铬为粘性较强的金属材料，可以有效实现金属反射层和金属保护层之间的牢固连接；铂或者钨的性质较为稳定，可以有效防止金属反射层的扩散，提高绝缘反射层的稳定性。
优选地，金属反射层61的厚度可以为50nm～500nm，金属粘附层62的厚度可以为0.1nm～1000nm，金属保护层63的厚度可以为1nm～1000nm。
如前所述，金属反射层、金属粘附层和金属保护层是相互配合的，若金属反射层的厚度小于50nm，或者金属粘附层的厚度小于0.1nm，又或者金属保护层的厚度小于1nm，则可能造成反射层的反射效果无法持续实现；同时若金属反射层的厚度大于500nm，或者金属粘附层的厚度大于1000nm，又或者金属保护层的厚度大于1000nm，虽然可以保证反射层反射效果的持续实现，但是会造成材料的浪费，白白增加加工成本。
在本实施例的一种实现方式中，当反射层60设置在第二导电型电极44中时，欧姆接触层43的材料可以采用透明且导电的金属氧化物薄膜，以达到更高的取光效率和更好的欧姆接触。
可选地，欧姆接触层43的材料可以为氧化铟锡(英文：indiumtinoxides，简称：ito)、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃(英文简称：azo)、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃(英文简称：gzo)、铟镓锌氧化物(英文:indiumgalliumzincoxide，简称：igzo)、氧化锌中的一种。
具体地，欧姆接触层43中金属氧化物薄膜的厚度可以为1nm～1000nm。
在本实施例的另一种实现方式中，当反射层60设置在欧姆接触层43中时，第二导电型电极44的材料可以为铬(cr)、铝(al)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、铂(pt)、金(au)、金锡合金(ausn)、铟(in)中的一种或多种。其中，当第二导电型电极的材料为多种时，各种材料形成的子层依次层叠形成第二导电型电极。
具体地，第二导电型电极44的厚度可以为100nm～10000nm。
在实际应用中，第一导电型电极20可以设置在第一导电型半导体层10的第一表面的边缘，以免影响显示效果。
可选地，第一导电型电极20的材料可以为铬(cr)、铝(al)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、铂(pt)、铜(cu)、金(au)、金锡合金(ausn)、铟(in)中的一种或多种。其中，当第一导电型电极的材料为多种时，各种材料形成的子层依次层叠形成第一导电型电极。
具体地，第一导电型电极20的厚度可以为100nm～10000nm。
图4为第一导电型半导体层的结构示意图。可选地，参见图4，第一导电型半导体层10的表面可以具有多个凸块10a，各个凸块10a的高度小于第一导电型半导体层10的厚度。通过粗化第一导电型半导体层的表面，可以改变出射光线与交界面的夹角，减少全反射的情况发生，提高出光效率。
优选地，多个凸块10a可以以阵列形式排列在第一导电型半导体层10的表面上，从而均匀提高出光效率。
优选地，各个凸块10a的高度可以为0.5μm～3um。
在实际应用中，多个凸块10a可以为圆锥、圆柱、棱锥或者棱柱，本发明对此不作限制。
具体地，发光层41可以包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，量子阱的材料可以为铟镓氮，量子垒的材料可以为氮化镓。
进一步地，第一导电型半导体层10的材料可以为n型掺杂的氮化镓，第二导电型半导体层42的材料可以为p型掺杂的氮化镓。相应地，第一导电型
或者，第一导电型半导体层10的材料可以为p型掺杂的氮化镓，第二导电型半导体层42的材料可以为n型掺杂的氮化镓。
更具体地，第一导电型半导体层10的厚度可以为1μm～5μm，第一导电型半导体层10中n型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018cm-3～1019cm-3；量子阱的厚度可以为2nm～9nm，量子垒的厚度可以为9nm～20nm，量子垒层的数量与量子阱层的数量相同，量子阱层的数量可以为5个～15个；第二导电型半导体层42的厚度可以为10nm～500nm，第二导电型半导体层42中p型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018cm-3～1020cm-3。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列的制作方法，适用于制作实施例一提供的发光二极管芯片阵列。图5为本实施例提供的制作方法的流程图，参见图5，该制作方法包括：
步骤201：在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层。
图6a为步骤201执行之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。其中，70表示衬底，10表示第一导电型半导体层，41表示发光层，42表示第二导电型半导体层。如图6a所示，第一导电型半导体层10、发光层41和第二导电型半导体层42依次层叠在衬底70上。
具体地，衬底的材料可以为蓝宝石，在保证一定效果的情况下将实现成本降至最低。
具体地，该步骤201可以包括：
采用金属有机化合物化学气相沉淀(英文：metalorganicchemicalvapordeposition，简称：mocvd)技术在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层。
步骤202：在第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层。
图6b为步骤202执行之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。其中，50表示凹槽，40表示叠层结构。如图6b所示，凹槽50从第二导电型半导体层42延伸至第一导电型半导体层10，将第二导电型半导体层42和发光层41分成至少两个叠层结构40。
具体地，该步骤202可以包括：
采用光刻技术在第二导电型半导体层上形成第一图形的光刻胶；
在第一图形的光刻胶的保护下，干法刻蚀第二导电型半导体层和发光层，形成凹槽和叠层结构；
去除第一图形的光刻胶。
在实际应用中，采用光刻技术形成某个图形时，先铺设一层光刻胶，再透过与形成图形匹配的掩膜版对光刻胶进行曝光，然后将光刻胶浸泡在显影液中，部分光刻胶(被曝光的光刻胶或者未曝光的光刻胶)会溶解在显影液中，留下的光刻胶的形状与所需图形一致。
步骤203：在各个叠层结构的第二导电型半导体层上形成欧姆接触层。
图6c为步骤203执行之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。其中，43表示欧姆接触层。如图6c所示，欧姆接触层43分别设置在各个叠层结构40的第二导电型半导体层42上。
具体地，该步骤203可以包括：
采用物理气相沉积(英文：physicalvapordeposition，简称：pvd)技术在第二导电型半导体层和第一导电型半导体层上形成欧姆接触层；
采用光刻技术在欧姆接触层上形成第二图形的光刻胶；
在第二图形的光刻胶的保护下，湿法腐蚀欧姆接触层，去除第一导电型半导体层上的欧姆接触层，留下第二导电型半导体层上的欧姆接触层；
去除第二图形的光刻胶。
步骤204：在从各个叠层结构的欧姆接触层延伸至第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层。
图6d为步骤204执行之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。其中，30表示反射绝缘层。如图6d所示，反射绝缘层30从欧姆接触层43的边缘开始，沿叠层结构40的侧面进行铺设，直到第一导电型半导体层10。
具体地，该步骤204可以包括：
采用pvd技术在叠层结构和第一导电型半导体层上形成反射绝缘层；
采用光刻技术在反射绝缘层上形成第三图形的光刻胶；
在第三图形的光刻胶的保护下，湿法腐蚀反射绝缘层，去除叠层结构的欧姆接触层上的反射绝缘层，留下叠层结构的侧壁和第一导电型半导体层上的欧姆接触层；
去除第三图形的光刻胶。
步骤205：在各个叠层结构的欧姆接触层上设置第二导电型电极，在第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，第二导电型电极和欧姆接触层中的至少一个中设有反射层。
图6e为步骤205执行之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。其中，44表示第二导电型电极，20表示第一导电型电极。如图6e所示，第二导电型电极44分别设置在各个叠层结构40的欧姆接触层上，第一导电型电极20设置在第一导电型半导体层10上。
具体地，该步骤205可以包括：
采用光刻技术在反射绝缘层上形成第四图形的光刻胶；
采用溅射技术或蒸发技术在第四图形的光刻胶、欧姆接触层和第一导电型半导体层上形成电极；
去除第四图形的光刻胶、以及第四图形的光刻胶上的电极，留下欧姆接触层上的电极
步骤206：去除衬底。
图6f为步骤206之后发光二极管芯片阵列的结构示意图。如图6f所示，衬底70从第一导电型半导体层10上去除。
具体地，该步骤206可以包括：
采用激光剥离技术或者湿法腐蚀技术去除衬底。
可选地，该制作方法还可以包括：
采用光刻技术在第一导电型半导体层上形成第五图形的光刻胶；
在第五图形的光刻胶的保护下，干法刻蚀第一导电型半导体层，形成多个凸块；
去除第五图形的光刻胶。
实施例三
本发明实施例提供了一种显示面板，图7为本实施例提供的显示面板的结构示意图，参见图7，该显示面板包括控制电路板100和发光二极管芯片阵列200。
在本实施例中，发光二极管芯片阵列200可以为实施例一提供的发光二极管芯片阵列。
具体地，如图7所示，发光二极管芯片阵列200包括第一导电型半导体层10、第一导电型电极20、反射绝缘层30和至少两个叠层结构40。第一导电型电极20和至少两个叠层结构40间隔设置在第一导电型半导体层10的第一表面上，每个叠层结构40包括依次层叠在第一导电型半导体层10的第一表面上的发光层41、第二导电型半导体层42、欧姆接触层43和第二导电型电极44，相邻两个叠层结构40之间设有从第二导电型电极44延伸至第一导电型半导体层10的凹槽50。第二导电型电极44和欧姆接触层43中的至少一个中设有反射层，反射绝缘层30从各个叠层结构40的欧姆接触层43铺设至第一导电型半导体层10。
在本实施例中，控制电路板100的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极110，至少三个固晶电极110分别与发光二极管芯片阵列200中的不同电极固定连接，发光二极管芯片阵列200中的电极包括第一导电型电极20和第二导电型电极44。
需要说明的是，固晶电极用于将发光二极管芯片阵列固定在控制电路板上，并对注入发光二极管芯片阵列的电极的电流进行控制。在具体实现时，各个固定电极之间的相对位置与发光二极管芯片阵列中各个电极之间的相对位置保持一致。
可选地，如图7所示，第一导电型半导体层10的第二表面上设有至少两个颜色转换结构300，至少两个颜色转换结构300与至少两个叠层结构40一一对应，第一导电型半导体层10的第二表面为与第一导电型半导体层10的第一表面相反的表面。颜色转换结构300投影到第一导电型半导体层10的第一表面上的区域包含颜色转换结构300对应的叠层结构40投影到第一导电型半导体层10的第一表面上的区域，相邻两个颜色转换结构300将同一波长的光线转换成不同的颜色。
本发明实施例通过设置不同的颜色转换结构，可以将各个芯片发出的单一波长的光线转换成不同的颜色，从而将单色光的显示面板变为全色的显示面板。而且整个过程中芯片只需要转移一次，可以减少芯片转移的次数，避免在多次转移芯片的过程中造成芯片位置出现偏差，增加产品良率。
在具体实现时，芯片发出的光线可以为紫光或者蓝光，颜色转换结构转换成的光线可以包括红光、绿光和蓝光。其中，如果芯片发出的光线为蓝光，且颜色转换结构转换成的光线为蓝光，则颜色转换结构可以采用透明材料形成。
具体地，当芯片发出的光线和颜色转换结构不同时，颜色转换结构可以采用荧光粉或者量子点形成。
实施例四
本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，适用于制作实施例三提供的显示面板。图8为本实施例提供的显示面板的制作方法的流程图，参见图8，该制作方法包括：
步骤401：在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层。
具体地，该步骤401可以与实施例二中的步骤201相同，在此不再详述。
步骤402：在第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层。
具体地，该步骤402可以与实施例二中的步骤202相同，在此不再详述。
步骤403：在各个叠层结构的第二导电型半导体层上形成欧姆接触层。
具体地，该步骤403可以与实施例二中的步骤203相同，在此不再详述。
步骤404：在从各个叠层结构的欧姆接触层延伸至第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层。
具体地，该步骤404可以与实施例二中的步骤204相同，在此不再详述。
步骤405：在各个叠层结构的欧姆接触层上设置第二导电型电极，在第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，第二导电型电极和欧姆接触层中的至少一个中设有反射层。
具体地，该步骤405可以与实施例二中的步骤205相同，在此不再详述。
图9a为上述步骤401～步骤405执行之后显示面板的结构示意图。其中，200表示发光二极管芯片阵列，10表示第一导电型半导体层，20表示第一导电型电极，30表示反射绝缘层，40表示叠层结构，41表示发光层，42表示第二导电型半导体层，43表示欧姆接触层，44表示第二导电型电极，50表示凹槽，70表示衬底。如图9a所示，第一导电型半导体层10设置在衬底70上，第一导电型电极20和至少两个叠层结构40间隔设置在第一导电型半导体层10上，每个叠层结构40包括依次层叠在第一导电型半导体层10上的发光层41、第二导电型半导体层42、欧姆接触层43和第二导电型电极44；相邻两个叠层结构40之间设有凹槽50，凹槽50从欧姆接触层43的边缘开始沿叠层结构40的侧面进行铺设直到第一导电型半导体层10；反射绝缘层30从各个叠层结构40的欧姆接触层43铺设至第一导电型半导体层10。
步骤406：将发光二极管芯片阵列中的各个电极分别与控制电路板上设置的不同固晶电极固定连接，发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。
图9b为上述步骤406执行之后显示面板的结构示意图。其中，100表示控制电路板，110表示固晶电极。如图9b所示，至少三个固晶电极110间隔设置在控制电路板上，发光二极管芯片阵列200中的电极分别固定连接在不同的固晶电极110上，发光二极管芯片阵列200中的电极包括第一导电型电极20和第二导电型电极44。
具体地，该步骤406可以包括：
采用金属键合技术将发光二极管芯片阵列中的各个电极分别与控制电路板上设置的不同固晶电极固定连接。
步骤407：去除衬底。
图9c为上述步骤407执行之后显示面板的结构示意图。如图9c所示，衬底70从第一导电型半导体层10上去除。
具体地，该步骤407可以与实施例二中的步骤206相同，在此不再详述。
可选地，该制作方法还可以包括：
在第一导电型半导体层的一个表面上设置至少两个颜色转换结构，至少两个颜色转换结构与至少两个叠层结构一一对应，第一导电型半导体层设置颜色转换结构的表面与第一导电型半导体层设置叠层结构的表面相反，颜色转换结构投影到第一导电型半导体层的第一表面上的区域包含颜色转换结构对应的叠层结构投影到第一导电型半导体层的第一表面上的区域，相邻两个颜色转换结构将同一波长的光线转换成不同的颜色。
图9d为上述步骤执行之后显示面板的结构示意图。其中，300表示颜色转换结构。如图9d所示，至少两个颜色转换结构300设置在第一导电型半导体层10上，至少两个颜色转换结构300与至少两个叠层结构40一一对应。
具体地，颜色转换结构可以采用荧光粉或者量子点形成。
在第一导电型半导体层的一个表面上设置至少两个颜色转换结构，可以包括：
通过粘胶剂将至少两个颜色转换结构固定在第一导电型半导体层上。
实施例五
本发明实施例提供了另一种发光二极管芯片阵列，本实施例提供的发光二极管芯片阵列与实施例一提供的发光二极管芯片阵列基本相同，不同之处在于，本实施例提供的发光二极管芯片阵列中没有欧姆接触层。
具体地，该发光二极管芯片包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构。第一导电型电极和至少两个叠层结构间隔设置在第一导电型半导体层的第一表面上，每个叠层结构包括依次层叠在第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层和第二导电型电极，相邻两个叠层结构之间设有从第二导电型电极延伸至第一导电型半导体层的凹槽。第二导电型电极中设有反射层，反射绝缘层从各个叠层结构的第二导电型半导体层铺设至第一导电型半导体层。
实施例六
本发明实施例提供了另一种发光二极管芯片阵列的制作方法，适用于制作实施例五提供的发光二极管芯片阵列，该制作方法包括：
步骤601：在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层。
具体地，该步骤601可以与实施例二中的步骤201相同，在此不再详述。
步骤602：在第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层。
具体地，该步骤602可以与实施例二中的步骤202相同，在此不再详述。
步骤603：在从各个叠层结构的第二导电型半导体层延伸至第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层。
具体地，该步骤603可以与实施例二中的步骤204类似，在此不再详述。
步骤604：在各个叠层结构的第二导电型半导体层上设置第二导电型电极，在第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，第二导电型电极中设有反射层。
具体地，该步骤604可以与实施例二中的步骤205相同，在此不再详述。
步骤605：去除衬底。
具体地，该步骤605可以与实施例二中的步骤206相同，在此不再详述。
实施例七
本发明实施例提供了另一种显示面板，本实施例提供的显示面板与实施例三提供的显示面板基本相同，不同之处在于，本实施例提供的显示面板中没有欧姆接触层。
在本实施例中，该显示面板包括控制电路板和发光二极管芯片阵列。本实施例中的发光二极管芯片阵列可以为实施例五提供的发光二极管芯片阵列。
具体地，发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构。第一导电型电极和至少两个叠层结构间隔设置在第一导电型半导体层的第一表面上，每个叠层结构包括依次层叠在第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层和第二导电型电极，相邻两个叠层结构之间设有从第二导电型电极延伸至第一导电型半导体层的凹槽。第二导电型电极中设有反射层，反射绝缘层从各个叠层结构的第二导电型半导体层铺设至第一导电型半导体层。
控制电路板的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极，至少三个固晶电极分别与发光二极管芯片阵列中的不同电极固定连接，发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。
实施例八
本发明实施例提供了另一种显示面板的制作方法，适用于制作实施例七提供的显示面板，该制作方法包括：
步骤801：在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层。
具体地，该步骤801可以与实施例六中的步骤601相同，在此不再详述。
步骤802：在第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层。
具体地，该步骤802可以与实施例六中的步骤802相同，在此不再详述。
步骤803：在从各个叠层结构的第二导电型半导体层延伸至第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层。
具体地，该步骤803可以与实施例六中的步骤603相同，在此不再详述。
步骤804：在各个叠层结构的第二导电型半导体层上设置第二导电型电极，在第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，第二导电型电极和欧姆接触层中的至少一个中设有反射层。
具体地，该步骤804可以与实施例六中的步骤604相同，在此不再详述。
步骤805：将发光二极管芯片阵列中的各个电极分别与控制电路板上设置的不同固晶电极固定连接，发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。
具体地，该步骤805可以与实施例四中的步骤406相同，在此不再详述。
步骤806：去除衬底。
具体地，该步骤806可以与实施例四中的步骤407相同，在此不再详述。
可选地，该制作方法还可以包括：
在第一导电型半导体层的一个表面上设置至少两个颜色转换结构，至少两个颜色转换结构与至少两个叠层结构一一对应，第一导电型半导体层设置颜色转换结构的表面与第一导电型半导体层设置叠层结构的表面相反，颜色转换结构投影到第一导电型半导体层的第一表面上的区域包含颜色转换结构对应的叠层结构投影到第一导电型半导体层的第一表面上的区域，相邻两个颜色转换结构将同一波长的光线转换成不同的颜色。
具体地，上述步骤可以与实施例四中的在第一导电型半导体层的一个表面上设置至少两个颜色转换结构相同，在此不再详述。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。