一种集成阵列式汽车大灯led芯片的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用型新设及忍片制造领域，特别设及一种集成阵列式汽车大灯L邸忍片。
【背景技术】
[0002] L抓作为一种新型的光源，具有节能、环保、寿命长、可靠性高等特点，已被广泛应 用于各种领域，例如，在汽车领域中，越来越多的厂家采用LED作为汽车灯的光源，将LED忍 片应用于汽车灯时，由于单颗L邸忍片功率小，不能达到汽车灯的照明要求，通常的做法:将 多颗Lm)忍片集成封装在COB光源支架上做成COB光源，再将COB光源安装在Lm)汽车灯的灯 柱上。
[0003] 目前的汽车大灯Lm)忍片结构中，均是采用若干单颗忍粒粘贴在IC基板上进而串 联成一个36V的微灯带，然后分别在大灯的不同区域配置相应数量的微灯带，W便形成汽车 大灯所需的各功能Lm)灯。其缺点在于:该结构从忍粒制作至大灯成品，整个制作工序繁琐， 效率低，且定位时精度要求高，不良率较大。
[0004] 实用型新内容
[0005] 本实用型新要解决的技术问题是提供一种提高忍片制作效率和不良率的集成阵 列式汽车大灯LH)忍片。
[0006] 为解决上述技术问题，本实用型新的技术方案为:一种集成阵列式汽车大灯L邸忍 片，其创新点在于:包括一IC印刷电路基板，该IC印刷电路基板自左向右依次划分为左转 区、远近光区和右转区，远近光区分为上远光区和下近光区；所述左转区、上远光区、下近光 区和右转区分别具有一个独立的且可与多个单颗忍粒连接实现串联的区域串联电路;一单 晶片，该单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子阱层、外延P型GaN层、ITO导电层、银反 射镜层、P电极和N电极，所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长外延N型GaN层、量子阱层和 外延P型GaN层，所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸锻有ITO导电层和银反射镜层； 所述单晶片上刻蚀有若干道自银反射镜层向下延伸至蓝宝石衬底上表面的隔离槽，所述各 隔离槽将单晶片分隔成若干个独立的单颗忍粒，并在各单颗忍粒的银反射镜层上蒸锻P电 极，在各单颗忍粒的忍粒边缘刻蚀有一从银反射镜层自上而下依次延伸至外延N型GaN层的 电极槽，在电极槽内蒸锻与P电极齐平的N电极;所述单晶片倒装在IC印刷电路基板表面，且 各单个忍粒分别对应贴合在IC印刷电路基板上的各区域串联电路中。
[0007] 优选的，所述IC印刷电路基板的左转区印刷有一个左转区域串联电路，该左转区 域串联电路具有6X2个呈矩阵排列的忍片正负极引脚;右转区印刷有一个右转区域串联电 路，该右转区域串联电路具有6X2个呈矩阵排列的忍片正负极引脚;上远光区印刷有一个 上远光区域串联电路，该上远光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列的忍片正负极引脚； 下近光区印刷有一个下近光区域串联电路，该下近光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列 的忍片正负极引脚;所述各隔离槽将忍片分隔成48个互不导通的单颗忍粒，且各单颗忍粒 的P电极、N电极分布分别对应左转区域串联电路、右转区域串联电路、上远光区域串联电路 和下近光区域串联电路的忍片正负极引脚。
[000引优选的，所述单颗忍粒的电压为3V，电流为350mA。
[0009] 本实用型新的优点在于：
[0010] 本实用型新的汽车大灯Lm)忍片采用集成阵列式布局，其采用一个整片的蓝宝石 衬底上生长外延层，并通过蚀刻出的隔离槽将其分隔成多个单颗忍粒；同时，利用IC印刷电 路基板自带的多区域串联电路与单晶片的各忍粒贴合，直接将整个单晶片制成具有多个独 立Lm)发光模组的忍片;本实用型新中的结构在进行印刷电路与忍粒的贴合时无需裂片，效 率高且不易错位，良品率得到大幅提升，用户在后期使用维护中可直接整个更换，维护更加 方便快捷。
【附图说明】
[0011] 下面结合附图和【具体实施方式】对本实用型新作进一步详细的说明。
[0012] 图1是本实用型新集成阵列式汽车大灯L邸忍片中IC印刷电路基板的结构示意图。
[0013] 图2是本实用型新集成阵列式汽车大灯L邸忍片中单晶片的结构示意图。
[0014] 图3是图2中各颗忍粒在单晶片上的排列图。
【具体实施方式】
[0015] 下面的实施例可W使本专业的技术人员更全面地理解本实用型新，但并不因此将 本实用型新限制在所述的实施例范围之中。 实施例
[0016] 本实施例集成阵列式汽车大灯L邸忍片，包括一 IC印刷电路基板和一单晶片。
[0017] 如图1所示，IC印刷电路基板自左向右依次划分为左转区1、远近光区和右转区4， 远近光区分为上远光区2和下近光区3;
[0018] IC印刷电路基板的左转区1印刷有一个左转区域串联电路，该左转区域串联电路 具有6X2个呈矩阵排列的忍片正负极引脚;右转区4印刷有一个右转区域串联电路，该右转 区域串联电路具有6X2个呈矩阵排列的忍片正负极引脚;上远光区2印刷有一个上远光区 域串联电路，该上远光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列的忍片正负极引脚;下近光区3 印刷有一个下近光区域串联电路，该下近光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列的忍片正 负极引脚。
[0019]如图2所示，单晶片包括蓝宝石衬底5、外延N型GaN层6、量子阱层7、外延P型GaN层 8、IT0导电层9、银反射镜层10、P电极11和N电极12;
[0020] 蓝宝石衬底5表面自下而上依次生长外延N型GaN层6、量子阱层7和外延P型GaN层 8,外延P型GaN层8的上表面自下而上依次蒸锻有ITO导电层9和银反射镜层10;单晶片上刻 蚀有若干道自银反射镜层10向下延伸至蓝宝石衬底5上表面的隔离槽13,各隔离槽13将单 晶片分隔成48个互不导通的0.5mmX Imm的单颗忍粒，单颗忍粒的电压为3V，电流为350mA， 并在各单颗忍粒的银反射镜层10上蒸锻P电极11，在各单颗忍粒的忍粒边缘刻蚀有一从银 反射镜层自上而下依次延伸至外延N型GaN层6的电极槽，在电极槽内蒸锻与P电极11齐平的 N电极12。
[0021] 各单颗忍粒的P电极11、N电极12分布分别对应左转区域串联电路、右转区域串联 电路、上远光区域串联电路和下近光区域串联电路的忍片正负极引脚。具体的，48个单颗忍 粒为6排，且每排8颗，成矩形阵列分布，其中，每排的前2列与左转区域串联电路的6X2个忍 片正负极引脚一一对应，后2列与右转区域串联电路的6X2个忍片正负极引脚一一对应，中 间4列的上3排与上远光区域串联电路的3X4个忍片正负极引脚一一对应，下3排与下远光 区域串联电路的3X4个忍片正负极引脚一一对应。
[0022] 单晶片倒装在IC印刷电路基板表面，且各单个忍粒分别对应贴合在IC印刷电路基 板上的各区域串联电路中。
[0023] 本实施例的汽车大灯Lm)忍片采用集成阵列式布局，其采用一个整片的蓝宝石衬 底上生长外延层，并通过蚀刻出的隔离槽将其分隔成多个单颗忍粒；同时，利用IC印刷电路 基板自带的多区域串联电路与单晶片的各忍粒贴合，直接将整个单晶片制成具有多个独立 L邸发光模组的忍片。
[0024] 下表是本实施例集成阵列式汽车大灯Lm)忍片与传统结构制作过程中良品率的对 比：
[0026] 本实施例的结构在进行印刷电路与忍粒的贴合时无需裂片，效率高且不易错位， 良品率得到大幅提升，用户在后期使用维护中可直接整个更换，维护更加方便快捷。
[0027] W上显示和描述了本实用型新的基本原理和主要特征W及本实用型新的优点。本 行业的技术人员应该了解，本实用型新不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描 述的只是说明本实用型新的原理，在不脱离本实用型新精神和范围的前提下，本实用型新 还会有各种变化和改进，运些变化和改进都落入要求保护的本实用型新范围内。本实用型 新要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1. 一种集成阵列式汽车大灯LED芯片，其特征在于:包括 一IC印刷电路基板，该IC印刷电路基板自左向右依次划分为左转区、远近光区和右转 区，远近光区分为上远光区和下近光区；所述左转区、上远光区、下近光区和右转区分别具 有一个独立的且可与多个单颗芯粒连接实现串联的区域串联电路； 一单晶片，该单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子讲层、外延P型GaN层、ITO导 电层、银反射镜层、P电极和N电极，所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长外延N型GaN层、 量子讲层和外延P型GaN层，所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸镀有ITO导电层和 银反射镜层;所述单晶片上刻蚀有若干道自银反射镜层向下延伸至蓝宝石衬底上表面的隔 离槽，所述各隔离槽将单晶片分隔成若干个独立的单颗芯粒，并在各单颗芯粒的银反射镜 层上蒸镀P电极，在各单颗芯粒的芯粒边缘刻蚀有一从银反射镜层自上而下依次延伸至外 延N型GaN层的电极槽，在电极槽内蒸镀与P电极齐平的N电极； 所述单晶片倒装在1C印刷电路基板表面，且各单个芯粒分别对应贴合在1C印刷电路基 板上的各区域串联电路中。2. 根据权利要求1所述的集成阵列式汽车大灯LED芯片，其特征在于： 所述1C印刷电路基板的左转区印刷有一个左转区域串联电路，该左转区域串联电路具 有6X2个呈矩阵排列的芯片正负极引脚;右转区印刷有一个右转区域串联电路，该右转区 域串联电路具有6X2个呈矩阵排列的芯片正负极引脚;上远光区印刷有一个上远光区域串 联电路，该上远光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列的芯片正负极引脚;下近光区印刷 有一个下近光区域串联电路，该下近光区域串联电路具有3X4个呈矩阵排列的芯片正负极 引脚； 所述各隔离槽将芯片分隔成48个互不导通的单颗芯粒，且各单颗芯粒的P电极、N电极 分布分别对应左转区域串联电路、右转区域串联电路、上远光区域串联电路和下近光区域 串联电路的芯片正负极引脚。3. 根据权利要求1或2所述的集成阵列式汽车大灯LED芯片，其特征在于:所述单颗芯粒 的电压为3V，电流为350mA。
【专利摘要】本实用新型涉及一种集成阵列式汽车大灯LED芯片，包括IC印刷电路基板和单晶片，IC印刷电路基板划分为左转区、上远光区、下近光区和右转区，各区域分别具有一个独立的且可与多个单颗芯粒连接实现串联的区域串联电路；单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子阱层、外延P型GaN层、ITO导电层、银反射镜层、P电极和N电极，且单晶片上刻蚀有若干道将单晶片分隔成若干个独立的单颗芯粒的隔离槽；所述单晶片倒装在IC印刷电路基板表面。本实用新型的优点在于：本实用新型中的结构在进行印刷电路与芯粒的贴合时无需裂片，效率高且不易错位，良品率得到大幅提升，用户在后期使用维护中可直接整个更换，维护更加方便快捷。
【IPC分类】H01L27/15, H01L33/62
【公开号】CN205140984
【申请号】CN201520921398
【发明人】张伟, 孙智江, 贾辰宇, 夏健, 沙东升
【申请人】海迪科（南通）光电科技有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月18日