技术总结
本实用新型涉及单晶硅片技术领域，尤其是一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片，包括单晶硅层，所述单晶硅层的底面设有导电杂质扩散层，所述导电杂质扩散层的底面设有二氧化碳钝化层，所述单晶硅层的上表面设有开设有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的上表面设有多个单晶硅凸块，所述单晶硅凸块的上表面还铺设有吸光膜，所述吸光膜的上表面设有透明防护罩，所述单晶硅层的四周边沿设有橡胶层，且橡胶层的顶端与单晶硅凸块处于同一水平直线，橡胶层的底端与二氧化碳钝化层处于同一水平直线。本实用新型结构简单、使用方便，不仅可以减少单晶硅片自身的反光效率，还能使得自身具有一定的防护性，从而提高单晶硅片的使用寿命。
技术研发人员：周士杰;陈圣铁
受保护的技术使用者：温州隆润科技有限公司
文档号码：201720142142
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2017.08.25