1.一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：包括半导体衬底，该半导体衬底靠近顶面处分别设有栅极电极、射极电极及集电极电极，该半导体衬底上分别配置有与所述栅极电极、射极电极及集电极电极匹配的栅极电极区域、射极电极区域及集电极电极区域，其中所述栅极电极通过一导电线分别与一导电片及一输送电路板电连接，所述导电片及输送电路板并联在所述栅极电极基脚上，所述输送电路板上设有数个基点，所述基点均匀布设在所述输送电路板上，所述导电片底面通过一排线与一外延层连接，所述外延层上设有触点，该触点不止一个，该触点均沿所述外延层水平面布设，所述外延层底面设有埋氧层，所述埋氧层上布设有数个焊点，所述埋氧层及所述外延层均形成于所述半导体衬底上，所述埋氧层底面设有防静电板，该防静电板通过一体注塑方式与所述埋氧层连接，该防静电板底面设有耐磨板材结构层，所述耐磨板材结构层密封连接在所述防静电板上。
2.根据权利要求1所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述栅极电极区域、射极电极区域及集电极电极区域上均分别开设有与所述栅极电极、射极电极及集电极电极匹配的沟槽。
3.根据权利要求2所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述沟槽内壁设有绝缘膜层，该绝缘膜层嵌入设置在所述沟槽上。
4.根据权利要求1所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述耐磨板材结构层厚度大于所述防静电板厚度。
5.根据权利要求1所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述防静电板与所述耐磨板材结构层之间填充有防水膜片，该防水膜片分别与所述防静电板及所述耐磨板材结构层粘接。
6.根据权利要求1所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述排线穿设在一排线管内。
7.根据权利要求1所述的一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，其特征在于：所述导电片外侧包覆有与其匹配的绝缘套管。