技术总结
本实用新型提出了一种用于高压配电盒的IGBT模块结构，用以解决通断状态慢、通断时易产生电弧、功耗高及散热性差的问题，包括半导体衬底，该半导体衬底靠近顶面处分别设有栅极电极、射极电极及集电极电极，该半导体衬底上分别配置有与所述栅极电极、射极电极及集电极电极匹配的栅极电极区域、射极电极区域及集电极电极区域，其中所述栅极电极通过一导电线分别与一导电片及一输送电路板电连接，所述导电片及输送电路板并联在所述栅极电极基脚上，所述输送电路板上设有数个基点，所述基点均匀布设在所述输送电路板上，所述导电片底面通过一排线与一外延层连接。
技术研发人员：辛世国;王艳雄
受保护的技术使用者：深圳市南瑞华腾新能源有限公司
文档号码：201720488272
技术研发日：2017.05.04
技术公布日：2018.02.06