一种银铜复合带的制作方法

文档序号:14898561发布日期:2018-07-10 15:23阅读:1053来源:国知局

本实用新型涉及熔断器用熔体材料技术领域,具体涉及一种银铜复合带。



背景技术:

银具有导电性能优良、抗氧化能力强、耐腐蚀性能好等优点,是制造高端熔断器的理想熔体。目前,常用的熔断片是纯银带冲剪成,成本较高。为了降低成本,市场上广泛应用银铜复合带。现有技术中记载有一种侧向复合铜银铜薄带,其特征在于纯银熔体两侧有铜层,但交变电流通过导体时会产生“集肤效应”交变电流通过导体时,由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀,愈近导体表面电流密度越大,导体表面的电流较中心区域电流大,铜的电导率与银相差较大,且铜的抗氧化性较差,长期使用影响导电稳定性。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为解决上述技术问题,提供一种银铜复合带,低成本且导电稳定性好。

本实用新型为解决上述技术问题,所提供的技术方案是:一种银铜复合带,所述银铜复合带的厚度为0.1~0.3mm,宽度为2.9~4.0mm,并且银铜复合带的宽厚比小于30:1,银铜复合带由组合内芯以及覆盖在组合内芯表面的镀银层组成,镀银层的厚度为0.02~0.08mm,所述组合内芯包括纯银部和无氧铜部,无氧铜部分布在纯银部的两侧,纯银部的宽度为银铜复合带宽度的1/4,无氧铜部的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽。

作为本实用新型一种银铜复合带的进一步优化:所述无氧铜部边缘的半圆形凹槽直径为0.5~2.0mm。

作为本实用新型一种银铜复合带的进一步优化:所述银铜复合带的厚度为0.2mm,宽度为3.0mm,镀银层的厚度为0.05mm,纯银部的宽度为0.75 mm,无氧铜部边缘的半圆形凹槽直径为0.8 mm。

有益效果

一、本实用新型的银铜复合带能够替代纯银带作熔体材料使用,与传统的纯银带相比,可节约贵金属60%以上,大大降低了产品的成本,具有很好的经济效益和巨大的社会效益;

二、本实用新型的银铜复合带,中间纯银部宽度均匀,精度较高,保证了电导率的一致性,并且,在无氧铜部的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,能够抑制交变电流通过导体时“集肤效应”的产生,使导体截面上电流分布均匀,导电稳定性好。

附图说明

图1为本实用新型银铜复合带的横截面结构示意图;

图2为本实用新型银铜复合带的纵剖面结构示意图;

图中标记:1、镀银层,2、组合内芯,201、纯银部,202、无氧铜部。

具体实施方式

下面结合附图及较佳实施例详细说明本实用新型的具体实施方式。

实施例1

如图1和2所示:一种银铜复合带,所述银铜复合带的厚度为0.2mm,宽度为3.0mm,银铜复合带由组合内芯2以及覆盖在组合内芯2表面的镀银层1组成,镀银层1的厚度为0.05mm,所述组合内芯2包括纯银部201和无氧铜部202,无氧铜部202分布在纯银部201的两侧,纯银部201的宽度为银铜复合带宽度的1/4,无氧铜部202的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,半圆形凹槽直径为0.8mm。本实施例的银铜复合带能够替代纯银带作熔体材料使用,与传统的纯银带相比,可节约贵金属60%以上,大大降低了产品的成本,并且,在无氧铜部的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,能够抑制交变电流通过导体时“集肤效应”的产生,使导体截面上电流分布均匀,导电稳定性好。

实施例2

一种银铜复合带,所述银铜复合带的厚度为0.1mm,宽度为2.0mm,银铜复合带由组合内芯2以及覆盖在组合内芯2表面的镀银层1组成,镀银层1的厚度为0.02mm,所述组合内芯2包括纯银部201和无氧铜部202,无氧铜部202分布在纯银部201的两侧,纯银部201的宽度为银铜复合带宽度的1/4,无氧铜部202的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,半圆形凹槽直径为0.5mm。本实施例的银铜复合带能够替代纯银带作熔体材料使用,与传统的纯银带相比,可节约贵金属60%以上,大大降低了产品的成本,并且,在无氧铜部的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,能够抑制交变电流通过导体时“集肤效应”的产生,使导体截面上电流分布均匀,导电稳定性好。

实施例3

一种银铜复合带,所述银铜复合带的厚度为0.3mm,宽度为4.0mm,银铜复合带由组合内芯2以及覆盖在组合内芯2表面的镀银层1组成,镀银层1的厚度为0.08mm,所述组合内芯2包括纯银部201和无氧铜部202,无氧铜部202分布在纯银部201的两侧,纯银部201的宽度为银铜复合带宽度的1/4,无氧铜部202的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,半圆形凹槽直径为2.0mm。本实施例的银铜复合带能够替代纯银带作熔体材料使用,与传统的纯银带相比,可节约贵金属60%以上,大大降低了产品的成本,并且,在无氧铜部的两侧边缘沿其长度方向均匀分布有多个半圆形凹槽,能够抑制交变电流通过导体时“集肤效应”的产生,使导体截面上电流分布均匀,导电稳定性好。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

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