发光器件组件、其制造方法以及显示装置与流程

本公开涉及发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及显示装置。

背景技术

尽管已经开发了将大量的精细电子零件安装在安装基板上的各种方法，然而，其中一种是所谓的转移法(例如，参见日本专利申请特开号2011-233733)。在专利文献公开的该转移方法中，籽晶金属形成在布线基板上，将发光器件临时固定至布线基板使得发光器件的电极垫片未电连接至籽晶金属并且定位在籽晶金属上方，使用籽晶金属作为电源层执行电解电镀，并且使用通过电解电镀生长的电镀层将电极垫片接合至籽晶金属，以固定发光器件。此处，使用树脂将发光器件临时固定至布线基板。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开号2011-233733

技术实现要素：

技术问题

尽管上述专利文献中公开的技术是极好的安装技术，然而，因为残留有用于将发光器件临时固定至布线基板的树脂，所以当长时间使用发光器件时，存在用于临时固定的树脂发生剥落的可能性。

因此，本公开的目标在于提供一种具有这样的配置和结构的发光器件组件，即，当长时间使用发光器件时，不会引起用于临时固定的树脂发生剥落的问题，并且本公开的目标还在于提供一种制造发光器件组件的方法、以及包括该发光器件组件的显示装置。

问题的技术方案

为了实现上述所述目标，根据本公开的第一方面的发光器件组件包括：

发光器件，包括：

发光层；

第一电极；以及

第二电极，电连接至发光层；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

加宽部分，设置在分离部的第一连接部侧；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠。

为了实现上述所述目标，根据本公开的第二方面的发光器件组件包括：

发光器件，包括：

发光层；

第一电极；以及

第二电极，电连接至发光层；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

在发光器件的一部分及其附近设置连通单元(出于方便，在一些情况中，称之为“第一连通单元”)，其中，第一电极的第二部分设置在该部分，第一电极的第二部分经由连通单元与外部连通。

为了实现上述所述目标，根据本公开的显示装置包括布置成二维矩阵状的根据本公开的第一或第二方面的发光器件组件。

为了实现上述所述目标，制造根据本公开的第一方面的发光器件组件的方法是制造以下的发光器件组件的方法，该发光器件组件包括：

发光器件，包括发光层、第一电极、以及电连接至发光层的第二电极；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

加宽部分，设置于分离部的第一连接部侧；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，该方法至少包括：

经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层将发光器件设置在基体上，使得第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，第一电极的第二部分面向第一连接部，并且发光器件覆盖分离部；然后，

从基体的与设置有发光器件的一侧相对的一侧将能量射线应用于基体，以固化未被第一连接部和第二连接部遮挡的粘合层的一部分，并且然后，去除未固化或半固化的粘合层的部分；然后，

将第一电极的第二部分与第一连接部相互连接；并且然后，

经由分离部去除固化的粘合层。

为了实现上述所述目标，制造根据本公开的第二方面的发光器件组件的方法是制造这样的发光器件组件的方法，该发光器件组件包括：

发光器件，包括发光层、第一电极、以及电连接至发光层的第二电极；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

在发光器件的设置有第一电极的第二部分的部分及其附近设置连通单元(第一连通单元)，第一电极的第二部分经由连通单元与外部连通，方法至少包括：

经由未固化或半固化的能量射线可固化的粘合层将发光器件设置在基体上，使得第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，第一电极的第二部分面向第一连接部，并且发光器件覆盖分离部；然后，

从基体的与设置有发光器件的一侧相对的一侧将能量射线应用于基体，以固化未被第一连接部和第二连接部遮挡的粘合层的一部分，并且然后，去除未固化或半固化的粘合层的部分；然后，

将第一电极的第二部分与第一连接部相互连接；并且然后，

经由分离部去除固化的粘合层。

发明的有利效果

在根据本公开的第一或第二方面的发光器件组件或包括根据本公开的第一或第二方面的发光器件组件的根据本公开的显示装置中，第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体。具体地，分离部中未残留用于临时固定的任何树脂。因此，当长时间使用发光器件时，不会引起用于临时固定的树脂发生剥落的问题。此外，在制造根据本公开的第一或第二方面的发光器件组件的方法中，因为最后经由分离部去除固化的粘合层的部分(与用于临时固定的树脂对应)，所以当长时间使用发光器件时，不会引起用于临时固定的树脂发生剥落的问题。应注意，此处描述的效果仅是示例并且不受限制，并且可以提供附加的效果。

附图说明

[图1]图1a是实施方式1中的发光器件组件的示意性局部平面图，并且图1b是构成实施方式1中的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。

[图2]图2a和图2b分别是沿着图1a中的箭头a-a和箭头b-b截取的实施方式1中的发光器件组件的示意性局部端视图。

[图3]图3a、图3b、以及图3c分别是沿着图1b中的箭头a-a、箭头b-b、以及箭头c-c截取的构成实施方式1中的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

[图4]图4是实施方式1中的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图。

[图5]图5a和图5b分别是沿着图4中的箭头a-a和箭头b-b截取的实施方式1中的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图。

[图6]图6a是实施方式2中的发光器件组件的示意性局部平面图，并且图6b是构成实施方式2中的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。

[图7]图7a和图7b分别是沿着图6a中的箭头a-a和箭头b-b截取的实施方式2中的发光器件组件的示意性局部端视图。

[图8]图8a、图8b、以及图8c分别是沿着图6b中的箭头a-a、箭头b-b、以及箭头c-c截取的构成实施方式2中的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

[图9]图9是实施方式2中的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图。

[图10]图10是实施方式3中的发光器件组件的示意性局部平面图。

[图11]图11a是沿着图10中的箭头a-a截取的实施方式3中的发光器件组件的示意性局部端视图，并且图11b是沿着图10中的箭头b-b截取的实施方式3中的发光器件组件的示意性局部端视图。

[图12]图12是构成实施方式3中的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。

[图13]图13a和图13b分别是沿着图12中的箭头a-a和箭头b-b截取的构成实施方式3中的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

[图14]图14是实施方式3中的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图。

[图15]图15a是沿着图14中的箭头a-a截取的实施方式3中的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图，并且图15b是沿着图14中的箭头b-b截取的实施方式3中的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图。

[图16]图16是实施方式3中的发光器件组件的不同变形例的示意性局部平面图。

[图17]图17a是沿着图16中的箭头a-a截取的实施方式3中的发光器件组件的不同变形例的示意性局部平面图，并且图17b是沿着图16中的箭头b-b截取的实施方式3中的发光器件组件的不同变形例的示意性局部端视图。

[图18]图18是实施方式4中的发光器件组件的示意性局部平面图。

[图19]图19a是沿着图18中的箭头a-a截取的实施方式4中的发光器件组件的示意性局部平面图，并且图19b是沿着图18中的箭头b-b截取的实施方式4中的发光器件组件的示意性局部端视图。

[图20]图20是构成实施方式4中的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。

[图21]图21a和图21b分别是沿着图20中的箭头a-a和箭头b-b截取的构成实施方式4中的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

[图22]图22a和图22b各自是用于描述制造实施方式1中的发光器件组件的方法的发光器件等的示意性局部端视图。

[图23]图23a和图23b各自是用于描述制造实施方式1中的发光器件组件的方法的在图22a和图22b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图24]图24a和图24b各自是用于描述制造实施方式1中的发光器件组件的方法的在图23a和图23b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图25]图25a和图25b各自是用于描述制造实施方式1中的发光器件组件的方法的在图24a和图24b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图26]图26a和图26b各自是用于描述制造实施方式2中的发光器件组件的方法的发光器件等的示意性局部端视图。

[图27]图27a和图27b各自是用于描述制造实施方式2中的发光器件组件的方法的在图26a和图26b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图28]图28a和图28b各自是用于描述制造实施方式2中的发光器件组件的方法的在图27a和图27b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图29]图29a和图29b各自是用于描述制造实施方式2中的发光器件组件的方法的在图28a和图28b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图30]图30a和图30b各自是用于描述制造实施方式3中的发光器件组件的方法的发光器件等的示意性局部端视图。

[图31]图31a和图31b各自是用于描述制造实施方式3中的发光器件组件的方法的在图30a和图30b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图32]图32a和图32b各自是图31a和图31b之后、用于描述制造实施方式3中的发光器件组件的方法的发光器件等的示意性局部端视图。

[图33]图33a和图33b各自是用于描述制造实施方式3中的发光器件组件的方法的在图32a和图32b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图34]图34a和图34b各自是用于描述制造实施方式4中的发光器件组件的方法的发光器件等的示意性局部端视图。

[图35]图35a和图35b各自是用于描述制造实施方式4中的发光器件组件的方法的在图34a和图34b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图36]图36a和图36b各自是用于描述制造实施方式4中的发光器件组件的方法的在图35a和图35b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图37]图37a和图37b各自是用于描述制造实施方式4中的发光器件组件的方法的在图36a和图36b之后的发光器件等的示意性局部端视图。

[图38]图38a是构成实施方式1中的发光器件组件的发光器件的变形例的示意性局部端视图，并且图38b是构成实施方式2中的发光器件组件的发光器件的变形例的示意性局部端视图，图38a和图38b示出了形成有遮光膜的发光器件。

[图39]图39是实施方式1中的发光器件组件的另一变形例的示意性局部平面图。

[图40]图40是实施方式1中的发光器件组件的又一变形例的示意性局部平面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图基于实施方式描述本公开。本公开并不局限于实施方式，并且实施方式中的各个数字值或材料是实例。应注意，将按照下列顺序给出描述。

1.关于根据本公开的第一方面和第二方面的发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及根据本公开的显示装置的概述

2.实施方式1(根据本公开的第一方面的发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及根据本公开的显示装置)

3.实施方式2(实施方式1的替代方式)

4.实施方式3(根据本公开的第二方面的发光器件组件、制造发光器件组件的方法)

5.实施方式4(实施方式3的替代方式)

6.实施方式5(实施方式1至实施方式4的替代方式、安装发光器件的方法)

7.其他

(关于根据本公开的第一方面和第二方面的发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及根据本公开的显示装置的概述)

根据本公开的第一方面的发光器件组件、通过制造根据本公开的第一方面的发光器件组件的方法制造的发光器件组件、以及在根据本公开的显示装置中设置的根据本公开的第一方面的发光器件组件下面将被统一称之为“根据本公开的第一方面的发光器件组件等”。进一步地，根据本公开的第二方面的发光器件组件、通过制造根据本公开的第二方面的发光器件组件的方法制造的发光器件组件、以及设置在根据本公开的显示装置中的根据本公开的第二方面的发光器件组件下面将被统一称之为“根据本公开的第二方面的发光器件组件等”。

在根据本公开的第一方面的发光器件组件等中，第一连接部可以通过加宽部分被分割成两个区域。进一步地，在这种情况下，

分离部与加宽部分的整体平面形状可以是“t”形状；

“t”形状的水平条可以构成分离部，分离部将第一连接部与第二连接部彼此隔开；并且

“t”形状的竖直条可以构成将第一连接部割成两个区域的加宽部分。应注意，分离部的宽度可以比加宽部分的宽度更宽/相同/更窄。即，“t”形状的水平条的厚度可以比“t”形状的竖直条的厚度更厚/相同/更薄。

在包括上述所述有利配置的根据本公开的第一方面的发光器件组件等中，第一电极的第二部分可以从第一部分开始延伸并且在朝向第一连接部突出的同时包围第一部分。

进一步地，在包括上述所述各种有利配置的根据本公开的第一方面的发光器件组件等中，第一电极与第二电极可以相对于发光层设置在同一侧。进一步地，在这种情况下，连通单元(在一些情况下，被称之为“第二连通单元”)可以设置在发光器件的设置有第二电极的部分及其附近，第二电极经由连通单元与外部连通。

可替代地，如果由l11表示第一电极的第二部分与基体之间的间隙的最短距离并且由l12表示第二电极与基体之间的间隙的最短距离，则满足l11<l12的关系。

进一步地，在这些配置中，第一电极的第二部分与第一连接部可以经由第一导电单元相互连接；并且第二电极与第二连接部可以经由第二导电单元相互连接。

可替代地，在包括上述所述各种有利配置的根据本公开的第一方面的发光器件组件等中，

第二电极可以相对于发光层设置在第一电极的相对侧；并且

第二电极与第二连接部可以经由导体层相互连接。

进一步地，在这种情况下，第二连接部中可以包括不与发光器件重叠的导体层的一部分相对于第二连接部的正交投影图像。

可替代地，面向加宽部分的第二加宽部分可以设置在分离部的第二连接部侧；并且

第二连接部可以被第二加宽部分分割成至少两个区域。因为第二连接部中包括了不与发光器件重叠的导体层的一部分相对于第二连接部的正交投影图像，所以即使当从发光器件发出的光被导体层反射时，被反射的光也不能到达基体。因此，可以防止基体由于从发光器件发出的光而发生劣化。

在根据本公开的第二方面的发光器件组件等中，第一连接部不一定需要设置在基体的面向第一电极的至少一部分的一部分中。

进一步地，在包括上述所述有利配置的根据本公开的第二方面的发光器件组件等中，第一电极可第二电极可以相对于发光层设置在同一侧。进一步地，在这种情况下，第二连通单元可以设置在发光器件的设置有第二电极的一部分及其附近，第二电极经由第二连通单元与外部连通。进一步地，在这种情况下，第一电极的第二部分与第一连接部可以经由第一导电单元相互连接，并且第二电极与第二连接部可以经由第二导电单元相互连接。

可替代地，在包括上述所述有利配置的根据本公开的第二方面的发光器件组件等中，

第二电极可以相对于发光层设置在第一电极的相对侧；并且

第二电极与第二连接部可以经由导体层相互连接。在这种情况下，第二连接部中可以包括不与发光器件重叠的导体层的一部分相对于第二连接部的正交投影图像。通过采用该配置，即使从发光器件发出的光被导体层反射，被反射的光也不能到达基体，并且可以防止基体由于从发光器件发出的光而发生劣化。

进一步地，在包括上述所述各种有利配置的根据本公开的第一和第二方面的发光器件组件等(在下文中，在一些情况下，被统一称之为“根据本公开的发光器件组件等”)中，第二电极电连接至第二连接部。然而，如上所述，第二电极与第二连接部可以经由第二导电单元相互连接。可替代地，第二电极与第二连接部可以经由导体层相互连接。连接第一电极的第二部分与第一连接部的第一导电单元以及连接第二电极与第二连接部的第二导电单元各自可以包括电镀层。然而，本公开并不局限于此，并且其各自可以包括例如焊料球或焊料凸起。即，连接第一电极的第二部分与第一连接部的方法的实例包括电镀方法。然而，本公开并不局限于此，并且可以采用使用焊料球或焊料凸起的方法。导体层可以包括电镀层。然而，本公开并不局限于此，并且其可以通过例如所谓的引线接合法来构成。即，形成导体层的方法的实例包括电镀方法。然而，本公开并不局限于此，并且可以采用使用所谓的引线接合的方法。导体层不与发光器件的各部分接触、而与第二电极接触。形成能量射线可固化粘合层的粘合(树脂)材料的实例包括熟知的紫外线可固化粘合剂(树脂)，并且能量射线的实例包括适合于固化所使用的粘合剂的紫外线射线。然而，本公开并不局限于此。为了去除分离部等上的未固化或半固化的粘合层或固化的粘合层，例如，可以根据所使用的粘合剂选择适当的溶剂，并且这些粘合层可以溶解在溶剂中。应注意，“半固化”指未被完全固化的状态。

在根据本公开的发光器件组件等中，发光器件可以包括发光二极管(led)。然而，本公开并不局限于此，并且其可以包括半导体激光器件等。在发光器件包括发光二极管或半导体激光器件的情况下，发光器件的尺寸(例如，芯片尺寸)不受具体限制，但是，通常较小，具体地，例如，不大于1mm，不大于0.3mm、或者不大于0.1mm，更具体地，不大于0.03mm。形成发射红光的红色发光器件、发射绿光的绿色发光器件、以及发射蓝光的蓝色发光器件中的每个的发光层的材料的实例包括使用iii-v化合物半导体的一种材料。进一步地，形成红色发光器件的发光层的材料的示例包括使用基于algainp的化合物半导体的一种材料。iii-v化合物半导体的实例包括基于gan的化合物半导体(包括algan混合晶体、algainn混合晶体、以及gainn混合晶体)、基于gainnas的化合物半导体(包括gainas混合晶体和ganas混合晶体)、基于algainp的化合物、基于alas的化合物半导体、基于algainas的化合物半导体、基于algaas的化合物半导体、基于gainas的化合物半导体、基于gainasp的化合物半导体、基于gainp的化合物半导体、基于gap的化合物半导体、基于inp的化合物半导体、基于inn的化合物半导体、以及基于aln的化合物半导体。

发光层具有第一化合物半导体层、有源层、以及第二化合物半导体层的堆叠结构，第一化合物半导体层具有第一导电类型，并且第二化合物半导体层具有不同于第一导电类型的第二导电类型。应注意，在第一导电类型是n型的情况下，第二导电类型是p型。在第一导电类型是p型的情况下，第二导电类型是n型。添加到化合物半导体层中的n型杂质的实例包括硅(si)、硒(se)、锗(ge)、锡(sn)、碳(c)、以及钛(ti)。p型杂质的实例包括锌(zn)、镁(mg)、铍(be)、镉(cd)、钙(ca)、钡(ba)、以及氧(o)。有源层可以包括单个化合物半导体层，或者可以具有单个量子阱结构(sqw结构)或多量子阱结构(mqw结构)。形成(沉淀)包括有源层的各个化合物半导体层的实例包括金属有机化学气相沉积(mocvd方法、movpe方法)、金属有机分子束外延方法(mombe方法)、氢化物气相外延方法(hvpe方法)(其中，卤素用来输送或反应)、等离子体辅助物理蒸汽沉淀(ppd方法)、原子层沉积方法(ald方法、原子层沉积方法)、以及迁移增强外延方法(迁移增强、外延mee方法)。为了制造红色发光器件、绿色发光器件、以及蓝色发光器件，仅需要适当地选择上述所述化合物半导体及其组合物。

在第一导电类型是n型并且第二导电类型是p型的情况下，第一电极是n侧电极并且第二电极是p侧电极。另一方面，在第一导电类型是p型并且第二导电类型是n型的情况下，第一电极是p侧电极并且第二电极是n侧电极。此处，p侧电极的实例包括au/auzn、au/pt/ti(/au)/auzn、au/pt/tiw(/ti)(/au)/auzn、au/aupd、au/pt/ti(/au)/aupd、au/pt/tiw(/ti)(/au)/aupd、au/pt/ti、au/pt/tiw(/ti)、au/pt/tiw/pd/tiw(/ti)、ti/cu、pt、ni、ag、以及ge。进一步地，n侧电极的实例包括au/ni/auge、au/pt/ti(/au)/ni/auge、auge/pd、au/pt/tiw(/ti)/ni/auge、以及ti。应注意，“/”前的层定位成更电气远离有源层。可替代地，第二电极可以由诸如ito、izo、zno:al、以及zno:b等透明导电材料形成。在使用由透明导电材料形成的层作为电流扩散层并且第二电极是n侧电极的情况下，可以将使用p侧电极的第二电极的情况中所提及的金属堆叠结构组合。第一电极的第二部分可以包括垫片部分(第一垫片部分)，第二垫片部分可以形成在第二电极(表面)上，并且第三垫片部分可以形成在第一电极的第二部分(表面)上。在这些情况下，第三垫片部分包括在第一电极的第二部分中，并且第二垫片部分包括在第二电极中。希望的是，垫片部分具有单层结构或包括选自于由ti(钛)、铝(al)、pt(铂)、au(金)、以及ni(镍)构成的组中的至少一种类型的金属的多层结构。可替代地，这些垫片部分可以具有通过ti/pt/au的多层配置和ti/au的多层配置例示的多层结构。

用于制造发光器件的发光器件制造用基板的实例包括gaas基板、gap基板、aln基板、alp基板、inn基板、inp基板、algainn基板、algan基板、alinn基板、gainn基板、algainp基板、algap基板、alinp基板、gainp基板、zns基板、蓝宝石基板、sic基板、氧化铝基板、zno基板、limgo基板、ligao2基板、mgal2o4基板、si基板、ge基板、以及通过在这些基板的表面(主表面)上形成基础层或缓冲层而获得的一种基板。应注意，为了制造红色发光器件、绿色发光器件、以及蓝色发光器件，仅需要适当地选择这些基板中的一种基板。

在发光器件中，可以在发光器件的期望区域中形成遮光膜，使得从发光器件发出的光不照射非期望区域。形成遮光膜的材料的实例包括能够遮挡光的材料或能够反射可见光的材料，诸如，钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、钽(ta)、铝(al)、mosi2、金(au)、铜(cu)、以及镍(ni)等。

形成后面描述的绝缘层、第二绝缘层、以及第三绝缘层的材料包括氧化硅(siox)、氮化硅(siny)、氮氧化硅(sioxny)、氧化钽(ta2o5)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)、氧化钛(tio2)、氧化镁(mgo)、氧化铬(crox)、氧化钒(vox)、氮化钽(tan)、电介质多层膜(例如，具有诸如sio2等低折射率薄膜与诸如tio2和ta2o5等高折射率薄膜交替堆叠的结构的电介质多层膜)、以及sio2层/si层的堆叠结构(sio2层是下层并且si层是上层)。根据所使用的材料，可以通过各种物理气相沉积方法(pvd方法)和各种化学气相沉积方法(cvd方法)执行绝缘层的形成。进一步地，基于平板印刷术技术和蚀刻技术的组合可以执行图案化。

根据显示装置的用途和功能，确定显示装置所需的规格等、构成显示装置的发光器件组件(具体地，发光器件)的数目、类型、安装(布置)、间隔等。当显示装置包括红色发光器件(红色发光子像素)、绿色发光器件(绿色发光字像素)、以及蓝色发光器件(蓝色发光字像素)时，能获得彩色显示的显示装置。在显示装置包括彩色显器的显示装置的情况下，显示装置中的一个像素包括红色发光器件、绿色发光器件、以及蓝色发光器件的组合(发光单元)。进一步地，每个发光器件构成子像素。进一步地，多个发光器件组件(多个像素)在第一方向和与第一方向正交的第二方向上布置成二维矩阵状。当构成发光单元的红色发光器件的数目是nr、构成发光单元的绿色发光器件的数目是ng、并且构成发光单元的蓝色发光器件的数目是nb时，nr可以是1或2或更大的整数，ng可以是1或2或更大的整数、并且nb可以是1或2或更大的整数。nr、ng、以及nb的值可以彼此相等或不同。在nr、ng、以及nb的值各自是2或更大的整数的情况下，一个发光单元中可以串联或并联连接发光器件组件。(nr、ng、以及nb)的值的组合的实例包括但不限于(1,1,1)、(1,2,1)、(2,2,2)、以及(2,4,2)。在一个像素包括三种类型的子像素的情况下，三种类型的子像素的布置的实例包括△布置、带状布置、对角线布置、以及矩形布置。进一步地，仅需要基于pwm驱动方法以恒定的电流驱动发光器件。可替代地，通过制备三个面板，即，包括含红色发光器件的发光单元的第一面板、包括含绿色发光器件的发光单元的第二面板、以及包括含蓝色发光器件的发光单元的第三面板，通过使用例如二向色棱镜，其也可以应用于从三个面板收集光的投影仪。

基体的实例包括玻璃基板、石英基板、以及硅基板、各自由形成在基板的表面上的铜箔或铜电镀层形成的第一连接部和第二连接部、以及刚性印刷布线板和柔性印刷布线板，第一连接部和第二连接部各自由形成在基板的表面上的铜箔或铜电镀层形成。应注意，为了通过利用能量射线照射该部分而固化粘合层，仅需要在刚性印刷布线板和柔性印刷布线板中提供用于使能量射线穿过的区域(对能量射线透明的区域)。仅需要使用现有的方法作为制造基体的方法。基体对应于安装基板。构成刚性印刷板的基体材料的配置基本上是任意的，并且其实例包括下列组合：纸/酚醛树脂、纸/环氧树脂、玻璃布/环氧树脂、玻璃无纺织物/环氧树脂、玻璃布/玻璃无纺织物/环氧树脂、合成纤维/环氧树脂、玻璃布/聚酰亚胺树脂、玻璃布/改性聚酰亚胺树脂、玻璃布/环氧改性聚酰亚胺树脂、玻璃布/双马来酰亚胺/三嗪/环氧树脂、玻璃布/氟树脂、玻璃布/ppo(聚苯氧化物)树脂、以及玻璃布/ppe(聚苯醚)树脂。

在显示装置中，第一连接部连接至第一布线、并且第二连接部连接至第二布线。多个第一布线中的每个布线整体具有带状并且在第一方向上延伸，并且多个第二布线中的每个布线整体具有带状并且在不同于第一方向的第二方向(例如，与第一方向正交的方向)上延伸。应注意，整体具有带状的布线可以包括在带状延伸的干线和从干线延伸的多个支线。可替代地，第一布线可以包括共用布线(共用电极)，第二布线可以包括多个布线，并且多个布线中的每个布线整体在一个方向上延伸。可替代地，第一布线可以包括多个布线，多个布线中的每个布线整体可以在一个方向上延伸，并且第二布线可以包括共用布线(共用电极)。

形成第一布线和第二布线的材料的实例包括各种金属，包括下列金属，诸如，金(au)、银(ag)、铜(cu)、钯(pd)、铂(pt)、铬(cr)、镍(ni)、钴(co)、锆(zr)、铝(al)、钽(ta)、铌(nb)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铁(fe)、铟(in)、锌(zn)、以及锡(sn)；包含该金属元素的合金(例如，mow)或化合物(例如，诸如tiw、tin、以及wn等氮化物)；诸如wsi2、mosi2、tisi2、以及tasi2等硅化物；包含这些金属的导电颗粒；包含这些金属的合金的导电颗粒；诸如硅(si)等半导体；诸如钻石等碳薄膜；以及诸如ito(氧化铟锡)、氧化铟、以及氧化锌等导电金属氧化物。可以采用包含这些元素的层的堆叠结构。此外，可以使用诸如聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸[pedot/pss]等有机材料(导电聚合物)。尽管根据构成第一布线和第二布线的材料，形成这些布线的方法的实例包括：各种物理气相沉积方法(pvd方法)，包括诸如电子束蒸发方法和白热丝蒸发方法、溅射方法、离子电镀方法、激光消融方法等真空蒸发方法；各种化学气相沉积方法(cvd方法)，包括；mocvd方法；旋转涂覆方法；各种印刷方法，诸如，丝网印刷方法、喷墨印刷方法、胶印印刷方法、金属掩模印刷方法、以及照相凹版印刷方法等；各种涂覆方法，诸如，气刀涂布机方法、刮板式涂布机方法、棒式涂布机方法、刮刀涂布机方法、压榨涂布机方法、逆转辊式涂布机方法、转印辊涂布机方法、凹槽辊涂布机方法、吻合式涂布机方法、流延涂布机方法、喷雾涂布机方法、缝口涂布机方法、日历涂布机方法、以及浸渍方法等；印痕方法；剥离方法；阴影掩模方法；电镀方法，诸如，电解电镀方法、非电解电镀方法、以及其组合等；剥离方法；溶胶凝胶方法；以及喷涂方法和图案化技术中的任一种的组合，视情况而定。应注意，pvd方法的实例包括(a)诸如电子束加热方法、电阻加热方法、以及闪蒸蒸发等各种气相沉积方法，(b)等离子体沉积方法，(c)诸如双极溅射方法、直流溅射方法、直流磁电控溅射方法、高频溅射方法、磁电控溅射方法、离子束溅射方法、以及偏置溅射方法等各种溅射方法，以及(d)诸如dc(直流)方法、rf方法、多阴极方法、活化反应方法、电场蒸发方法、高频离子电镀方法、以及反应离子电镀方法等各种离子电镀方法。形成第一布线的材料与形成第二布线的材料可以相同或不同。进一步地，通过适当地选择形成方法，也可以直接形成图案化的第一布线和图案化的第二布线。

实施方式1

实施方式1涉及根据本公开的第一方面的发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及根据本公开的显示装置。图1a中示出了实施方式1的发光器件组件的示意性局部平面图，并且图1b中示出了构成实施方式1的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。进一步地，图2a中示出了沿着图1a中的箭头a-a截取的实施方式1的发光器件组件的示意性局部端视图，并且图2b中示出了沿着图1a中的箭头b-b截取的实施方式1的发光器件组件的示意性局部端视图。进一步地，图3a、图3b、以及图3c中分别示出了沿着图1b中的箭头a-a、箭头b-b、以及箭头c-c截取的构成实施方式1的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

应注意，在附图中，以交替的长和短虚线表示通过发光器件隐藏的第一连接部和第二连接部的边缘部分，并且以点虚线表示通过发光器件等隐藏的第一电极和第二电极的各部分。进一步地，根据发光器件的示意性端视图，省去了发光器件或其部分的部件的细节的示意图。

实施方式1的发光器件组件包括发光器件(具体地，发光二极管)11以及设置在基体40上的第一连接部41和第二连接部42，发光器件11包括发光层20、第一电极31、以及电连接至发光层20的第二电极32，其中，

第一连接部41与第二连接部42通过分离部43彼此隔开，通过分离部43露出基体40；

加宽部分44，设置于分离部43的第一连接部侧；

第一电极31包括第一部分31a和第二部分31b，第一部分31a与发光层20接触；

第一电极31的第二部分31b连接至第一连接部41；并且

第一电极31的第一部分31a从第一电极31的第二部分31b开始延伸。

实施方式1中的显示装置包括实施方式1中的发光器件组件或后面所描述的实施方式2至4中描述的、布置成二维矩阵图案的发光器件组件。例如，发光器件包括三种类型的发光器件，即，红色发光器件、绿色发光器件、以及蓝色发光器件。例如，构成显示装置的一个像素包括一个红色发光器件、一个绿色发光器件、以及一个蓝色发光器件。具体地，nr＝ng＝nb＝1。

进一步地，第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像与分离部43的加宽部分44彼此至少部分重叠。在示出的实例中，分离部43的加宽部分44中包括第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像。然而，第一电极的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像中可以包括分离部43的加宽部分44。进一步地，第一连接部41被加宽部分44分割成两个区域41a和41b。此处，分离部43与加宽部分44的整体平面形状是“t”形状，“t”形状的水平条构成分离部43，分离部43将第一连接部41与第二连接部42彼此隔开，并且“t”形状的竖直条构成加宽部分44，加宽部分44将第一连接部41分割成两个区域41a和41b。分离部43的宽度可以比加宽部分44的宽度更宽/相同/更窄。即，“t”形状的水平条的厚度可以比“t”形状的竖直条的厚度更厚/相同/更薄。在示出的实施例中，分离部43的宽度比加宽部分44的宽度更窄。即，“t”形状的水平条的厚度比“t”形状的竖直条的厚度更薄。分离部43和加宽部分44与外部连通。此外，在实施方式1中，第一电极31的第二部分31b从第一部分31a开始延伸并且以朝向第一连接部41突出的状态包围第一部分31a。第一部分31a与发光层20接触。进一步地，第二部分31b与第一垫片部分对应。在示出的实施例中，第一部分31a与第二部分31b各自的平面形状是圆形形状。然而，本公开并不局限于此，并且平面形状可以是正方形、矩形、圆角正方形、圆角矩形、椭圆形等。

在实施方式1中，第一电极31与第二电极32相对于发光层20设置在同一侧。进一步地，连通单元(第二连通单元27)设置在发光器件11的设置有第二电极32的一部分及其附近，第二电极32经由连通单元与外部连通。

可替代地，当由l11表示第一电极31的第二部分31b与基体40之间的间隙的最短距离并且由l12表示第二电极32与基体40之间的间隙的最短距离时，满足l11<l12的关系(见图2a)。

进一步地，第一电极31的第二部分31b与第一连接部41经由第一导电单元45a相互连接，并且第二电极32与第二连接部42经由第二导电单元45b相互连接。在示出的实例中，第二连通单元27设置在发光器件11的边11a，并且例如，其平面形状是半圆矩形形状(通过组合两个线段与半圆形而获得的形状)。作为l11和l12的值，具体地，例如，l11＝0.5μm并且l12＝2μm。然而，本公开并不局限于这些值。进一步地，例如，发光器件的尺寸不小于5μm并且不大于1mm。

发光层20具有第一化合物半导体层21、有源层23、以及第二化合物半导体层22的堆叠结构，第一化合物半导体层21具有第一导电类型(具体地，p型或n型)，第二化合物半导体层22具有不同于第一导电类型的第二导电类型(具体地，n型或p型)。经由第二化合物半导体层22将从有源层23发射的光发射至外部。第二连通单元27形成在第一化合物半导体层21、有源层23、以及第二化合物半导体层22的一部分中，并且第二电极32形成在于第二连通单元27中露出的第二化合物半导体层22的一部分中。第二电极32包括第一部分32a和第二部分32b。进一步地，第二电极32的第二部分32b连接至第二连接部42，并且第二电极32的第一部分32a从第二电极32的第二部分32b开始延伸。第二电极32的第二部分32b在朝向第二连接部42突出的同时包围第二部分32b。第二电极32的第一部分32a与发光层20(具体地，第二化合物半导体层22)接触。第二电极32的第二部分32b与第二垫片部分对应。第二连通单元27设置在发光器件的一部分以及该部分附近，该部分定位在第二电极32的第二部分32b与第一部分32a接触。

发光器件20被绝缘层24覆盖，但第二化合物半导体层22的光出射表面22'除外。绝缘层24在第一电极31的第一部分31a的边缘部分上延伸。第一电极31的第二部分31b形成在第一电极的第一部分31a及绝缘层24的一部分上。例如，绝缘层由氧化硅(siox)或氮化硅(siny)形成。

发光器件包括红色发光器件、绿色发光器件、或蓝色发光器件。例如，下列表1和表2中示出了红色发光器件、绿色发光器件、以及蓝色发光器件的具体配置。

即，在红色发光器件中，包括第二化合物半导体层22(具有p导电类型)、有源层23、以及第一化合物半导体层21(具有n导电类型)的发光层(堆叠结构)20由algainp基的化合物半导体形成。作为用于制造红色发光器件的发光器件制造用基板(未示出)，使用n-gaas基板。第二化合物半导体层22形成在发光器件制造用基板上。有源层23具有堆叠了阱层和势垒层的多量子阱结构，其中，阱层各自包括gainp层或algainp层，并且势垒层各自包括具有不同组合物的algainp层。具体地，势垒层具有四层，并且阱层具有三层。应注意，第二化合物半导体层22的导电类型可以是n型，并且第一化合物半导体层21的导电类型可以是p型。

<表1>红色发光器件

第一化合物半导体层

第一包覆层n-alinp：si掺杂

第一导光层algainp

有源层

阱层/势垒层gainp/algainp

第二化合物半导体层

第二导光层algainp

第二包覆层p-alinp：zn掺杂

接触层p-gaas：zn掺杂

在绿色发光器件和蓝色发光器件中，包括第二化合物半导体层22(具有n导电类型)、有源层23、以及第一化合物半导体层21(具有p导电类型)的发光层(堆叠结构)20由基于gainn的化合物半导体形成。作为用于制造绿色发光器件和蓝色发光器件的发光器件制造用基板(未示出)，使用n-gan基板。第二化合物半导体层22形成在发光器件制造用基板上。有源层23具有堆叠了阱层和势垒层的量子阱结构，其中，阱层包括alingan层，并且势垒层包括具有不同的in组合物的alingan层。可替代地，有源层23具有堆叠了阱层和势垒层的量子阱结构，其中，阱层包括ingan层，并且势垒层包括gan层。应注意，第二化合物半导体层22的导电类型可以是p型，并且第一化合物半导体层21的导电类型可以是n型。

<表2>绿色发光器件/蓝色发光器件

第一化合物半导体层

接触层p-gan：mg掺杂

第二包覆层p-algan：mg掺杂

第二导光层ingan

有源层

阱层/势垒层ingan/gan

第二化合物半导体层

第一导光层ingan

第一包覆层n-alingan：si掺杂

例如，基体40包括玻璃基板、各自由形成在玻璃基板的表面上的铜箔或铜电镀层形成的第一连接部41和第二连接部42。第一连接部41连接至第一布线，并且第二连接部42连接至第二布线。多个第一布线中的每个布线作为整体具有带状并且在第一方向上延伸，并且多个第二布线中的每个布线作为整体具有带状并且在不同于第一方向的第二方向(例如，与第一方向正交的方向)上延伸。省去了第一布线和第二布线的例示。作为形成基体40的方法，能使用熟知的方法。

在下文中，将参考各自是发光器件的示意性局部端视图的图22a、图22b、图23a、图23b、图24a、图24b、图25a、以及图25b描述制造实施方式1中的发光器件组件的方法。图22a、图23a、图24a、以及图25a各自是与沿着图1a中的箭头a-a截取的一个视图相似的示意性局部端视图，并且图22b、图23b、图24b、以及图25b各自是与沿着图1a中的箭头b-b截取的一个视图相似的示意性局部端视图。应注意，基于所知道的制造方法能制造发光器件11。

[步骤-100]

制备具有图3a、图3b、以及图3c中示出的示意性局部端视图的结构的实施方式1的发光器件11。进一步地，制备基体40，未固化或半固化的能量射线可固化粘合层47形成(涂覆)在基体40的表面上。第一连接部41、第二连接部42、以及其上未形成有第一连接部41和第二连接部42的基体40的表面被粘合层47覆盖。

[步骤-110]

首先，发光器件11经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层的部分47b设置在基体40上，因此，第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像与分离部43的加宽部分44彼此至少部分重叠，第一电极31的第二部分31b面向第一连接部41，并且发光器件11覆盖分离部43。图22a和图22b中示出了该状态。未固化或半固化的粘合层的部分47b通过毛细管现象填充位于基体侧的发光器件11的表面。

[步骤-120]

接着，从基体40的与设置有发光器件11的一侧相对的一侧将能量射线(具体地，紫外线射线)应用于基体40，以固化未被第一连接部41和第二连接部42遮挡的粘合层的一部分。以参考标号47a表示粘合层的固化部分。图23a和图23b中示出了该状态。之后，通过使用溶剂去除未固化或半固化粘合层的部分47b。图24a和图24b中示出了该状态。粘合层47的固化部分47a遗留于分离部43和加宽部分44上。通过粘合层47的固化部分47a将发光器件11临时固定在基体40上。经由第二连通单元27容易并且可靠地去除定位在第二电极32周围的未固化或半固化粘合层的部分47b。

[步骤-130]

然后，基于电镀方法(具体地，通过电解电镀方法的铜电镀)，将第一电极31的第二部分31b与第一连接部41相互连接，并且将第二电极32的第二部分32b与第二连接部42相互连接。第一连接部41与第二连接部42各自包括铜层。图25a和图25b中示出了该状态。在未形成电镀层的区域中，仅需要提前形成抗蚀剂掩模层，这视情况而定。这样，第一电极31的第二部分31b与第一连接部41经由第一导电单元45a相互连接，并且第二电极32与第二连接部42经由第二导电单元45b相互连接。通过第一导电单元45a和第二导电单元45b将发光器件11固定至第一连接部41和第二连接部42。

[步骤-140]

之后，通过使用溶剂经由分离部43(具体地，在实施方式1中，经由分离部43和加宽部分44)去除粘合层的固化部分47a。因为形成了分离部43和加宽部分44，所以可以容易并且可靠地去除粘合层的固化部分47a。以此方式，可以实现图2a和图2b中所示的结构。

在实施方式1的发光器件组件中，第一连接部与第二连接部通过露出基体的分离部而彼此隔开。即，分离部中未残留用于临时固定的任何树脂。因此，不会产生长时间使用发光器件时引起的用于临时固定的树脂层发生剥落的问题。此外，在制造实施方式1的发光器件组件的方法中，因为最后经由分离部去除固化的粘合层的一部分，所以不会产生长时间使用发光器件时引起的临时固定用树脂层发生剥落的问题。

图4、图5a、以及图5b中示出了实施方式1的发光器件组件的变形例。应注意，图4是实施方式1中的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图，图5a是沿着图4中的箭头a-a截取的实施方式1中的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图，并且图5b是沿着图4中的箭头b-b截取的实施方式1中的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图。在图4、图5a、以及图5b示出的实施方式1中的发光器件组件的变形例中，加宽部分44并不与外部连通。即，第一连接部41未被加宽部分44分割成两个区域。

实施方式2

实施方式2是实施方式1的替代方式。图6a中示出了实施方式2的发光器件组件的示意性局部平面图，并且图6b中示出了构成实施方式2的发光器件组件的发光器件的示意性平面图。进一步地，图7a中示出了沿着图6a中的箭头a-a截取的实施方式2的发光器件组件的示意性局部端视图，并且图7b中示出了沿着图6a中的箭头b-b截取的实施方式2的发光器件组件的示意性局部端视图。进一步地，图8a、图8b、以及图8c中分别示出了沿着图6b中的箭头a-a、箭头b-b、以及箭头c-c截取的构成实施方式2的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

在实施方式2的发光器件组件中，第二电极34相对于发光层20设置在第一电极31的相对侧，并且第二电极34与第二连接部42经由导体层46相互连接。进一步地，第二连接部42中包括不与发光器件(发光二极管)12重叠的导体层46的部分46a相对于第二连接部42的正交投影图像。第二电极34包括第二电极34的设置在第二化合物半导体层22的光出射表面22'上的第一部分34a和第二电极34的设置在第二电极34的第一部分34a上的第二部分34b(与第二垫片部分对应)。

在下文中，将参考各自是发光器件的示意性局部端视图的图26a、图26b、图27a、图27b、图28a、图28b、图29a、以及图29b描述制造实施方式2的发光器件组件的方法。图26a、图27a、图28a、以及图29a各自是与沿着图6a中的箭头a-a截取的一个视图相似的示意性局部端视图，并且图26b、图27b、图28b、以及图29b各自是与沿着图6a中的箭头b-b截取的一个视图相似的示意性局部端视图。应注意，基于所知的制造方法能制造发光器件12。

[步骤-200]

制备具有图8a、图8b、以及图8c中示出其示意性局部端视图的结构的实施方式2的发光器件12。进一步地，与实施方式1相似，制备基体40，未固化或半固化的能量射线可固化粘合层47形成在基体40的表面上。

[步骤-210]

首先，与实施方式1中的[步骤-110]相似，发光器件12经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层的部分47b设置在基体40上，使得第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像与分离部43的加宽部分44彼此至少部分重叠，第一电极31的第二部分31b面向第一连接部41，并且发光器件12覆盖分离部43。图26a和图26b中示出了这种状态。

[步骤-220]

接着，与实施方式1的[步骤-120]相似，从基体40的与设置有发光器件12的一侧相对的一侧将能量射线(具体地，紫外线射线)应用于基体40，以固化未被第一连接部41和第二连接部42遮挡的粘合层的一部分。图27a和图27b中示出了这种状态。之后，通过使用溶剂去除未固化或半固化的粘合层的部分47b。图28a和图28b中示出了这种状态。粘合层47的固化部分47a遗留于分离部43和加宽部分44上。进一步地，通过粘合层47的固化部分47a将发光器件12临时固定在基体40上。

[步骤-230]

然后，与实施方式1的[步骤-130]相似，基于电镀方法，将第一电极31的第二部分31b与第一连接部41相互连接。图29a和图29b中示出了这种状态。应注意，电镀层45b'形成在第二连接部42上。

[步骤-240]

接着，为了形成导体层46，基于熟知的方法，在整个表面上形成电镀抗蚀剂层。然后，与实施方式1的[步骤-130]相似，基于电镀方法，在形成将第二电极34的第二部分34b与第二连接部42相互连接的导体层46之后，去除电镀抗蚀剂层。以这样的方式，第一电极31的第二部分31b与第一连接部41经由第一导电单元45a相互连接，并且第二电极34与第二连接部42经由导体层46相互连接。通过第一导电单元45a和导体层46将发光器件12固定至第一连接部41和第二连接部42。

[步骤-250]

之后，通过使用溶剂经由分离部43(具体地，在实施方式2中，经由分离部43和加宽部分44)去除粘合层的固化部分47a。因为形成了分离部43和加宽部分44，所以可以容易并且可靠地去除粘合层的固化部分47a。同样，可以实现图7a和图7b中所示的结构。

图9中示出了实施方式2的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图。在该变形例中，面向加宽部分44的第二加宽部分44'设置在分离部43的第二连接部侧，并且第二连接部42被第二加宽部分44'分割成至少两个区域(具体地，示出的实例中的区域42、42a、以及42b)。通过采用该结构，可以更为可靠地去除粘合层的固化部分47a。

实施方式3

实施方式3涉及根据本公开的第二方面的发光器件组件与制造发光器件组件的方法。图10示出了实施方式3的发光器件组件的示意性局部平面图。图11a中示出了沿着图10中的箭头a-a截取的实施方式3的发光器件组件的示意性局部端视图，并且图11b中示出了沿着图10中的箭头b-b截取的实施方式3的发光器件组件的示意性局部端视图。进一步地，图12中示出了构成实施方式3的发光器件组件的发光器件的示意性平面图，并且图13a和图13b中示出了沿着图12中的箭头a-a和箭头b-b截取的构成实施方式3的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

实施方式3的发光器件组件包括：

发光器件(具体地，发光二极管)13，发光器件13包括发光层20、第一电极51、以及电连接至发光层20的第二电极52；以及

第一连接部41和第二连接部42，设置在基体40上；其中，

第一连接部41和第二连接部42彼此通过分离部43而隔开，通过分离部43露出基体40；

第一电极51包括第一部分51a和第二部分51b，第一部分51a与发光层20接触；

第一电极51的第二部分51b连接至第一连接部41；

第一电极51的第一部分51a从第一电极51的第二部分51b开始延伸；并且

连通单元(第一连通单元)28，设置在发光器件的设置有第一电极51的第二部分51b的一部分及其附近，第一电极51的第二部分51b经由连通单元与外部连通。

进一步地，在实施方式3的发光器件组件中，第一电极51与第二电极52相对于发光层20设置在同一侧。进一步地，第二连通单元27设置在发光器件13的设置有第二电极52的一部分及其附近，第二电极52经由第二连通单元27与外部连通。第一电极51的第二部分51b与第一连接部41经由第一导电单元45a相互连接，并且第二电极52与第二连接部42经由第二导电单元45b相互连接。第一连通单元28形成在第一化合物半导体层21、有源层23、以及第二化合物半导体层22的一部分中。

发光层20的配置与实施方式1中的配置相似。发光层20被绝缘层24覆盖，但第二化合物半导体层22的光出射表面22'除外。第二绝缘层25形成在第一电极51的第一部分51a与绝缘层24上。第一电极51的第一部分51a(与绝缘层20接触)在绝缘层24上延伸至第一连通单元28。形成在第一电极51的第一部分51a(定位在第一化合物半导体层21的顶表面上方)上的第二绝缘层25的一部分25a是圆形的凹部。然而，第二绝缘层25的一部分25a的形状并不局限于此，并且可以是正方形、矩形、圆角正方形、圆角矩形、椭圆形等。去除在第一连通单元28中定位于第一电极51的第一部分51a上方的第二绝缘层25的一部分，并且从第一电极51的暴露的第一部分51a至第二绝缘层25形成第一电极51的第二部分51b。第一电极52的第二部分51b在朝向第一连接部41突出的同时包围第一部分51a。第一电极51的第一部分51b与第一垫片部分对应。第一连通单元28设置在发光器件的一部分及其附近，该部分定位在第一电极51的第一部分51b与第一部分51a接触的部分中。

与实施方式1相似，第二连通单元27形成在第一化合物半导体层21、有源层23、以及第二化合物半导体层22的一部分中，并且第二电极52形成在于第二连通单元27中露出的第二化合物半导体层22的一部分中。第二电极52包括第一部分52a和第二部分52b。进一步地，第二电极52的第二部分52b连接至第二连接部42，并且第二电极52的第一部分52a从第二电极52的第二部分52b开始延伸。第二电极52的第二部分52b在朝向第二连接部42突出的同时包围第一部分52a。进一步地，第二电极52的第一部分52a与发光层20(具体地，第二化合物半导体层22)接触。第二电极52的第二部分52b与第二垫片部分对应。

在示出的实施例中，第二连通单元27设置在发光器件13的边13a，并且其平面形状是例如半圆矩形形状(通过组合两个线段与半圆而获得的形状)。进一步地，在示出的实施例中，第一连通单元28设置在与发光器件13的边13a相对的另一边13b上，并且其平面形状是例如半圆矩形形状(通过组合两个线段与半圆而获得的形状)

基体40具有与实施方式1大致相似的配置和结构，但未形成有加宽部分。

在下文中，将参考各自是发光器件的示意性局部端视图的图30a、图30b、图31a、图31b、图32a、图32b、图33a、以及图33b描述制造实施方式3的发光器件组件的方法。、图30a、图31a、图32a、以及图33a各自是与沿着图10中的箭头a-a截取的一个视图相似的示意性局部端视图，并且图30b、图31b、图32b、以及图33b各自是与沿着图10中的箭头b-b截取的一个视图相似的示意性局部端视图。应注意，基于熟知的制造方法能制造发光器件13。

[步骤-300]

制备具有图13a和图13b中示出其示意性局部端视图的结构的实施方式3的发光器件13。进一步地，与实施方式1相似，制备基体40，未固化或半固化的能量射线可固化粘合层47形成在基体40的表面上。

[步骤-310]

首先，与实施方式1中的[步骤-110]相似，经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层的部分47b将发光器件13设置在基体40上，使得第一电极51的第二部分51b面向第一连接部41并且发光器件13覆盖分离部43。图30a和图30b中示出了这种状态。未固化或半固化的粘合层的部分47b通过毛细管现象填充位于基体侧的发光器件13的表面。

[步骤-320]

接着，从基体40的与设置有发光器件13的一侧相对的一侧将能量射线(具体地，紫外线射线)应用于基体40，以固化未被第一连接部41和第二连接部42遮挡的粘合层的一部分。图31a和图31b中示出了这种状态。之后，通过使用溶剂去除未固化或半固化的粘合层的部分47b。图32a和图32b中示出了这种状态。粘合层47的固化部分47a遗留于分离部43。进一步地，通过粘合层47的固化部分47a将发光器件13临时固定在基体40上。经由第一连通单元28和第二连通单元27容易并且可靠地去除定位于第一电极51和第二电极52附近的未固化或半固化粘合层的部分47b。

[步骤-330]

然后，与实施方式1中的[步骤-130]相似，基于电镀方法，将第一电极51的第二部分51b与第一连接部41相互连接。同时，将第二电极52的第二部分52b与第二连接部42相互连接。图33a和图33b中示出了这种状态。第一电极51的第二部分51b与第一连接部41经由第一导电单元45a相互连接，并且第二电极52与第二连接部42经由第二导电单元45b相互连接。通过第一导电单元45a和第二导电单元45b将发光器件13固定至第一连接部41和第二连接部42。

[步骤-340]

之后，通过使用溶剂经由分离部43去除粘合层的固化部分47a。因为形成了分离部43，所以可以容易并且可靠地去除粘合层的固化部分47a。同样，可以实现图11a和图11b所示的结构。

此外，在实施方式3的发光器件组件中，第一连接部与第二连接部通过露出基体的分离部被彼此隔开。即，分离部中未残留有用于临时固定的任何树脂。因此，不会引起长时间使用发光器件时，用于临时固定的树脂层发生剥落的问题。此外，在制造实施方式3的发光器件组件的方法中，因为最后经由分离部去除被固化的粘合层的一部分，所以不会引起长时间使用发光器件时，用于临时固定的树脂层发生剥落的问题。

图14中示出了实施方式3的发光器件组件的变形例的示意性局部平面图，图15a中示出了沿着图14中的箭头a-a截取的实施方式3的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图，并且图15b中示出了沿着图14中的箭头b-b截取的实施方式3的发光器件组件的变形例的示意性局部端视图。进一步地，图16中示出了实施方式3的发光器件组件的不同变形例的示意性局部平面图，图17a中示出了沿着图16中的箭头a-a截取的实施方式3的发光器件组件的不同变形例的示意性局部端视图，并且图17b中示出了沿着图16中的箭头b-b截取的实施方式3的发光器件组件的不同变形例的示意性局部端视图。应注意，在图14和图16中，关于第一电极和第二电极，仅示出了第一电极51的第二部分51b和第二电极52的第二部分52b。在这些变形例中，第一连接部41未设置在基体40的面向第一电极51的至少一部分的部分41c中。通过采用该结构，可以更为容易并且可靠地去除位于第一电极51的第二部分51b的附近的未固化或半固化粘合层的部分47b。进一步地，在不同的变形例中，第二连接部42未设置在基体40的面向第二电极52的至少一部分的一部分42c中。通过采用该结构，可以更为容易并且可靠地去除位于第二电极的附近的未固化或半固化粘合层的部分47b。应注意，其中第二连接部42未设置在基体40的面向第二电极的至少一部分的一部分42c中的该结构能应用于其他实施方式。

实施方式4

实施方式4是实施方式3的替代方式。图18中示出了实施方式4的发光器件组件的示意性局部平面图，图19a中示出了沿着图18中的箭头a-a截取的实施方式4的发光器件组件的示意性局部端视图，并且图19b中示出了沿着图18中的箭头b-b截取的实施方式4的发光器件组件的示意性局部端视图。进一步地，图20中示出了构成实施方式4的发光器件组件的发光器件的示意性平面图，并且图21a和图21b中分别示出了沿着箭头a-a以及箭头b-b截取的构成实施方式4的发光器件组件的发光器件的示意性局部端视图。

在实施方式4的发光器件组件中，第二电极54相对于发光层20设置在第一电极51的相对侧，并且第二电极54与第二连接部42经由导体层46相互连接。进一步地，第二连接部42中包括不与发光器件(发光二极管)14重叠的导体层46的部分46a相对于第二连接部42的正交投影图像。第二电极54包括设置在第二化合物半导体层22的光出射表面22'上的第二电极54的第一部分54a和设置在第二电极54的第一部分54a上的第二电极54的第二部分54b(用作第二垫片部分)。

在下文中，将参考各自是发光器件的示意性局部端视图的图34a、图34b、图35a、图35b、图36a、图36b、图37a、以及图37b描述制造实施方式4的发光器件组件的方法。图34a、图35a、图36a、以及图37a各自是与沿着图18中的箭头a-a截取的一个视图相似的示意性局部端视图，并且图34b、图35b、图36b、以及图37b各自是与沿着图18中的箭头b-b截取的一个视图相似的示意性局部端视图。应注意，基于熟知的制造方法能制造发光器件14。

[步骤-400]

制备具有图21a和图21b中示出其示意性局部端视图的结构的实施方式4的发光器件14。进一步地，与实施方式1相似，制备基体40，未固化或半固化的能量射线可固化粘合层47形成在基体40的表面上。

[步骤-410]

首先，与实施方式3中的[步骤-310]相似，经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层的部分47b将发光器件14设置在基体40上，使得第一电极51的第二部分51b面向第一连接部41并且发光器件14覆盖分离部43。图34a和图34b中示出了这种状态。

[步骤-420]

接着，与实施方式3的[步骤-320]相似，从基体40的与设置有发光器件13的一侧相对的一侧应用能量射线(具体地，紫外线射线)，以固化未被第一连接部41和第二连接部42遮挡的粘合层的一部分。图35a和图35b中示出了这种状态。之后，通过使用溶剂去除未固化或半固化的粘合层的部分47b。图36a和图36b中示出了这种状态。粘合层47的固化部分47a遗留于分离部43上。进一步地，通过粘合层47的固化部分47a将发光器件14临时固定在基体40上。经由第一连通单元28容易并且可靠地去除定位于第一电极51的附近的未固化或半固化的粘合层的部分47b。

[步骤-430]

然后，与实施方式3的[步骤-330]相似，基于电镀方法，将第一电极51的第二部分51b与第一连接部41相互连接。图37a和图37b中示出了这种状态。应注意，电镀层45b'形成在第二连接部42上。

[步骤-440]

接着，为了形成导体层46，与实施方式2中的[步骤-240]相似，基于熟知的方法在整个表面上形成电镀抗蚀剂层。然后，与实施方式1中的[步骤-130]相似，基于电镀方法，在形成将第二电极54的第二部分54b与第二连接部42相互连接的导体层46之后，去除电镀抗蚀剂层。以此方式，经由第一导电单元45a将第一电极51的第二部分51b与第一连接部41相互连接，并且经由导体层46将第二电极54与第二连接部42相互连接。通过第一导电单元45a和导体层46将发光器件14固定至第一连接部41和第二连接部42。

[步骤-450]

之后，通过使用溶剂经由分离部43去除粘合层的固化部分47a。因为形成了分离部43，所以可以容易并且可靠地去除粘合层的固化部分47a。同样，可以实现图19a和图19b中所示的结构。

此外，在实施方式4的发光器件组件中，与图9相似，面向加宽部分44的第二加宽部分44'设置在分离部43的第二连接部侧，并且第二连接部42被第二加宽部分44'分割成至少两个区域(例如，区域42、42a、以及42b)。通过采用该结构，可以更为可靠地去除粘合层的固化部分47a。

尽管迄今已经基于有利的实施方式描述了根据本公开的发光器件组件、制造发光器件组件的方法、以及显示装置，然而，本公开并不局限于这些实施方式。实施方式中所描述的发光器件的配置与结构是实例，并且此外，构成这些的元件与材料是实例并且能够适当地改变。例如，发光器件中堆叠化合物半导体层的顺序可以反向。即，在实施方式中，尽管第一导电类型是p型并且第二导电类型是n型，然而，相反，第一导电类型可以是n型并且第二导电类型可以是p型。

进一步地，在实施方式中，已经采用了其中第一电极包括第一垫片部分的配置和结构。可替代地，第二绝缘层可以被第四绝缘层覆盖，开口部分(到达第一电极)可以形成在第四绝缘层中，并且从该开口部分至第四绝缘层可以形成接触孔部分。在这种情况下，接触孔部分与第一电极的第二部分对应。

进一步地，如图38a中的实施方式1的发光器件的变形例与图38b中的实施方式2的发光器件的变形例所示，遮光膜29可以形成在发光器件11与12各自的期望区域(靠近发光器件11与12的外表面的区域)中，使得从发光器件发出的光不照射非期望的区域。形成遮光膜的材料的实例包括能够遮挡光的材料，诸如钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、钽(ta)、铝(al)、以及mosi2等。遮光膜29形成在绝缘层24的一部分上。进一步地，遮光膜29与绝缘层24被第三绝缘层26覆盖，并且从第一电极31的第一部分31a至第三绝缘层26的一部分形成第一电极31的第二部分31b。遮光膜29能应用于实施方式3和实施方式4的发光器件。在一些情况下，第一电极可以具有也用作遮光膜的结构。

进一步地，在图1a所示的实例中，分离部43的加宽部分44中包括第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像。然而，第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像与分离部43的加宽部分44之间的位置关系并不局限于此。例如，如图39所示，第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像的宽度可以与分离部43的加宽部分44的宽度相同。可替代地，如图40所示，第一电极31的第一部分31a相对于基体40的正交投影图像可以从分离部43的加宽部分44突出。

作为构成发光器件组件(发光单元)的发光器件，可以将第四发光器件、第五发光器件、…添加到第一发光器件、第二发光器件、以及第三发光器件中。其实例包括添加发射白光的子像素来改善亮度的发光单元、添加发射互补色光的子像素来放大色彩再现范围的发光单元、添加发射黄光的子像素来放大色彩再现范围的发光单元、以及添加发射黄光和青光的子像素来放大色彩再现范围的发光单元。

显示装置(发光器件显示装置)不仅是由电视接收器和计算机终端代表的彩色显示器的平板类型/直视类型图像显示装置，而且还是将图像投影在人类的视网膜上的图像显示装置以及投影类型图像显示装置。应注意，在这些图像显示装置中，例如，仅需要采用通过时间划分方式控制第一发光器件、第二发光器件、以及第三发光器件各自的光发射/非光发射状态而显示图像的场序列驱动方法，但本公开并不局限于此。

应注意，本技术可以采用下列配置。

[a01]<<发光器件组件：第一方面>>

一种发光器件组件，包括：

发光器件，包括：

发光层；

第一电极；以及

第二电极，电连接至发光层；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

加宽部分，设置在分离部的第一连接部侧；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠。

[a02]根据[a01]所述的发光器件组件，其中，

第一连接部被加宽部分分割成两个区域。

[a03]根据[a02]所述的发光器件组件，其中，

分离部与加宽部分的整体平面形状是“t”形状；

“t”形状的水平条构成分离部，分离部将第一连接部与第二连接部彼此隔开；并且

“t”形状的竖直条构成将第一连接部割成两个区域的加宽部分。

[a04]根据[a01]至[a03]中任一项所述的发光器件组件，其中，

第一电极的第二部分从第一部分延伸并且在朝向第一连接部突出的同时包围第一部分。

[a05]根据[a01]至[a04]中任一项所述的发光器件组件，其中，

第一电极与第二电极相对于发光层设置在同一侧。

[a06]根据[a05]所述的发光器件组件，其中，

连通单元设置在发光器件的设置有第二电极的一部分及其附近中，第二电极经由连通单元与外部连通。

[a07]根据[a05]所述的发光器件组件，其中，

如果由l11表示第一电极的第二部分与基体之间的间隙的最短距离并且由l12表示第二电极与基体之间的间隙的最短距离，则满足l11<l12的关系。

[a08]根据[a05]至[a07]中任一项所述的发光器件组件，其中，

第一电极的第二部分与第一连接部经由第一导电单元相互连接；并且

第二电极与第二连接部经由第二导电单元相互连接。

[a09]根据[a01]至[a04]中任一项所述的发光器件组件，其中，

第二电极相对于发光层设置在第一电极的相对侧；并且

第二电极与第二连接部经由导体层相互连接。

[a10]根据[a09]所述的发光器件组件，其中，

第二连接部中包括不与发光器件重叠的导体层的一部分相对于第二连接部的正交投影图像。

[a11]根据[a01]至[a10]中任一项所述的发光器件组件，其中，

遮光膜形成在发光器件中。

[b01]<<发光器件组件：第二实施方式>>

一种发光器件组件，包括：

发光器件，包括：

发光层；

第一电极；以及

第二电极，电连接至发光层；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

连通单元设置在发光器件的设置有第一电极的第二部分的一部分及其附近，第一电极的第二部分经由连通单元与外部连通。

[b02]根据[b01]所述的发光器件组件，其中，

第一连接部不设置在基体的面向第一电极的至少一部分的一部分中。

[b03]根据[b01]或[b02]所述的发光器件组件，其中，

第一电极与第二电极相对于发光层设置在同一侧。

[b04]根据[b03]所述的发光器件组件，其中，

第二连通单元设置在设置有第二电极的发光器件的一部分及其附近，第二电极经由第二连通单元与外部连通。

[b05]根据[b03]或[b04]所述的发光器件组件，其中，

第一电极的第二部分与第一连接部经由第一导电单元相互连接；并且

第二电极与第二连接部经由第二导电单元相互连接。

[b06]根据[b01]或[b02]所述的发光器件组件，其中，

第二电极相对于发光层设置在第一电极的相对侧；并且

第二电极与第二连接部经由导体层相互连接。

[b07]根据[b06]所述的发光器件组件，其中，

第二连接部中包括不与发光器件重叠的导体层的一部分相对于第二连接部的正交投影图像。

[b08]根据[b01]至[b07]中任一项所述的发光器件组件，其中，

遮光膜形成在发光器件中。

[c01]<<显示装置>>

一种显示装置，包括：

根据[a01]至[b08]中任一项所述的发光器件组件，布置成二维矩阵状。

[d01]<<制造发光器件组件的方法：第一实施方式>>

一种制造发光器件组件的方法，该发光器件组件包括：

发光器件，包括发光层、第一电极、以及电连接至发光层的第二电极；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

加宽部分，设置在分离部的第一连接部侧；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，该方法至少包括：

经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层将发光器件设置在基体上，使得第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，第一电极的第二部分面向第一连接部，并且发光器件覆盖分离部；然后，

从基体的与设置有发光器件的一侧相对的一侧将能量射线应用于基体，以固化未被第一连接部和第二连接部遮挡的粘合层的一部分，并且然后，去除未固化或半固化的粘合层的部分；然后，

将第一电极的第二部分与第一连接部相互连接；并且然后，

经由分离部去除固化的粘合层。

[d02]<<制造发光器件组件的方法：第二实施方式>>

一种制造发光器件组件的方法，该发光器件组件包括：

发光器件，包括发光层、第一电极、以及电连接至发光层的第二电极；以及

第一连接部和第二连接部，设置在基体上；其中，

第一连接部与第二连接部通过分离部彼此隔开，通过分离部露出基体；

第一电极包括第一部分和第二部分，第一部分与发光层接触；

第一电极的第二部分连接至第一连接部；

第一电极的第一部分从第一电极的第二部分开始延伸；并且

连通单元设置在发光器件的设置有第一电极的第二部分的一部分中，第一电极的第二部分经由连通单元与外部连通，该方法至少包括：

经由未固化或半固化的能量射线可固化粘合层将发光器件设置在基体上，使得第一电极的第一部分相对于基体的正交投影图像与分离部的加宽部分彼此至少部分重叠，第一电极的第二部分面向第一连接部，并且发光器件覆盖分离部；然后，

从基体的与设置有发光器件的一侧相对的一侧将能量射线应用于基体，以固化未被第一连接部和第二连接部遮挡的粘合层的一部分，并且然后，去除未固化或半固化的粘合层的部分；然后，

将第一电极的第二部分与第一连接部相互连接；并且然后，

经由分离部去除固化的粘合层。

参考标识列表

11,12,13,14发光器件

11a,13a,13b发光器件的边

20发光层

21第一化合物半导体层

22第二化合物半导体层

22’第二化合物半导体层的光出射表面

23有源层

24绝缘层

25第二绝缘层

25a第二绝缘层的凹部

26第三绝缘层

27连通单元(第二连通单元)

28连通单元(第一连通单元)

29遮光膜

31,51第一电极

31a,51a第一电极的第二部分

31b,51b第一电极的第二部分

32,34,52,54第二电极

32a,34a,52a,54a第二电极的第一部分

32b,34b,52b,54b第二电极的第二部分

40基体

41第一连接部

41a,41b第一连接部的区域

41c未设置有第一连接部的基体的一部分

42,42a,42b第二连接部

42c未设置有第二连接部的基体的一部分

43分离部

44加宽部分

44’第二加宽部分

45a第一导电单元

45b第二导电单元

45b’电镀层

46导体层

46a未与发光器件重叠的导体层的一部分

47粘合层

47a粘合层的固化部分(固化部分)

47b粘合层的未固化或半固化部分。