半导体装置的制作方法

文档序号:16280125发布日期:2018-12-14 22:49阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地,绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置,从而能够确保绝缘距离。

技术研发人员:德山健;松下晃;诹访时人
受保护的技术使用者:日立汽车系统株式会社
技术研发日:2017.01.23
技术公布日:2018.12.14
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