沉积掩模用金属板以及沉积掩模及其制造方法与流程

一个实施方案涉及金属板。具体地，一个实施方案涉及能够用于沉积掩模的金属板。更具体地，可以通过使用根据一个实施方案的沉积掩模来制造有机发光二极管(oled)面板。
背景技术：
：随着对具有高清晰度和低功耗的显示装置的需要，已开发了各种显示装置，例如液晶显示装置和电致发光显示装置。与液晶显示装置相比，电致发光显示装置由于诸如低发光、低功耗和高清晰度等优异的特性而作为下一代显示装置受到关注。在电场显示装置中存在有机发光显示装置和无机发光显示装置。即，电场显示装置可以根据发光层的材料分为有机发光显示装置和无机发光显示装置。其中，有机发光显示装置受到关注，因为有机发光显示装置具有宽的视角，具有快的响应速度，并且需要具有低的功耗。构成这样的发光层的有机材料可以通过精细金属掩模法在基底上形成为具有用于形成像素的图案。此时，精细金属掩模即沉积用掩模可以具有与待在基底上形成的图案对应的通孔，并且形成像素的红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)的图案可以通过在使精细金属掩模在基底上对准之后沉积有机材料来形成。近来，在诸如虚拟现实(vr)装置的多种电子装置中需要具有超高清晰度(ultrahighdefinition，uhd)的显示装置。因此，需要能够形成uhd级图案的具有精细尺寸的通孔的精细金属掩模。可以通过蚀刻工艺在能够用作沉积掩模的金属板上形成复数个通孔。此时，当复数个通孔不均匀时，沉积的均匀性可能劣化，并且由于通过其形成的图案的沉积效率可能劣化，工艺效率可能劣化。同时，难以均匀地形成能够形成hd或uhd级图案的精细尺寸的通孔。或者，即使形成精细尺寸的通孔，相邻通孔也彼此连接，使得可能发生沉积失败。因此，需要一种新结构的沉积掩模用基底、沉积掩模及其制造方法。技术实现要素：技术问题一个实施方案旨在提供具有均匀的通孔的沉积掩模。一个实施方案旨在提供具有均匀且精细的通孔的沉积掩模。技术方案用于制造沉积掩模的金属板包括：基础金属板；设置在基础金属板的第一表面上的第一表面层；以及设置在基础金属板的与第一表面对置的第二表面上的第二表面层，其中第一表面层和第二表面层包含与基础金属板的元素不同的元素、或者与基础金属板的组成比不同的组成比，以及基础金属板的蚀刻速率大于第一表面层和第二表面层的蚀刻速率。根据一个实施方案的沉积掩模的制造方法包括：准备基础金属板；在基础金属板的第一表面上设置第一表面层；在基础金属板的第二表面上设置第二表面层；形成光致抗蚀剂层，以在第一表面层上设置第一光致抗蚀剂层并且在第二表面层上设置第二光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以形成通孔，第一表面的第一表面孔和第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通，其中蚀刻步骤具有第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面孔的2.5或更大的蚀刻因子，蚀刻因子通过以下式1计算：<式1>蚀刻因子＝b/a在该式中，b为蚀刻的第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的深度，a是指从一个表面孔上的桥接区域延伸并沿所述一个表面孔的中心方向突出的光致抗蚀剂层的宽度。根据一个实施方案的沉积掩模包括沉积掩模用金属板，所述沉积掩模用金属板包括：基础金属板，其包括彼此对置的第一表面和第二表面；在第一表面上的第一表面层；以及在第二表面上的第二表面层，其中沉积掩模用金属板包括沉积图案区域和非沉积区域，沉积图案区域包括复数个通孔，沉积图案区域分为有效区域、外部区域和无效区域，以及通孔可以形成在有效区域和外部区域中。有益效果根据一个实施方案的金属板可以包括基础金属板和设置在基础金属板上的表面层。表面层分别设置在基础金属板的第一表面上和与第一表面对置的第二表面上，使得基础金属板的第一表面和第二表面上的蚀刻速率可以延迟。因此，包括表面层的金属板可以形成均匀的通孔。即，用于制造沉积掩模的金属板包括具有改善的均匀性的通孔，使得经由通孔形成的图案的均匀性可以得到改善，并且工艺效率可以通过提高图案的沉积效率而得到提高。因此，通过使用根据该实施方案的沉积掩模所制造的oled面板具有优异的图案沉积效率，并且沉积均匀性可以得到改善。附图说明图1至图3是用于说明在基底上沉积有机材料的过程的概念图。图4至图7是示出根据一个实施方案的沉积掩模用金属板和沉积掩模的平面图的图。图8至图9是示出沉积掩模的有效区域的平面图的图。图10是第一实施方案的图，示出了沿图9中的线a-a’截取的截面图。图11至图15是示出根据第一实施方案的沉积掩模的制造方法的图。图16是根据一个实施方案的金属板的表面孔的照片。图17是根据一个比较例的金属板的表面孔的照片。图18是示出一个实施方案的蚀刻工艺中的截面图的图。图19是示出一个比较例的蚀刻工艺中的截面图的图。图20和图21是第二实施方案的图，示出了沿图9中的线a-a’截取的截面图。图22是示出根据第二实施方案的沉积掩模的图。图23是用于说明根据沉积掩模用金属板的厚度减小的形成通孔的容易性的图。图24是用于说明根据蚀刻因子的增大的形成通孔的容易性的图。图25至图30是示出根据图22的沉积掩模的制造方法的图。图31是示出根据第二实施方案的沉积掩模的通孔的另一个图。图32是示出根据第二实施方案的沉积掩模的通孔的又一个图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述实施方案。在参照附图进行描述时，相同的附图标记用于表示相同的要素，并且将省略其重复的描述。虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述要素，但是上述要素不应受上述术语限制，并且仅用于区分一个要素与另一要素。此外，当一个部分被称为“包括”一个要素时，除非另外具体说明，否则意指该部分也可以包括其他要素而不排除其他要素。将参照图1至图3描述用于在基底上沉积有机材料的过程。图1是示出其中包括根据一个实施方案的沉积掩模100的有机材料沉积设备的图。有机材料沉积设备可以包括沉积掩模100、掩模框架200、基底300、有机材料沉积容器400和真空室500。沉积掩模100可以包括复数个通孔th。沉积掩模100可以是包括复数个通孔th的沉积掩模用基底。此时，通孔可以形成为与待在基底上形成的图案对应。掩模框架200可以包括开口。沉积掩模100的复数个通孔可以设置在与开口对应的区域上。因此，可以将供应至有机材料沉积容器400的有机材料沉积在基底300上。沉积掩模可以设置并固定在掩模框架200上。例如，可以通过焊接将沉积掩模张紧并固定在掩模框架200上。参照图1和图2，在沉积掩模100的设置在最外部的端部处，可以沿相反方向拉动沉积掩模100。在沉积掩模100中，在沉积掩模100的纵向方向上可以将沉积掩模100的一端和与这一端相对的另一端沿相反方向拉动。沉积掩模100的一端和另一端可以彼此对置并且平行设置。沉积掩模100的一端可以是设置在沉积掩模100的最外部上的形成四个侧表面的端部之一。例如，可以以0.4kgf至1.5kgf的力拉动沉积掩模100。因此，可以将张紧的沉积掩模100放置在掩模框架200上。接下来，可以通过焊接沉积掩模100的侧部区域即端部使沉积掩模100固定至掩模框架200。随后，可以通过诸如切割的方法除去沉积掩模100的设置在掩模框架200外侧的部分。例如，当沉积掩模100在焊接过程中变形并且沉积掩模100被设置在除沉积掩模100的固定区域和掩模框架200之外的区域中时，可以除去沉积掩模100的一部分。参照图1和图3，基底300可以是用于制造显示装置的基底。红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)的图案可以形成在基底300上以形成作为光的三原色的像素。有机材料沉积容器400可以是坩埚。有机材料可以设置在坩埚的内部。当向真空室500中的坩埚供应热源和/或电流时，可以将有机材料沉积在基底100上。图3是沉积掩模100的一个通孔的放大图。沉积掩模100可以包括第一表面101和与所述第一表面对置的第二表面102。沉积掩模100的第一表面101可以包括第一表面孔v1，沉积掩模100的第二表面102可以包括第二表面孔v2。通孔可以由连接部分ca形成，第一表面孔v1和第二表面孔v2通过连接部分ca彼此连通。第二表面孔v2的宽度可以大于第一表面孔v1的宽度。此时，第一表面孔v1的宽度可以在第一表面101处测量，第二表面孔v2的宽度可以在第二表面102处测量。第一表面孔v1可以朝向基底300设置。因此，第一表面孔v1可以具有与沉积材料d(即，图案)对应的形状。第二表面孔v2可以朝向有机材料沉积容器400设置。因此，第二表面孔v2可以以宽的宽度容纳从有机材料沉积容器400供应的有机材料，并且可以通过具有比第二表面孔v2的宽度更小的宽度的第一表面孔v1在基底300上快速形成精细图案。图4至图7是示出根据一个实施方案的沉积掩模用基底和沉积掩模的平面图的图。参照图4至图7，根据一个实施方案的沉积掩模用基底和沉积掩模可以包括沉积图案区域da和非沉积区域nda。沉积图案区域da可以是用于通过沉积图案部分来沉积有机材料的区域。沉积图案区域da可以包括包括在一个沉积掩模中的复数个沉积图案部分aa1、aa2和aa3。复数个沉积图案部分可以包括第一有效区域aa1、第二有效区域aa2和第三有效区域aa3。一个沉积图案部分可以是第一有效区域aa1、第二有效区域aa2和第三有效区域aa3中的任一者。在诸如智能手机的小尺寸显示装置的情况下，包括在一个沉积掩模中的一个沉积图案部分可以是用于形成一个显示装置的沉积图案部分。因此，一个沉积掩模可以包括复数个沉积图案部分，并且可以同时形成复数个显示装置。因此，根据一个实施方案的沉积掩模可以提高工艺效率。或者，在诸如电视机的大尺寸显示装置的情况下，包括在一个沉积掩模中的复数个沉积图案部分可以是用于形成一个显示装置的部分。此时，复数个沉积图案部分可以用于防止由于掩模的负荷而造成的变形。沉积图案区域da可以包括包括在一个沉积掩模中的复数个隔离区域ia1和ia2。隔离区域ia1和ia2可以设置在相邻的沉积图案部分之间。隔离区域可以是复数个沉积图案部分之间的间隔区域。例如，第一隔离区域ia1可以设置在第一有效区域aa1与第二有效区域aa2之间。例如，第二隔离区域ia2可以设置在第二有效区域aa2与第三有效区域aa3之间。隔离区域使得相邻的沉积图案部分能够被区分开，使得复数个沉积图案部分可以由一个沉积掩模支承。沉积掩模可以包括在沉积图案区域da的纵向方向上的两个侧面部分上的非沉积区域nda。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括在沉积图案区域da的水平方向上的两侧上的非沉积区域nda。沉积掩模的非沉积区域nda可以是不涉及沉积的区域。非沉积区域nda可以包括用于固定至掩模框架的框架固定区域fa1和fa2。例如，沉积掩模的非沉积区域nda可以包括在沉积图案区域da的一侧上的第一框架固定区域fa1，并且可以包括在与所述沉积图案区域da的这一侧相对的另一侧上的第二框架固定区域fa2。第一框架固定区域fa1和第二框架固定区域fa2可以是通过焊接固定至掩模框架的区域。非沉积区域nda可以包括半蚀刻部分hf1和hf2。例如，沉积掩模的非沉积区域nda可以包括在沉积图案区域da的一侧上的第一半蚀刻部分hf1，并且可以包括在与所述沉积图案区域da的这一侧相对的另一侧上的第二半蚀刻部分hf2。第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以是其中在沉积掩模的深度方向上形成有凹槽的区域。由于第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以具有厚度为沉积掩模厚度的约1/2的凹槽，因此可以在拉动沉积掩模时分散应力。此外，可以在形成第一表面孔或第二表面孔的同时形成半蚀刻部分。通过其可以提高工艺效率。此外，可以在沉积图案区域da区域中形成表面层，表面层可以不形成在非沉积区域nda中，或者表面层可以仅形成在基底的第一表面或第二表面的一部分上，或者表面层可以仅形成在第一表面的一部分上，从而可以通过形成与第一表面孔或第二表面孔的蚀刻因子不同的半蚀刻部分的蚀刻因子来调节应力分散。半蚀刻部分可以形成在沉积图案区域da的无效区域ua中。为了在拉动沉积掩模时分散应力，可以将复数个半蚀刻部分设置成分散在无效区域ua的全部或一部分中。此外，半蚀刻部分可以形成在框架固定区域和/或框架固定区域的外周区域中。因此，可以使在将沉积掩模固定在框架上时和/或在将沉积掩模固定在框架上之后使沉积材料沉积时产生的沉积掩模的应力均匀地分散。因此，可以使沉积掩模保持为具有均匀的通孔。非沉积区域nda的用于固定在掩模框架上的框架固定区域fa1和fa2可以设置在非沉积区域nda的半蚀刻部分hf1和hf2与沉积图案区域da的邻近半蚀刻部分hf1和hf2的有效区域之间。例如，第一框架固定区域fa1可以设置在非沉积区域nda的第一半蚀刻部分hf1与沉积图案区域da的邻近第一半蚀刻部分hf1的第一有效区域aa1之间。例如，第二框架固定区域fa2可以设置在非沉积区域nda的第二半蚀刻部分hf2与沉积图案区域da的邻近第二半蚀刻部分hf2的第三有效区域aa3之间。因此，可以同时固定复数个沉积图案部分。沉积掩模可以在水平方向x上的两端处包括半圆形开口部分。沉积掩模的非沉积区域nda可以在水平方向上的两端中的每一者处包括一个半圆形开口部分。例如，沉积掩模的非沉积区域nda可以包括其在垂直方向y上的中心在水平方向的一侧上开口的开口部分。例如，沉积掩模的非沉积区域nda可以包括其在垂直方向上的中心在与所述水平方向上的一侧相对的另一侧上开口的开口部分。即，沉积掩模的两端可以包括在垂直方向上的长度的1/2点处的开口部分。例如，沉积掩模的两端可以成形为马蹄形。半蚀刻部分可以形成为各种形状。参照图4至图6，半蚀刻部分可以包括半圆形凹槽部分。凹槽可以形成在沉积掩模的第一表面101和第二表面102中的至少一者上。优选地，半蚀刻部分可以形成在对应于第一表面孔的表面(待沉积的表面侧)上。因此，半蚀刻部分可以使由于第一表面孔与第二表面孔之间的尺寸差异而可能产生的应力分散。或者，半蚀刻部分可以形成在第一表面和第二表面的两个表面上，以分散第一表面和第二表面的应力。此时，半蚀刻部分的半蚀刻区域在对应于第一表面孔的表面(待沉积的表面侧)处可以更宽。即，根据一个实施方案的沉积掩模可以通过分别在沉积掩模的第一表面和第二表面上形成凹槽而包括半蚀刻部分。具体地，形成在第一表面上的半蚀刻部分的凹槽的深度可以大于形成在第二表面上的半蚀刻部分的凹槽的深度。因此，半蚀刻部分可以使由于第一表面孔与第二表面孔之间的尺寸差异而可能产生的应力分散。由于通过形成第一表面孔、第二表面孔和半蚀刻部分而可以使沉积掩模的第一表面和第二表面的表面面积彼此相似，因此可以防止通孔偏移。此外，形成在第一表面和第二表面上的凹槽可以形成为彼此偏移。通过其可以防止半蚀刻部分形成通孔。半蚀刻部分可以包括弯曲表面和平坦表面。第一半蚀刻部分hf1的平坦表面可以设置为与第一有效区域aa1相邻，并且平坦表面可以水平地设置在沉积掩模的纵向方向上的一端。第一半蚀刻部分hf1的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模的纵向方向上的一端的凸形形状。例如，第一半蚀刻部分hf1的弯曲表面可以形成为使得沉积掩模的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。第二半蚀刻部分hf2的平坦表面可以设置为与第三有效区域aa3相邻，并且平坦表面可以水平地设置在沉积掩模的纵向方向上的一端。第二半蚀刻部分hf2的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模的纵向方向上的另一端的凸形形状。例如，第二半蚀刻部分hf2的弯曲表面可以形成为使得沉积掩模的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。同时，位于沉积掩模两端的开口部分的弯曲表面可以指向半蚀刻部分。因此，位于沉积掩模的两端的开口部分可以在第一半蚀刻部分或第二半蚀刻部分处并且在沉积掩模的垂直方向上的长度的1/2点处具有最短的分离距离。参照图7，半蚀刻部分可以具有矩形形状。第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2可以具有矩形形状或正方形形状。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括复数个半蚀刻部分。根据该实施方案的沉积掩模可以包括在沉积图案区域da和非沉积区域nda中的至少一者中的复数个半蚀刻部分。根据该实施方案的沉积掩模可以包括仅在无效区域ua中的半蚀刻部分。无效区域ua可以是除有效区域aa之外的区域。参照图4和图7，根据一个实施方案的沉积掩模可以包括两个半蚀刻部分。例如，半蚀刻部分可以包括偶数个半蚀刻部分。根据该实施方案的沉积掩模可以仅设置在非沉积区域nda中。优选形成在x轴方向或y轴方向上相对于掩模的中心对称的半蚀刻部分。通过其可以使两个方向上的张力相等。参照图5，根据一个实施方案的沉积掩模可以包括四个半蚀刻部分。例如，半蚀刻部分可以包括偶数个半蚀刻部分。根据该实施方案的沉积掩模可以包括仅在非沉积区域nda中的复数个半蚀刻部分。还可以在第一半蚀刻部分hf1与第一有效区域aa1之间包括第三半蚀刻部分hf3。例如，第三半蚀刻部分hf3可以设置在第一框架固定区域fa1与第一有效区域aa1之间。还可以在第二半蚀刻部分hf2与第三有效区域aa3之间包括第四半蚀刻部分hf4。例如，第四半蚀刻部分hf4可以设置在第二框架固定区域fa2与第三有效区域aa3之间。设置在水平方向上彼此对应的位置处的第一半蚀刻部分hf1可以具有与第二半蚀刻部分hf2的形状对应的形状。设置在水平方向上彼此对应的位置处的第三半蚀刻部分hf3可以具有与第四半蚀刻部分hf4的形状对应的形状。设置在不同位置处的第一半蚀刻部分hf1可以具有与第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4中的任一者的形状不同的形状。然而，该实施方案不限于此，并且第一半蚀刻部分hf1、第二半蚀刻部分hf2、第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4全部可以具有相同的形状。虽然已经在该实施方案中描述了四个半蚀刻部分，但是在无效区域ua中形成的范围内半蚀刻部分可以形成为各种形状和各种数量。即，如果半蚀刻部分的形状形成为在沉积掩模的水平方向x上相对于中心相互对称，则任何形状都是可接受的。此外，半蚀刻部分的数量可以为六个或更多个。第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有形状。例如，第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有矩形形状。第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有在沉积掩模的垂直方向上延伸的矩形形状。具体地，第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4在垂直方向y上的长度可以长于在水平方向x上的长度。因此，半蚀刻部分可以有效地控制在将沉积掩模固定至框架时产生的应力。参照图6，根据一个实施方案的沉积掩模可以包括四个半蚀刻部分。例如，半蚀刻部分可以包括偶数个半蚀刻部分。根据该实施方案的沉积掩模可以包括分别在非沉积区域nda和沉积图案区域da中的复数个半蚀刻部分。非沉积区域nda可以包括第一半蚀刻部分hf1和第二半蚀刻部分hf2。沉积图案区域da可以包括第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4。第三半蚀刻部分hf3可以设置在第一有效区域aa1与第二有效区域aa2之间。例如，第三半蚀刻部分hf3可以设置在第一隔离区域ia1中。第四半蚀刻部分hf3可以设置在第二有效区域aa2与第三有效区域aa3之间。例如，第四半蚀刻部分hf4可以设置在第二隔离区域ia2中。设置在水平方向上彼此对应的位置处的第一半蚀刻部分hf1可以具有对应于第二半蚀刻部分hf2的形状。设置在水平方向上彼此对应的位置处的第三半蚀刻部分hf3可以具有对应于第四半蚀刻部分hf4的形状。设置在不同位置的第一半蚀刻部分hf1可以具有与第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4中的任一者不同的形状。然而，实施方案不限于此，并且第一半蚀刻部分hf1、第二半蚀刻部分hf2、第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4全部可以具有相同的形状。第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有四边形形状。例如，第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有矩形形状。第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4可以具有在沉积掩模的垂直方向上延伸的矩形形状。具体地，第三半蚀刻部分hf3和第四半蚀刻部分hf4在垂直方向y上的长度可以长于在水平方向x上的长度。位于沉积掩模的两端的开口部分的垂直方向y上的长度可以对应于半蚀刻部分的垂直方向上的长度，或者可以彼此不同。例如，参照图4至图6，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的平坦表面部分的垂直方向上的长度d1可以大于开口部分的垂直方向上的长度d2。例如，参照图5和图6，第三半蚀刻部分hf1或第四半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d3可以大于开口部分的垂直方向上的长度d2。第三半蚀刻部分hf1或第四半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d3可以对应于第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的平坦表面部分的垂直方向上的长度d1。例如，参照图7，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d1可以对应于开口部分的垂直方向上的长度d2。因此，当沉积掩模被拉动时，应力可以均匀地分散，使得沉积掩模的变形(波纹变形)可以减少。因此，根据一个实施方案的沉积掩模可以具有均匀的通孔，使得图案的沉积效率可以提高。优选地，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d1可以为开口部分的垂直方向上的长度d2的80％至200％(d1:d2＝0.8至2:1)。第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d1可以为开口部分的垂直方向上的长度d2的90％至150％(d1:d2＝0.9至1.5:1)。第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d1可以为开口部分的垂直方向上的长度d2的95％至110％(d1:d2＝0.95至1.1:1)。此外，第二半蚀刻部分hf2的平坦表面部分的垂直方向上的长度d1和第四半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d3可以对应于第一有效区域aa1的垂直方向上的长度。通过其可以使张力均匀地施加至形成在有效区域中的通孔。优选地，第一半蚀刻部分hf1或第二半蚀刻部分hf2的垂直方向上的长度d1可以为有效区域的垂直方向上的长度的80％至120％。优选地，第三半蚀刻部分hf3或第四半蚀刻部分hf4的垂直方向上的长度d3可以为有效区域的垂直方向上的长度的80％至120％。将参照图4的放大图描述包括在有效区域和无效区域中的通孔。虽然在图5至图7中未示出放大图，但是显然有效区域和无效区域包括通孔。沉积掩模可以包括有效区域aa和无效区域ua。沉积掩模100可以包括：包括复数个通孔th和桥接区域br的有效区域aa、以及设置在有效区域的外周的无效区域ua。有效区域aa可以是当复数个通孔中位于用于沉积有机材料的最外部的通孔的外周连接时的内部区域。无效区域ua可以是当复数个通孔中用于沉积有机材料的位于最外部的通孔的外周连接时的外部区域。无效区域ua是非沉积区域nda和沉积图案区域da的除有效区域之外的区域。无效区域ua可以包括围绕有效区域aa1、aa2和aa3的外周的外部区域oa1、oa2和oa3。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括位于复数个沉积图案部分的外周上的复数个外部区域oa1、oa2和oa3。沉积图案部分的数量可以对应于外部区域的数量。即，一个沉积图案部分可以包括在水平方向和垂直方向上与一个沉积图案部分的端部以预定距离间隔开的一个外部区域。第一有效区域aa1可以包括在第一外部区域oa1中。第一有效区域aa1可以包括用于形成沉积材料的复数个通孔。围绕第一有效区域aa1的外周的第一外部区域oa1可以包括复数个通孔。第一有效区域aa1可以是四边形形状，并且第一外部区域oa1可以是四边形形状。例如，第一有效区域aa1可以是矩形形状，并且第一外部区域oa1可以是矩形形状。例如，第一有效区域aa1可以是正方形形状，并且第一外部区域oa1可以是正方形形状。相对于位于第一有效区域aa1的最外部的通孔，第一外部区域oa1还可以在水平方向和垂直方向上分别包括两个通孔。例如，在第一外部区域oa1中，在位于第一有效区域aa1的最外部的通孔的上部和下部，两个通孔可以分别在水平方向上成排设置。例如，在第一外部区域oa1中，在位于第一有效区域aa1的最外部的通孔的左侧和右侧，两个通孔可以分别在垂直方向上成排设置。包括在第一外部区域oa1中的复数个通孔用于使位于有效区域的最外部的通孔的蚀刻失败减少。因此，根据该实施方案的沉积掩模可以改善位于有效区域中的复数个通孔的均匀性，并且可以改善通过其产生的沉积图案的品质。其中分别位于第一有效区域aa1的最外部的上部和下部的一个通孔在水平方向上成排设置的第一外部区域oa1的通孔组的形状可以对应于第一有效区域aa1的通孔的形状。此外，其中分别位于第一有效区域aa1的最外部的左侧和右侧的一个通孔在垂直方向上成排设置的第一外部区域oa1的通孔组的形状可以对应于第一有效区域aa1的通孔的形状。因此，包括在第一有效区域aa1中的通孔的均匀性可以得到改善。包括在有效区域中的通孔的形状可以部分地对应于包括在无效区域中的通孔的形状。包括在有效区域中的通孔的形状可以与位于无效区域的边缘部分的通孔的形状不同。位于第一外部区域oa1的最外部角处的四个通孔eh的形状可以与包括在第一有效区域aa1中的通孔的形状不同。例如，位于第一外部区域oa1的最外部角处的四个边缘孔eh可以具有圆形形状。在此，圆形形状可以意指包括整个的弯曲表面的形状。例如，包括在第一有效区域aa1中的通孔可以具有四边形形状。在此，四边形形状可以是矩形形状，并且可以意指具有圆角的矩形形状。即，包括在有效区域aa1中的通孔在水平方向和垂直方向上可以具有不同的直径。边缘孔eh的直径可以与包括在有效区域aa1中的通孔的水平方向和垂直方向上的直径中的任一者不同。例如，如图4所示，边缘孔eh的直径可以与包括在有效区域aa1中的通孔的水平方向上的直径不同。边缘孔eh的直径可以与包括在有效区域aa1中的通孔的垂直方向上的直径相同。包括在除边缘孔eh之外的剩余无效区域中的通孔的形状可以对应于包括在有效区域中的通孔的形状。此外，包括在无效区域中的通孔的形状可以与包括在有效区域中的通孔的形状不同。通过其可以调节由沉积掩模的位置引起的应力差异。通孔边缘部分形成在无效区域ua中，并且通过该边缘部分可以除去有效区域的边缘部分处的沉积缺陷。即，在该实施方案中，由于沉积掩模的边缘孔eh形成在非有效区域中，因此位于有效区域的边缘部分的通孔可以位于边缘孔eh的内侧。因此，位于有效区域的边缘部分的通孔和位于有效区域内的通孔中的一者可以具有相同的沉积效果。具体地，由于无效区域ua中包括有通孔，因此位于有效区域的边缘部分中的通孔和位于有效区域中的通孔的均匀性可以得到改善。第二有效区域aa2可以包括在第二外部区域oa2中。第二有效区域aa2可以包括用于形成沉积材料的复数个通孔。围绕第二有效区域aa2的外周的第二外部区域oa2可以包括复数个通孔。第二有效区域aa2的形状可以对应于第一有效区域aa1的形状。第二外部区域oa2的形状可以对应于第一外部区域oa1的形状。相对于位于第二有效区域aa2的最外部的通孔，第二外部区域oa2还可以在水平方向和垂直方向上分别包括两个通孔。例如，在第二外部区域oa2中，在位于第二有效区域aa2的最外部的通孔的上部和下部，两个通孔可以分别在水平方向上成排设置。例如，在第二外部区域oa2中，在位于第二有效区域aa2的最外部的通孔的左侧和右侧，两个通孔可以分别在垂直方向上成排设置。包括在第二外部区域oa2中的复数个通孔用于使位于有效区域的最外部的通孔的蚀刻失败减少。因此，根据该实施方案的沉积掩模可以改善位于有效区域中的复数个通孔的均匀性，并且可以改善通过其产生的沉积图案的品质。其中分别位于第二有效区域aa2的最外部的上部和下部的一个通孔在水平方向上成排设置的第二外部区域oa2的通孔组的形状可以对应于第二有效区域aa2的通孔的形状。此外，其中分别位于第二有效区域aa2的最外部的左侧和右侧的一个通孔在垂直方向上成排设置的第二外部区域oa2的通孔组的形状可以对应于第二有效区域aa2的通孔的形状。因此，包括在第二有效区域aa2中的通孔的均匀性可以得到改善。位于第二外部区域oa2的最外部角处的四个通孔的形状可以与包括在第二有效区域aa2中的通孔的形状不同。例如，位于第二外部区域oa2的最外部角处的四个边缘孔eh可以具有圆形形状。在此，圆形形状可以意指包括整个的弯曲表面的形状。包括在第二外部区域oa2中的边缘孔eh可以包括与包括在第一外部区域oa1中的边缘孔eh的形状对应的形状。例如，包括在第一有效区域aa1中的通孔可以具有四边形形状。包括在第二有效区域aa2中的通孔可以包括与包括在第一有效区域aa1中的通孔的形状对应的形状。第三有效区域aa3可以包括在第三外部区域oa3中。第三有效区域aa3可以包括用于形成沉积材料的复数个通孔。围绕第三有效区域aa3的外周的第三外部区域oa3可以包括复数个通孔。第三有效区域aa3的形状可以对应于第一有效区域aa1的形状。第三外部区域oa3的形状可以对应于第一外部区域oa1的形状。相对于位于第三有效区域aa3的最外部的通孔，第三外部区域oa3还可以在水平方向和垂直方向上分别包括两个通孔。例如，在第三外部区域oa3中，在位于第三有效区域aa3的最外部的通孔的上部和下部，两个通孔可以在水平方向上成排设置。例如，在第三外部区域oa3中，在位于第三有效区域aa3的最外部的通孔的左侧和右侧，两个通孔可以分别在垂直方向上成排设置。包括在第三外部区域oa3中的复数个通孔用于使位于有效区域的最外部的通孔的蚀刻失败减少。因此，根据该实施方案的沉积掩模可以改善位于有效区域中的复数个通孔的均匀性，并且可以改善通过其产生的沉积图案的品质。其中分别位于第三有效区域aa3的最外部的上部和下部的一个通孔在水平方向上成排设置的第三外部区域oa3的通孔组的形状可以对应于第三有效区域aa3的通孔的形状。此外，其中分别位于第三有效区域aa3的最外部的左侧和右侧的一个通孔在垂直方向上成排设置的第三外部区域oa3的通孔组的形状可以对应于第三有效区域aa3的通孔的形状。因此，包括在第三有效区域aa3中的通孔的均匀性可以得到改善。位于第三外部区域oa3的最外部角处的四个通孔eh的形状可以与包括在第三有效区域aa3中的通孔的形状不同。例如，位于第三外部区域oa3的最外部角处的四个边缘孔eh可以具有圆形形状。在此，圆形形状可以意指包括整个的弯曲表面的形状。包括在第三外部区域oa3中的边缘孔eh可以包括与包括在第一外部区域oa1中的边缘孔eh的形状对应的形状。例如，包括在第三有效区域aa3中的通孔可以具有四边形形状。包括在第三有效区域aa3中的通孔可以包括与包括在第一有效区域aa1中的通孔的形状对应的形状。图8和图9是示出沉积掩模的有效区域的平面图的图。图8和图9是第一有效区域aa1、第二有效区域aa2和第三有效区域aa3中的任一有效区域的平面图。图8和图9是用于说明通孔的布置的图，并且根据一个实施方案的沉积掩模不限于图中的多个通孔。沉积掩模100可以包括复数个通孔。图8和图9中所示的复数个通孔可以为第二表面孔v2。在测量参照孔(其为通孔中的任一个)的水平方向上的直径cx和垂直方向上的直径cy的情况下，与参照孔相邻的各孔(如图中所示的总计六个孔)的水平方向上的直径cx之间的偏差以及垂直方向上的直径cy之间的偏差可以实现为2％至10％。即，当一个参照孔的相邻孔之间的尺寸偏差实现为2％至10％时，可以确保沉积均匀性。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为4％至9％。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为5％至7％。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为2％至5％。当参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差小于2％时，可能增加沉积后oled面板中的莫尔条纹(moire)的发生率。如果参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差大于10％，则可能增加沉积后oled面板中的色彩不均匀的发生率。通孔的直径的平均偏差可以为±5μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以为±3μm。在该实施方案中，可以通过使参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差实现在±3μm内来提高沉积效率。通孔可以成排设置，或者可以根据方向设置成彼此交错。例如，参照图8，通孔可以在垂直轴上成排设置，并且可以在水平轴上成排设置。例如，参照图9，通孔可以在垂直轴上成排设置，并且可以在水平轴上设置成彼此交错。或者，通孔可以在垂直轴上设置成彼此交错，并且可以在水平轴上成排设置。在通孔中，在水平方向上测量的第一直径cx和在垂直方向上测量的第二直径cy可以彼此对应或者可以彼此不同。在通孔中，在对应于a-a’的截面方向的第一对角线方向上测量的第三直径与在与第一对角线方向交叉的第二对角线方向上测量的第四直径可以彼此对应或者彼此不同。通孔可以是圆化的。在下文中，将在图10至图15中描述根据第一实施方案的沉积掩模。图10是根据第一实施方案的沉积掩模的复数个通孔的放大截面图。根据一个实施方案的包括在沉积掩模中的金属板可以包括：基础金属板，其包括彼此对置的第一表面和第二表面；设置在第一表面上的第一表面层；以及设置在第二表面上的第二表面层，其中第一表面层和第二表面层可以包含与基础金属板的元素不同的元素，或者元素含量可以不同。以这种方式，基础金属板的蚀刻速率可以与第一表面层和第二表面层的蚀刻速率不同。第一表面层和第二表面层可以各自是金属表面层。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括：基础金属板；设置在基础金属板的第一表面上的第一表面层；以及设置在金属层的与第一表面相对的第二表面上的第二表面层，其中第一表面层和第二表面层可以包含与基础金属板的元素不同的元素，或者元素含量可以不同。以这种方式，基础金属板的蚀刻速率可以与第一表面层和第二表面层的蚀刻速率不同。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括复数个通孔，所述复数个通孔穿过基础金属板、第一表面层和第二表面层并且包括彼此连通的第一表面孔和第二表面孔的。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括在各个通孔之间的桥接区域，并且第一表面层或第二表面层可以设置在桥接区域上。金属板可以包括具有复数个通孔的中心区域和位于中心区域的外边界处的外部区域。中心区域可以是涉及图案形成的区域，并且外部区域可以是不涉及图案形成的区域。例如，中心区域可以是有效区域，并且外部区域可以是除有效区域之外的区域。设置在中心区域处的第一表面层的厚度可以对应于设置在外部区域处的第一表面层的厚度，并且设置在中心区域处的第二表面层的厚度可以对应于设置在外部区域处的第二表面层的厚度。参照图10，沉积掩模100可以包括基础金属板100a和表面层。例如，沉积掩模100可以包括基础金属板100a、设置在基础金属板100a的第一表面101上的第一表面层110、以及设置在与第一表面101相对的第二表面102上的第二表面层120。基础金属板100a可以包含金属材料。基础金属板100a可以包含镍合金。例如，基础金属板100a可以是镍和铁的合金。此时，镍可以为约35重量％至37重量％，并且铁可以为约63重量％至65重量％。例如，基础金属板100a可以包含殷钢，所述殷钢包含约35重量％至37重量％的镍，约63重量％至65重量％的铁以及痕量的c、si、s、p、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、ag、nb、v、in和sb中的至少一者。在此，少量可以意指不超过1重量％。具体地，在此，痕量可以指0.5重量％或更少。然而，基础基底100a不限于此，并且显然可以包含多种金属材料。由于镍合金例如殷钢的具有小的热膨胀系数，其具有可以增加沉积掩模的寿命的优点。然而，存在的问题是镍合金例如殷钢的均匀蚀刻是困难的。即，在镍合金例如殷钢中，在蚀刻的初始阶段随着蚀刻速率增加，通孔可能扩大到侧表面，因此可能发生光致抗蚀剂层的脱膜。此外，当对殷钢进行蚀刻时，随着通孔尺寸的增加，可能难以形成具有精细尺寸的通孔。此外，通孔不均匀地形成，使得沉积用掩模的良品率可能劣化。因此，在一个实施方案中，用于表面改性的表面层可以设置在具有不同的组成、含量、晶体结构和腐蚀速率的基础金属板的表面上。在此，表面改性可以意指设置在表面上以改善蚀刻因子的由各种材料制成的层。一个实施方案的沉积掩模用金属板可以包括用于防止对基础金属板的表面的快速蚀刻的表面层。表面层可以是蚀刻速率低于基础金属板的蚀刻速率的蚀刻阻挡层。表面层的晶面和晶体结构可以与基础金属层的晶面和晶体结构不同。例如，由于表面层包含与基础金属层的元素不同的元素，晶面和晶体结构可以彼此不同。在相同的腐蚀环境中，表面层可以具有与基础金属板的腐蚀电位不同的腐蚀电位。例如，当相同的蚀刻剂在相同温度下施加相同的时间时，表面层的腐蚀电流或腐蚀电位可能具有与基础金属板的腐蚀电流或腐蚀电位不同。基础金属板100a可以包含与第一表面层110的元素不同的元素。此外，基础金属板100a可以包含与第二表面层120的元素不同的元素。即，第一表面层110和第二表面层120可以包含未包含在基础金属板110a中的不同元素。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含铬(cr)，并且基础金属板100a可以包含除cr之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含cr，因此金属板的表面处的腐蚀速率可能低于基础金属板100a的表面的腐蚀速率。此外，表面层的cr含量可以形成为高于基础金属板的cr含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的腐蚀速率慢。例如，当基础金属板100a是包含36重量％的镍和64重量％的铁的殷钢时，第一表面层110和第二表面层120可以各自为包含0.01重量％至24重量％的cr的合金层。此时，第一表面层110和第二表面层120可以各自包含1重量％至24重量％的cr和76重量％至99重量％的镍(ni)或者76重量％至99重量％的ni和fe。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含钛(ti)，并且基础金属板100a可以包含除钛(ti)之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含ti，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的ti含量可以形成为高于基础金属板的ti含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的腐蚀速率慢。例如，当基础金属板100a是包含36重量％的镍和64重量％的铁的殷钢时，第一表面层110和第二表面层120可以各自为包含0.5重量％至10重量％的ti的合金层。此时，第一表面层110和第二表面层120可以各自包含0.5重量％至10重量％的ti和90重量％至99.5重量％的ni或者90重量％至99.5重量％的ni和fe。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含锰(mn)，并且基础金属板100a可以包含除mn之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于mn的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的mn含量可以形成为高于基础金属板的mn含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含钼(mo)，并且基础金属板100a可以包含除mo之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于mo的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的mo含量可以形成为高于基础金属板的mo含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含银(ag)，并且基础金属板100a可以包含除ag之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于ag的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率低。此外，表面层的ag含量可以形成为高于基础金属板的ag含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含锌(zn)，并且基础金属板100a可以包含除zn之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于zn的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的zn含量可以形成为高于基础金属板的zn含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含氮(n)，并且基础金属板100a可以包含除n之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于n的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的n含量可以形成为高于基础金属板的n含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含铝(al)，并且基础金属板100a可以包含除al之外的元素。由于第一表面层110和第二表面层120包含基于al的合金，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的al含量可以形成为高于基础金属板的al含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含氧元素。即，第一表面层110和第二表面层120可以是金属氧化物层。具体地，第一表面层110和第二表面层120可以包含铁氧化物和镍氧化物中的至少一者作为金属氧化物。第一表面层110中的氧含量可以高于基础金属板100a中的氧含量。第二表面层120中的氧含量可以高于基础金属板100a中的氧含量。由于第一表面层110和第二表面层120包含金属氧化物，因此金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。此外，表面层的o含量可以形成为高于基础金属板的o含量，并且金属板的表面处的腐蚀速率可以比基础金属板100a的表面的腐蚀速率慢。在一个实施方案中，第一表面层110和第二表面层120包含与基础金属板110a的元素不同的元素，使得第一表面层和第二表面层的腐蚀速率可以比基础金属板的腐蚀速率慢。因此，根据该实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以增大。此外，由于根据该实施方案的沉积掩模可以均匀地形成复数个通孔，因此可以提高r、g和b图案的沉积效率。在此，包含不同元素可以意指基础金属板110a和表面层包含至少一种不同的元素，或者即使所有元素都相同，也包含具有不同含量的合金。基础金属板100a可以具有与第一表面层110不同的所包含的元素的组成。此外，基础金属板100a可以具有与第二表面层120不同的所包含的元素的组成。即，即使第一表面层110和第二表面层120包含与构成基础金属板110a的元素相同的元素，相同的元素也可以具有不同的含量。例如，当基础金属板100a是包含36重量％的镍和64重量％的铁的殷钢时，即使第一表面层110和第二表面层120包含镍和铁中的至少一者，第一表面层110和第二表面层120也可以具有与基础金属板100a不同的镍或铁含量。第一表面层110中的氮含量可以大于或小于基础金属板100a的氮含量。此外，第二表面层120中的氮含量可以大于或小于基础金属板100a中的氮含量。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含氮(n)元素。具体地，第一表面层110和第二表面层120中的每一层可以为包含20重量％至70重量％的n元素的基于氮的合金。第一表面层110中的铁含量可以大于或小于基础金属板100a的铁含量。此外，第二表面层120中的铁含量可以大于或小于基础金属板100a中的铁含量。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含铁(fe)元素。具体地，第一表面层110和第二表面层120中的每一层可以为包含20重量％至70重量％的fe元素的基于铁的合金。第一表面层110和第二表面层120可以包含彼此对应的元素。在此，“彼此对应”可以意指元素的含量百分比相同，并且可以包括由于公差引起的误差范围。第一表面层110和第二表面层120可以包含以下中的至少一种金属：ni、cr、fe、ti、mn、o、mo、ag、zn、n、al，及其合金。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含以下中的任一种单一元素：ni、cr、fe、ti、mn、o、mo、ag、zn、n和al。例如，第一表面层110和第二表面层120可以为包含以下中的两种元素的二元合金：ni、cr、fe、ti、mn、o、mo、ag、zn、n和al。例如，第一表面层110和第二表面层120可以为包含以下中的三种元素的三元合金：ni、cr、fe、ti、mn、o、mo、ag、zn、n和al。基础金属板100a的厚度可以大于表面层的厚度。例如，基础金属板100a的厚度t1可以大于第一表面层110的厚度t2和第二表面层120的厚度t3。金属板100的厚度可以为5μm至50μm。例如，金属板100的厚度可以为5μm至30μm，或者可以为10μm至25μm。当金属板100的厚度小于5μm时，制造效率可能低。当金属板100的厚度大于50μm时，形成通孔的工艺效率可能劣化。基础金属板100a的厚度t1可以为50μm或更小。例如，基础金属板100a的厚度t1可以为30μm或更小。此外，基础金属板100a的厚度t1可以为25μm或更小。此外，基础金属板100a的厚度t1可以为20μm或更小。第一表面层110和第二表面层120可以具有彼此对应的厚度。在此，“对应”可以包括由于公差引起的误差。第一表面层110的厚度t2可以为0.5nm至1000nm。例如，第一表面层110的厚度t2可以为5nm至850nm。当第一表面层110的厚度t2小于0.5nm时，降低第一表面101上的蚀刻速率的效果可能降低，因此通孔的均匀性可能劣化。此外，可以产生5nm或更小的自然氧化物膜。例如，当第一表面层110的厚度t2小于0.5nm时，形成厚度和/或宽度变化大的通孔，使得通过具有该通孔的金属板形成的图案可能不均匀，因此显示装置的制造效率可能劣化。此外，当第一表面层110的厚度t2小于0.5nm时，降低第一表面101上的蚀刻速率的效果可能降低，因此难以形成具有精细尺寸的通孔。此外，当第一表面层110的厚度t2小于0.5nm时，第一表面孔v1的内周表面的表面粗糙度增加，使得通过第一表面孔v1形成的沉积图案的品质可能降低，因此工艺效率可能劣化。同时，当第一表面层110的厚度t2大于1000nm时，制造效率可能劣化。第二表面层120的厚度t3可以为0.5nm至1000nm。例如，第二表面层120的厚度t3可以为30nm至500nm。当第二表面层120的厚度t3小于0.5nm时，降低第二表面102上的蚀刻速率的效果可能降低，因此通孔的均匀性可能劣化。例如，当第二表面层120的厚度t3小于0.5nm时，形成厚度和/或宽度变化大的通孔，使得通过具有该通孔的金属板形成的图案可能不均匀，因此显示装置的制造效率可能劣化。此外，当第二表面层120的厚度t3小于0.5nm时，降低第二表面102上的蚀刻速率的效果可能降低，因此难以形成具有精细尺寸的通孔。此外，当第二表面层120的厚度t3小于0.5nm时，第二表面孔v2的内周表面的表面粗糙度可能增加。同时，当第二表面层120的厚度t3大于1000nm时，制造效率可能劣化。金属板100可以沿通孔的厚度方向具有不同的通孔宽度。例如，第一表面孔v1的宽度w1可以大于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐减小。例如，第二表面孔v2的宽度w2可以大于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括复数个通孔。具体地，金属板可以包括具有复数个通孔的中心区域和位于中心区域处的外部区域。此时，一个通孔的宽度可以为20μm或更大。例如，通孔的宽度可以为20μm至40μm。例如，第一表面孔的宽度w1和第二表面孔的宽度w2中的至少一者可以具有20μm或更大的宽度。例如，第一表面孔的宽度w1和第二表面孔的宽度w2中的至少一者可以具有20μm至40μm的宽度。当通孔的宽度大于40μm时，可能难以形成精细的沉积图案。复数个通孔可以包括第一通孔和与第一通孔相邻的第二通孔。位于第一通孔与第二通孔之间的金属板可以被定义为桥接区域(br)。br可以设置在中心区域处。设置在中心区域处的第一表面层的厚度可以对应于设置在外部区域处的第一表面层的厚度。设置在中心区域处的第二表面层的厚度可以对应于设置在外部区域处的第二表面层的厚度。金属板的第一表面可以包括第一桥接区域br1，与第一表面相对的第二表面可以包括第二桥接区域br2。金属板、设置在金属板的第一表面上的第一表面层和设置在金属板的第二表面上的第二表面层可以设置在桥接区域处。金属板、设置在金属板的第一表面上的第一表面层和设置在金属板的第二表面上的第二表面层可以设置在金属板的外部区域中。通孔可以穿过基础金属板、第一表面层和第二表面层而形成。因此，基础金属板、第一表面层和第二表面层可以在通孔的内侧表面处暴露。通孔的内侧表面可以包括弯曲表面。通孔的内侧表面可以包括整个的或部分的弯曲表面。通孔的内侧表面可以包括曲率变化的弯曲表面。在通孔的内侧表面处，基础金属板、第一表面层和第二表面层中的每一者的曲率可以彼此不同。此时，基础金属板、第一表面层和第二表面层中的每一者的曲率可以意指其是在基础金属板的厚度的1/2点、第一表面层的厚度的1/2点和第二表面层的厚度的1/2点处测量的。第二表面孔v2的高度h2可以大于第一表面孔v1的高度h1。同时，由于与第一表面孔v1相邻并且形成在第一表面101上的第三表面孔v3跟与第二表面孔v1相邻并且形成在第二表面102上的第四表面孔v4通过连接部分ca连通，因此可以形成通孔。第四通孔v4的宽度w5可以大于第三通孔v3的宽度w4。例如，第三通孔v3的宽度w4可以大于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而减小。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐减小。例如，第四表面孔v4的宽度w5可以大于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。第四表面孔v4的高度h4可以大于第三表面孔v3的高度h3。基础金属板100a的蚀刻速率可以与第一表面层110和第二表面层120的蚀刻速率不同。例如，位于金属板的厚度方向上的内侧的基础金属板100a的蚀刻速率可以比位于金属板的厚度方向上的外侧的第一和第二表面层110和120的蚀刻速率快。换言之，第一表面层110的蚀刻速率可以比基础金属板100a的蚀刻速率慢。第二表面层120的蚀刻速率可以比基础金属板100a的蚀刻速率慢。具体地，第一表面层110和第二表面层120可以包含比构成基础金属板110a的元素耐腐蚀性更高的元素，使得表面层处的蚀刻速率可以比基础金属板的蚀刻速率慢。即，表面层可以是包含比构成基础金属板的元素耐腐蚀性更高的金属元素的金属表面层。常规金属板存在的问题是相邻的通孔可能彼此重叠，原因是具有大的蚀刻剂接触面积的金属板外侧的蚀刻速率比金属板内部的蚀刻速率快。即，在仅使用基础金属板100a制造的沉积掩模中，随着基础金属板100a的与蚀刻剂接触的第一表面101和第二表面102的蚀刻速率增加，形成在第一表面101和第二表面102上的通孔的宽度可能增加。因此，难以形成具有精细图案的通孔，并且制造良品率可能降低。此外，复数个通孔的均匀性可能降低。因此，通过其制造的oled面板可能具有低的图案沉积效率，并且图案的沉积均匀性可能劣化。同时，一个实施方案可以包括在基础金属板100a的两个表面上的第一表面层110和第二表面层120，并且第一表面层110和第二表面层120可以包含与基础金属板100a的元素不同的元素。因此，第一表面层110和第二表面层120的蚀刻速率可以比基础金属板100a的蚀刻速率慢。即，第一表面层110和第二表面层120可以包含耐腐蚀性比基础金属板100a的金属元素或金属氧化物更高的金属元素或金属氧化物，并且第一表面层110和第二表面层120各自以0.5nm至1000nm的厚度设置，使得可以形成精细的通孔。例如，在根据一个实施方案的金属板中，当第一表面层110和第二表面层120各自以大于5nm且为800nm或更小、10nm至600nm以及30nm至500nm的厚度设置时，第一表面孔v1的宽度w1可以对应于第三通孔v3的宽度w4，第二表面孔v2的宽度w2可以对应于第四通孔v4的宽度w5。例如，在根据该实施方案的金属板中，当第一表面层110和第二表面层120各自以大于5nm且为800nm或更小、10nm至600nm以及30nm至500nm的厚度设置时，第一表面孔v1的高度h1可以对应于第三表面孔v3的高度h3，第二表面孔v2的高度h2可以对应于第四表面孔v4的高度h4。即，复数个通孔的宽度和高度的均匀性可以得到改善。即，根据该实施方案的金属板可以形成为使得通孔可以具有小的宽度和深的厚度，因为在设置有第一表面层110和第二表面层120的区域处的蚀刻速率可以较慢。因此，可以防止由金属表面处的快速蚀刻引起的光致抗蚀剂层的脱膜现象。此外，根据一个实施方案的用于制造沉积掩模的金属板可以控制表面处的蚀刻速率，因此可以提高具有精细图案的通孔的制造良品率并且可以改善复数个通孔的均匀性。因此，通过使用这样的沉积掩模制造的oled面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。此外，根据一个实施方案的表面层包含具有高耐腐蚀性的金属或金属氧化物中的至少一者，从而可以改善光致抗蚀剂层的粘附力，并因此可以防止光致抗蚀剂层在蚀刻工艺中脱膜或分离。因此，根据一个实施方案的金属板可以改善复数个通孔的制造良品率和工艺效率。参照图11至图15，对根据第一实施方案的沉积掩模的制造方法进行描述。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括：准备基础金属板；在基础金属板的第一表面上设置第一表面层；在基础金属板的第二表面上设置第二表面层；形成光致抗蚀剂层，以在第一表面层上设置第一光致抗蚀剂层并且在第二表面层上设置第二光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以形成通孔，第一表面的第一表面孔和第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通。此外，根据一个实施方案的用于沉积掩模的金属板还可以包括在进行蚀刻之后除去第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层。此外，第一表面层和第二表面层可以同时形成。因此，可以提高工艺效率。此外，当然，第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层可以逐步形成。此外，可以通过逐步形成第一表面孔和第二表面孔来形成通孔。此外，可以形成用于形成第一表面孔的第一光致抗蚀剂，可以在第二表面处形成抗蚀刻保护层，然后可以形成第一表面孔；可以形成用于形成第二表面孔的光致抗蚀剂，可以在第一表面处形成抗蚀刻保护层，然后可以形成第二表面孔。此外，一个实施方案还可以包括在除去光致抗蚀剂层之后除去第一表面层和第二表面层。以这种方式，可以防止在oled的沉积期间由于表面层而产生的异物。在这种情况下，已除去表面层的第一表面的ni含量可以与中心(其为基础金属板厚度的一半)的ni含量不同。优选地，第一表面的ni含量可以大于中心(其为基础金属板厚度的一半)的ni含量。首先，第一步是基础金属板100a的准备步骤。可以为基础金属板100a准备镍合金。例如，基础金属板100a可以是镍和铁的合金。此外，可以包含杂质以提高强度。杂质可以包括c、si、mn、p、s、al和cr中的至少一者，并且可以为整个基础金属板的2重量％或更少、1.7重量％或更少、或者1.5重量％或更少。当超过2重量％时，作为殷钢的基本特性的热膨胀特性可能劣化。基础金属板的准备步骤可以包括各种厚度减小步骤。例如，基础金属板还可以包括通过轧制步骤的厚度减小步骤。即，第二步骤可以是基础金属板100a的轧制步骤。参照图11，基础金属板100a的厚度t1可以为5μm至50μm。例如，基础金属板100a的厚度t1可以为30μm或更小。在此，基础金属板100a的厚度可以是在轧制过程之后测量的厚度。此时，轧制步骤可以是冷轧步骤。即，初始金属基底的厚度大于30μm，通过轧制步骤的厚度减小步骤处理的基础金属板的厚度可以为30μm或更小(例如，25μm、20μm)。第三步是在基础金属板的第一表面上设置第一表面层的步骤。第四步是在基础金属板的第二表面上设置第二表面层的步骤。参照图12，第一和第二表面层110和120可以形成在基础金属板100a上。例如，基础金属板100a可以通过沉积过程在基础金属板100a的一个表面上形成第一表面层110。接下来，可以通过沉积过程使第二表面层120形成在基础金属板100a的与所述一个表面相对的另一个表面上。此外，第一表面层和第二表面层可以一起沉积。此外，由于第一表面层110和第二表面层120可以以彼此对应的厚度设置在基础金属板100a上，因此基础金属板100a的第一表面101和第二表面102的蚀刻速率可以降低。第五步是光致抗蚀剂层形成步骤，其中将第一光致抗蚀剂层p1设置在第一表面层110上，并且将第二光致抗蚀剂层p2设置在第二表面层120上。参照图13，具有开口区域的第一光致抗蚀剂层p1可以设置在第一表面层110上，并且具有开口区域的第二光致抗蚀剂层p2可以设置在第二表面层120上。具体地，在第一表面层110和第二表面层120中的每一者上涂覆光致抗蚀剂材料，并且可以通过曝光和显影过程分别设置第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2。将第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀层p2设置成使得第一光致抗蚀剂层p1与第二光致抗蚀剂层p2的开口区域的宽度彼此不同，使得形成在第一表面101上的第一表面孔v1与形成在第二表面102上的第二表面孔v2的宽度可以不同。第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2可以包括用于在金属板中形成通孔的复数个开口区域。第六步是金属板中的通孔的形成步骤。第一光致抗蚀剂层p1可以部分地设置在第一表面层110上。在第一表面层110上的其中设置有第一光致抗蚀剂层p1的区域中可以不形成通孔。即，第一光致抗蚀剂层p1可以包含能够在蚀刻工艺中保持物理/化学稳定性的物质。因此，第一光致抗蚀剂层p1可以抑制对设置在第一光致抗蚀剂层p1下方的第一表面层110和基础金属板100a的蚀刻。第二光致抗蚀剂层p2可以部分地设置在第二表面层120上。在第二表面层120上的其中设置有第二光致抗蚀剂层p2的区域中可以不形成通孔。即，第二光致抗蚀剂层p2可以包含能够在蚀刻工艺中保持物理/化学稳定性的物质。因此，第二光致抗蚀剂层p2可以抑制对设置在第二光致抗蚀剂层p2下方的第二表面层120和基础金属板100a的蚀刻。同时，可以在蚀刻工艺中对第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2的开口区域进行蚀刻。因此，可以在第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2的开口区域中形成金属板的通孔。此外，在形成用于形成第一表面孔的第一光致抗蚀剂并且在第二表面上形成防蚀刻保护层之后，可以形成第一表面孔；在形成用于形成第二表面孔的光致抗蚀剂并且在第一表面上形成防蚀刻保护层之后，可以形成第二表面孔。参照图14，通过蚀刻工艺在金属板的第一表面上形成第一表面孔v1，在与第一表面相对的第二表面上形成第二表面孔v2，并且可以通过经由连接部分ca彼此连通的第一表面孔v1和第二表面孔v2来形成通孔。例如，可以通过湿法蚀刻工艺来进行蚀刻工艺。因此，由于可以同时对第一表面101和第二表面102进行蚀刻，工艺效率可以得到提高。作为实例，湿法蚀刻工艺可以通过使用包含氯化铁的蚀刻剂在约45℃下进行。此时，蚀刻剂可以包含35重量％至45重量％的fecl3。具体地，蚀刻剂可以包含36重量％的fecl3。例如，包含43重量％的fecl3的蚀刻剂在20℃下的比重可以为1.47。包含41重量％的fecl3的蚀刻剂的在20℃下比重可以为1.44。包含38重量％的fecl3的蚀刻剂在20℃下的比重可以为1.39。然而，实施方案不限于此，并且可以使用在金属表面层的蚀刻速率可以比基底金属板的蚀刻速率慢的范围内的各种蚀刻剂。第七步骤是第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的除去步骤。参照图15，通过除去第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2在基础金属板100a上设置第一表面层110和第二表面层120，并且可以形成具有复数个通孔的金属板。在以上过程中通过以下式1计算第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面孔的蚀刻因子可以为2.5或更大。因此，一个实施方案的通孔可以具有优异的蚀刻特性，并且可以防止由于光致抗蚀剂层的隆起或分离而导致的生产良品率降低。<式1>蚀刻因子＝b/a在该式中，b是蚀刻的第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的深度，a是指从一个表面孔上的桥接区域延伸并朝向所述一个表面孔的中心突出的光致抗蚀剂层的宽度。具体地，a是指在一个表面孔上突出的光致抗蚀剂层的一侧的宽度和与这一侧相对的另一侧的宽度的平均值。参照图18，对形成第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的蚀刻步骤进行描述。在以上蚀刻步骤中，第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔可以形成在光致抗蚀剂层p开口的区域中。此时，由于蚀刻剂可以接触光致抗蚀剂层的位于开口区域中的侧表面的下部，因此可能发生底切。因此，光致抗蚀剂层的突出部分可以位于一个表面孔上。突出部分可以设置在表面孔上同时与表面孔隔开。突出部分可以围绕表面孔的端部ve。突出部分可以部分地覆盖表面孔。突出部分的端部pe可以与表面孔的端部ve以预定距离隔开。突出部分的端部pe可以设置在表面孔上。突出部分可以不与表面孔接触。突出部分可以通过使与桥接区域或外部区域接触的光致抗蚀剂层延伸而设置在表面孔上。第一表面孔和第二表面孔中的一者的形状可以对应于光致抗蚀剂层的开口区域的形状。例如，当第一表面孔和第二表面孔中的一者具有圆形形状时，光致抗蚀剂层的开口区域也可以具有圆形形状。第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的平均直径可以大于一个表面孔上的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径。例如，第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的平均直径可以为25μm至35μm。例如，一个表面孔上的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径可以为20μm至30μm。即，光致抗蚀剂层的开口区域的宽度与通孔的宽度可以彼此不同。具体地，形成在光致抗蚀剂层的开口区域下方的第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的宽度可以大于光致抗蚀剂层的开口区域的宽度。在此，一个表面孔的宽度可以指在金属板的一个表面上测量的最大直径。此外，与光致抗蚀剂层的开口区域的宽度相比，一个表面孔的宽度可以指设置在对应于“上方”或“下方”的位置处的宽度。当光致抗蚀剂层的开口区域的宽度与第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的宽度之间相差较小时，蚀刻特性可以较好。具体地，当光致抗蚀剂层的开口区域的宽度与第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔的宽度之间的宽度差异较小时，可以减少发生底切的区域。因此，可以改善设计通孔的便利性，并且可以在过程中有效地形成精细的通孔。光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与表面孔的平均直径之比可以具有1:1.5或更小的值。例如，光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与表面孔的平均直径之比可以具有1:1.1至1:1.4的值。例如，光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与表面孔的平均直径之比可以具有1:1.3至1:1.4的值。当光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与表面孔的平均直径之比超过1:1.5时，蚀刻特性可能劣化。式1的值a可以表示为以下式2。<式2>a＝(a1+a2)/2参照图18，式2中的a1可以指一个表面孔上的光致抗蚀剂层的突出部分的一侧的宽度，式2中的a2可以指与所述一个表面孔上的光致抗蚀剂层的突出部分的一侧相对的另一侧的宽度。即，第一表面孔和第二表面孔中的一者的蚀刻因子可以通过以下式3重新限定。<式3>在形成通孔的蚀刻步骤中，根据一个实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以测量为2.5或更大。这可以意指随着蚀刻因子越大，在金属板的厚度方向上(即在通孔的深度方向上)的蚀刻性能越优异。这可以意指随着蚀刻因子越小，通孔的宽度变得越大。即，随着蚀刻因子越小，通孔的宽度变得越大，从而可能发生光致抗蚀剂层隆起或分离的现象。金属板的至少一个表面包括表面孔，并且式1的值a可以为8或更小。例如，式1的值a可以为5或更小。例如，式1的值a可以为4至5。当式1的值a超过8时，蚀刻因子可能减小。当式1的值a大于8时，光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与一个通孔的平均直径之间相差大，使得难以设计精细的通孔。在下文中，将参照示例性实施方案和比较例对本发明进行更详细地描述。这样的实施方案仅是示例以更详细地说明本发明。因此，本发明不限于这样的实施方案。<实验例1：光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径和形成在开口区域下方的表面孔的平均直径的尺寸评估>示例性实施方案1通过沉积在经冷轧的殷钢基础金属板上形成ni-cr合金材料的第一表面和层第二表面层。此时，ni-cr合金是76重量％至99重量％的镍和1重量％至24重量％的铬的合金。此后，在第一表面层和第二表面层中的一者上形成包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层。此后，仅在其中形成有包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层的表面上进行蚀刻工艺。以这种方式，在光致抗蚀剂层的开口区域下方形成第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔。示例性实施方案2通过沉积在经冷轧的殷钢基础金属板上形成ni-cr-fe合金材料的第一表面层和第二表面层。此时，ni-cr-fe合金是76重量％至99重量％的镍和铁以及1重量％至24重量％的铬的合金。此后，在第一表面层和第二表面层中的一者上形成包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层。此后，仅在其中形成有包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层的表面上进行蚀刻工艺。以这种方式，在光致抗蚀剂层的开口区域下方形成第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔。在示例性实施方案2中，各个层的厚度和蚀刻工艺的条件是相同的，不同之处在于示例性实施方案2的表面层的合金形成与示例性实施方案1的合金形成不同。比较例1准备经冷轧的殷钢基础金属板。此后，在殷钢基础金属板的一个表面上形成包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层。此后，仅在其中形成有包括复数个开口区域的光致抗蚀剂层的表面上进行蚀刻工艺。以这种方式，在光致抗蚀剂层的开口区域下方形成第一表面孔和第二表面孔中的一个表面孔。在比较例1中，基础金属板的厚度与示例性实施方案1和2中那些的相同，并且蚀刻工艺的条件也与示例性实施方案1和2中的那些相同。根据示例性实施方案1和2的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与形成在开口区域下方的表面孔的平均直径之间的差异被测量为小于根据比较例1的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与形成在开口区域下方的表面孔的平均直径之间的差异。根据示例性实施方案1和2的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径和表面孔的平均直径被测量为1:1.5或更小。具体地，根据示例性实施方案1和2的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径和表面孔的平均直径被测量为1:1.1至1:1.4。根据比较例1的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径和表面孔的平均直径被测量为1:1.7或更大。具体地，根据比较例1的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径和表面孔的平均直径被测量为1:1.7至1:1.8。图16和17是由示例性实施方案1和比较例1形成的表面孔的照片。参照图16，根据示例性实施方案1形成的任意光致抗蚀剂层的开口区域的直径为23.8μm，设置在光致抗蚀剂层的开口区域下方的任意表面孔的直径为32.85μm。同时，参照图17，根据比较例1形成的任意光致抗蚀剂层的开口区域的直径为22.43μm，设置在光致抗蚀剂层的开口区域下方的任意表面孔的直径为39.15μm。确定了通过使根据示例性实施方案1和2的光致抗蚀剂层的开口区域的平均直径与表面孔的平均直径之比满足1∶1.4或更小，通孔的蚀刻特性优异。此外，确定了根据实施方案的沉积掩模可以包括均匀性改善的通孔，并且改善了通过该通孔沉积的图案形状的均匀性。<实验例2：蚀刻因子的评估>[表1]示例性实施方案1示例性实施方案2比较例1蚀刻因子2.52.71.7表1示出了根据示例性实施方案1、示例性实施方案2和比较例1的蚀刻因子。可以看出，根据示例性实施方案1和2的沉积掩模的蚀刻因子是2.5或更大。例如，可以看出，根据示例性实施方案1和2的沉积掩模的蚀刻因子是2.5至2.7。因此，可以看出，根据实施方案的沉积掩模可以防止光致抗蚀剂层在蚀刻工艺中脱膜，并且表面孔或通孔的蚀刻特性优异。另一方面，可以看出，根据比较例1的沉积掩模的蚀刻因子小于2.0。具体地，可以看出根据比较例1的沉积掩模的蚀刻因子是1.7。因此，可以看出，在根据比较例1的沉积掩模中，在蚀刻工艺中可能发生光致抗蚀剂层的脱膜，并且表面孔或通孔的蚀刻特性劣化。蚀刻速率是指每单位时间蚀刻的量。根据比较例1的经冷轧的殷钢基础金属板的外表面的蚀刻速率与其内部的蚀刻速率相似。即使在进行冷轧工艺时，其外表面和内部也具有相同的组成，并且由于其外表面和内部的晶体结构相同或相似，因此可以看出仅用殷钢材料本身难以改善蚀刻特性。另一方面，示例性实施方案1和2可以包括能够将蚀刻因子改善至2.5或更大的第一表面层和第二表面层。示例性实施方案1的金属表面层是含铬的二元合金，其可以使蚀刻速率比基础金属板慢。示例性实施方案2的金属表面层是含铬的三元合金，其可以使蚀刻速率比基础金属板慢。根据示例性实施方案1和2的金属表面层可以包含与基础金属板的元素不同的元素，作为实例，耐腐蚀性优异的金属元素例如cr。因此，可以看出，根据示例性实施方案1和2的金属表面层的蚀刻速率比基础金属板的蚀刻速率慢。因此，根据实施方案的金属板可以形成精细的通孔。表面层的蚀刻速率可以比基础金属板的蚀刻速率慢。即，基础金属板的蚀刻速率可以比表面层的蚀刻速率相对更快。即，当对金属板的基础层进行蚀刻时，在表面层的侧表面方向(图18中的方向a1、a2)上的蚀刻速率可以相对较慢，并且在基础金属板的深度方向(图18中的方向b)上的蚀刻速率可以相对较快。因此，实施方案的蚀刻因子可以增大，并且可以形成精细的通孔。可以通过在对金属板进行蚀刻的同时测量每小时蚀刻的量来确定表面层的蚀刻速率和基础金属板的蚀刻速率。当以这种方式进行测量时，可以确定在对表面层进行蚀刻时蚀刻量相对较小，并且在对基础金属板进行蚀刻时蚀刻量相对较大。图18是根据示例性实施方案1的表面孔的截面图。参照图18，当蚀刻因子为2.5或更大时，表面孔的宽度可以较小并且深度方向上的蚀刻特性可以是优异的。此外，当蚀刻因子为2.5或更大时，位于光致抗蚀剂层与相邻通孔之间的桥接区域br的接触面积可以较大，从而稳定地防止光致抗蚀剂层的脱膜。因此，可以通过根据实施方案的沉积掩模形成精细的沉积图案。图19是根据比较例1的表面孔的截面图。参照图20，由于根据比较例1的表面孔的蚀刻因子为1.7，因此相邻的通孔可能重叠。或者，可能发生光致抗蚀剂层的脱膜现象。因此，在比较例1中，可以看出通孔的制造良品率和工艺效率劣化。根据一个实施方案的沉积掩模包括金属板，包括彼此对置的第一表面和第二表面的基础金属板，设置在第一表面上的第一表面层；以及设置在第二表面上的第二表面层，其中金属板包括复数个通孔，并且金属板的蚀刻因子可以为2.5或更大。在根据该实施方案的沉积掩模中，可以在形成通孔之前在基础金属板上设置金属表面层。因此，可以使表面层开口而不将其设置在其中设置有通孔的区域上。通孔的内部区域可以包含与表面层的元素不同的元素。此外，尽管通孔的内部区域包含与表面层的元素相同的元素，但是所包含的元素的组成可以不同。因此，可以降低金属表面层的蚀刻速率。即，在根据该实施方案的沉积掩模中，在用于形成通孔的蚀刻工艺中，基础金属板的蚀刻速率可以比金属表面层的蚀刻速率快，使得可以提高蚀刻效率并且可以改善通孔的均匀性。此外，通过根据该实施方案的沉积掩模制造的oled面板具有优异的图案沉积效率，并且可以改善沉积均匀性。参照图20和21，将对根据第二实施方案的沉积掩模进行描述。除了与第一实施方案的特征不一致的情况之外，可以将第一实施方案和第二实施方案的特征进行组合并应用。可以省略与上述第一实施方案重叠的描述。可以将相同的附图标记分配给相同的要素。参照图20和图21，根据第二实施方案的包括在沉积掩模中的金属板可以包括基础金属板100a和金属表面层。金属表面层可以设置在基础金属板100a的一个或两个表面上。第一表面层110可以设置在基础金属板100a的一个表面上，并且第二表面层120可以设置在与所述一个表面相对的另一个表面上。沉积掩模用金属板可以包括在基础金属板100a的两个表面上的第一表面层110和第二表面层120。基础金属板100a可以以夹层结构设置在第一表面层110与第二表面层120之间。基础金属板100a可以包含与表面层的材料不同的材料。基础金属板100a可以包含与第一表面层110的元素不同的元素。此外，基础金属板100a可以包含与第二表面层120的元素不同的元素。此外，基础金属板100a可以具有与第一和第二金属表面层110和120的组成比不同的组成比。在一个实施方案中，第一表面层110和第二表面层120包含与基础金属板100a的元素不同的元素，使得第一表面层和第二表面层的腐蚀速率可以比基础金属板的腐蚀速率慢。即，作为本体金属板的基础金属板100a的腐蚀速率可以比金属表面层的腐蚀速率快。因此，根据实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以增大。此外，由于根据实施方案的沉积掩模可以均匀地形成复数个通孔，因此可以提高r、g和b图案的沉积效率。除了诸如ni、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe和ag的金属元素之外，表面层可以包含对应于第一电离能为450kj/mol至850kj/mol的各种元素，例如nb、v、in、sb等。表面层可以包含以下中的至少一种元素：ni、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、au、al、mg、o、ca、cr、si、ti、ag、nb、v、in和sb。例如，表面层可以是包含以下中的两种不同元素的二元层：ni、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、au、al、mg、o、ca、cr、si、ti、ag、nb、v、in和sb。例如，表面层100b和100c可以是包含以下中的三种不同元素的三元层：ni、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、au、al、mg、o、ca、cr、si、ti、ag、in和sb。例如，表面层可以是包含以下中的四种或更多种不同元素的层：ni、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、au、al、mg、o、ca、cr、si、ti、ag、nb、v、in和sb。表面层可以包含al、mg、o、ca、cr、si和mn中的至少一种元素。作为实例，表面层可以是金属氧化物层。此时，表面层可以是通过单独的溅射工艺等形成的表面层，其不是在基础金属板的轧制过程之后的转移期间可能形成为5nm或更小的自然氧化物膜。作为实例，表面层可以是铬层或铬合金层。此时，表面层的铬含量(重量％)可以大于基础金属层的铬含量(重量％)。表面层可以延迟用于沉积掩模的金属板的表面上的腐蚀速率。因此，根据实施方案的沉积掩模可以改善蚀刻因子。基础金属板100a的厚度可以大于表面层的厚度。基础金属板100a的厚度可以大于第一表面层110和第二表面层120中的至少一者的厚度。基础金属板100a的厚度可以为30μm或更小。例如，基础金属板100a的厚度可以为1μm至30μm。例如，基础金属板100a的厚度可以为5μm至19.9μm。例如，基础金属板100a的厚度可以为15μm至19.5μm。例如，基础金属板100a的厚度可以为10μm至19.8μm。当基础金属板100a的厚度超过30μm时，相邻通孔之间的距离(节距)可能增加。因此，形成具有高清晰度或超高清晰度的显示装置的效率可能劣化。由于实施方案的基础金属板的厚度可以为20μm或更小，因此可以减小相邻通孔之间的距离(节距)。因此，可以适于提供具有高清晰度和/或超高清晰度的显示装置。即，根据实施方案的沉积掩模可以增加每英寸的像素(ppi)。第一表面层110和第二表面层120可以具有彼此对应的厚度。在此，“对应”可以包括由于公差引起的误差。在基础金属板的一个表面或两个表面上的表面层可以为0.5nm至1000nm或更小。表面层可以以5nm至850nm或更小的厚度设置在基础金属板的一个表面或两个表面上。表面层可以以10nm至600nm或更小的厚度设置在基础金属板的一个表面或两个表面上。第一表面层110的厚度可以为20nm至500nm。例如，第一表面层110的厚度可以为20nm至50nm。例如，第一表面层110的厚度可以为25nm至35nm。第二表面层120的厚度可以为20nm至500nm。例如，第二表面层120的厚度可以为20nm至50nm。例如，第二表面层120的厚度可以为25nm至35nm。当表面层的厚度小于1nm时，通过金属表面层改善蚀刻因子的效果可能降低，因此通孔的均匀性可能劣化。即，当表面层的厚度小于1nm时，形成厚度和/或宽度变化大的通孔，使得通过具有该通孔的金属板形成的图案可能不均匀，因此显示装置的制造效率可能劣化。此外，当表面层的厚度小于1nm时，可能难以形成具有精细尺寸的通孔。当表面层的厚度超过1μm时，制造效率可能劣化。基础金属板100a与表面层之间的界面可以包含阳离子或阴离子材料。通过酸蚀刻剂，基础金属板100a可以具有20μm或更小的薄的厚度。因此，通过酸性溶液的离解，基础金属板100a的表面可以包含阳离子，例如酸性溶液的质子(h+)或共轭碱的阴离子。作为实例，通过酸性溶液例如盐酸、硫酸、磷酸和乙酸的离解，基础金属板100a与表面层之间的界面可以包含0.1重量％或更少的cl-、hso4-、h2po4-和ch3co2-中的任一种离子。然而，由于可以通过用水洗涤除去酸性溶液，因此可以剩余相当少的由于酸性溶液的离解产生的阳离子例如质子(h+)或共轭碱的阴离子。在此，相当少的剩余可以意指由于酸性溶液的离解产生的阳离子例如质子(h+)或共轭碱的阴离子被检测为0.01重量％或更少。基础金属板100a可以包括经酸性溶液蚀刻的表面。基础金属板100a可以具有比包括经轧制的表面的金属板更大的粗糙度。具体地，基础金属板100a可以具有比经轧制的殷钢金属板更大的算术平均粗糙度(ra)和十点平均粗糙度(rz)。在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的算术平均粗糙度(ra)可以大于50nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的算术平均粗糙度(ra)可以为50nm<ra<300nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的算术平均粗糙度(ra)可以为50nm<ra<200nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的算术平均粗糙度(ra)可以为70nm<ra<150nm。在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的十点平均粗糙度(rz)可以大于800nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的十点平均粗糙度(rz)可以为800nm<rz<2500nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的十点平均粗糙度(rz)可以为800nm<rz<2000nm。例如，在基础金属板与表面层之间的界面处测量的基础金属板100a的十点平均粗糙度(rz)可以为800nm<rz<1500nm。第一表面层110的直接接触基础金属板100a的一个表面的粗糙度可以大于形成沉积掩模用金属板的表面的第一表面层110的与所述一个表面相对的另一个表面的粗糙度。因此，基础金属板100a与第一表面层110之间的界面可以具有优异的粘附特性。此外，由于形成沉积掩模用金属板的表面的第一表面层110的另一个表面的粗糙度可以小于所述一个表面的粗糙度，因此可以改善蚀刻品质。第二表面层120的直接接触基础金属板100a的一个表面的粗糙度可以大于形成沉积掩模用金属板的表面的第二表面层120的与所述一个表面相对的另一个表面的粗糙度。因此，基础金属板100a与第二表面层120之间的界面可以具有优异的粘附特性。此外，由于形成沉积掩模用金属板的表面的第二表面层120的另一个表面的粗糙度可以小于所述一个表面的粗糙度，因此可以改善蚀刻品质。此外，基础金属板可以形成通孔并除去表面层。在这种情况下，在已除去表面层的基础金属板的表面上测量的算术平均粗糙度(ra)可以大于50nm。沉积掩模100沿着通孔的厚度方向可以具有不同宽度的通孔。参照图20，第一表面孔v1的宽度w1可以大于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐减小。第二表面孔v2的宽度w2可以大于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。由于与第一表面孔v1相邻并且形成在第一表面101上的第三表面孔v3跟与第二表面孔v1相邻并且形成在第二表面102上的第四表面孔v4经由连接部分ca连通，因此可以形成通孔。第四通孔v4的宽度w5可以大于第三通孔v3的宽度w4。例如，第三通孔v3的宽度w4可以大于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而减小。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐减小。例如，第四表面孔v4的宽度w5可以大于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。参照图21，第一表面孔v1的宽度w1可以小于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而增加。更具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔v1从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐增加。第二表面孔v2的宽度w2可以大于连接部分ca的宽度w3。具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔v2从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。由于与第一表面孔v1相邻并且形成在第一表面101上的第三表面孔v3跟与第二表面孔v1相邻并且形成在第二表面102上的第四表面孔v4经由连接部分ca连通，因此可以形成通孔。第四通孔v4的宽度w5可以大于第三通孔v3的宽度w4。例如，第三通孔v3的宽度w4可以小于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而增加。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔v3从第一表面101朝向连接部分ca行进而逐渐增加。例如，第四表面孔v4的宽度w5可以大于连接部分ca的宽度w6。具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔v4从第二表面102朝向连接部分ca行进而逐渐减小。因此，可以有效地形成具有精细尺寸的沉积图案。参照图20和21，根据一个实施方案的沉积掩模可以包括复数个通孔。此时，一个通孔的宽度可以为40μm或更小。例如，通孔的宽度可以为5μm至40μm。例如，通孔的宽度可以为10μm至35μm。例如，第一表面孔的宽度w1和第二表面孔的宽度w2中的至少一者可以具有40μm或更小的宽度。当通孔的宽度大于40μm时，可能难以形成精细的沉积图案。由于与第一表面孔v1相邻并且形成在第一表面101上的第三表面孔v3跟与第二表面孔v1相邻并且形成在第二表面102上的第四表面孔v4各自经由连接部分ca连通，因此可以形成复数个通孔。根据一个实施方案的沉积掩模可以包括在任意第一通孔和与第一通孔相邻的第二通孔之间的桥接区域br。例如，第一表面孔v1与第三表面孔v3之间的第一表面101可以包括第一桥接区域br1，第二表面孔v1与第四表面孔v4之间的第二表面102可以包括第二桥接区域br2。第一桥接区域br1可以大于第二桥接区域br2的平面区域。桥接区域可以支撑复数个通孔以预定距离彼此间隔开。参照图22至24，对根据一个实施方案的具有不同截面结构的沉积掩模进行描述。沉积掩模可以包括彼此对置的第一表面和第二表面，并且可以包括在第一表面上的第一表面孔v1与第二表面上的第二表面孔v2之间的拐点p2。相对于拐点p2，与第一表面孔v1的角度和与第二表面孔v2的角度可以彼此不同。此时，拐点可以是连接部分ca的端部处的任意点。参照图22，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的沉积掩模的倾斜角θ1可以为90度或更小。当将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角超过90度时，可能难以容纳沉积材料，并因此沉积效率可能劣化。将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角θ1可以在20度至70度的范围内。当将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角在20度至70度的范围内时，可以改善沉积的均匀性。例如，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角可以在30度至60度的范围内。例如，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角可以在32度至38度或52度至58度的范围内。第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为70度或更小。例如，第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为60度或更小。例如，第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为50度或更小。因此，可以具有能够良好地容纳沉积材料的倾斜角。将拐点p2连接至第一表面孔v1的端部的任意点p1的沉积掩模的倾斜角θ2可以大于90度。将拐点p2与第一表面孔v1的端部处的任意点p1连接的沉积掩模的倾斜角θ2可以大于90度且为110度或更小。此外，将拐点p2与第一表面孔v1的端部处的任意点p1连接的沉积掩模的倾斜角θ2可以为95度或更大且为100度或更小。即，当沉积掩模的倾斜角θ2超过110度时，宽度比连接部分大的第一表面孔可能包括遮蔽区域sa。因此，可能发生通过第一表面孔释放的沉积图案扩散的现象。当沉积掩模的倾斜角θ2小于90度时，当在通过掩模进行沉积之后除去掩模时，沉积材料可能与沉积基底分离。为了解决由于形成大于根据实施方案的沉积掩模中的连接区域的宽度的沉积图案而难以提供具有高清晰度和/或超高清晰度的显示装置的问题，沉积掩模用金属板的整个厚度可以形成为20μm或更小。此外，由于第一表面孔的高度h1越大，沉积图案扩散，因此第一表面孔的高度h1可以形成为5μm或更小。例如，第一表面孔的高度h1可以为3μm或更小。同时，第二表面孔v2的高度h2可以大于第一表面孔v1的高度h1。此外，在实施方案中，可以通过在沉积掩模用金属板上形成金属表面层并增大蚀刻因子来形成精细的沉积图案。参照图23，对通过使沉积掩模用金属板形成为20μm或更小来对通孔形成的容易性进行描述。图23(a)、23(b)和23(c)是说明当沉积掩模用金属板的厚度t改变时是否通过蚀刻形成通孔的图。当通过使光致抗蚀剂层的开口区域的宽度恒定并且使用相同材料的金属板进行相同时间的蚀刻时，可以看出在其中沉积掩模用金属板的厚度大的图23(a)和23(b)中没有形成通孔。另一方面，可以看出，在其中沉积掩模用金属板的厚度小的图23(c)中形成了通孔。即，根据实施方案的沉积掩模用金属板可以具有20μm或更小的薄的厚度，并且可以快速地形成具有精细尺寸的通孔，从而可以改善制造方法。参照图24，对通过增大蚀刻因子来形成精细通孔的容易性进行描述。图24(a)、24(b)和24(c)是说明当蚀刻的表面孔的中心方向上的深度(b)改变时是否通过蚀刻形成通孔的图。图24(a)、24(b)和24(c)是示出通过使光致抗蚀剂层的开口区域的宽度恒定并且使用相同材料的金属板来改变蚀刻因子的图。图24(a)是示出当从开口的光致抗蚀剂层的桥接区域延伸并朝向表面孔的中心突出的一端的宽度(a)与蚀刻的表面孔的中心方向上的深度(b)的比例为1:0.5时蚀刻因子为0.5的图。<式1>蚀刻因子＝b/a在式1中，b是在蚀刻的表面孔的中心方向上的深度。a是从开口的光致抗蚀剂层的桥接区域延伸并朝向表面孔的中心方向突出的一端的宽度。图24(b)是示出当从开口的光致抗蚀剂层的桥接区域延伸并朝向表面孔的中心突出的一端的宽度(a)与蚀刻的表面孔的中心方向上的深度(b)的比例为1:1时蚀刻因子为1.0的图。图24(c)是示出当从开口的光致抗蚀剂层的桥接区域延伸并朝向表面孔的中心突出的一端的宽度(a)与蚀刻的表面孔的中心方向上的深度(b)的比例为1:2时蚀刻因子为2.0的图。参照图24(a)、24(b)和24(c)，可以看出随着蚀刻因子在相同的金属板的深度上增大，形成了精细尺寸的通孔。即，用于制造具有高清晰度和/或超高清晰度的显示装置的沉积掩模应增大蚀刻的表面孔的中心方向上的深度(b)。为此，根据一个实施方案的沉积掩模用金属板可以包括在基础金属板上的金属表面层。根据实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以为1.2或更大。根据实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以为1.5或更大。根据实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以为1.6或更大。根据实施方案的沉积掩模的蚀刻因子可以为2.0或更大。因此，根据实施方案的沉积掩模的分辨率可以为600ppi或更高。例如，根据实施方案的沉积掩模的分辨率可以为700ppi或更高。例如，根据实施方案的沉积掩模的分辨率可以为800ppi或更高。图25至30是示出根据图22的沉积掩模的制造方法的图。根据一个实施方案的沉积掩模可以通过包括如下来制造：准备基础金属板；形成表面层以在基础金属板上设置金属表面层；形成光致抗蚀剂层以在表面层上设置开口的光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以在对应于开口的光致抗蚀剂层的位置处形成表面孔。首先，参照图25，对金属基底的准备步骤进行描述。金属基底ms可以包含金属材料。金属基底ms可以包含镍合金。例如，金属基底ms可以是镍和铁的合金。此时，镍可以为约35重量％至37重量％，并且铁可以为约63重量％至65重量％。例如，金属基底ms可以包含殷钢，所述殷钢包含约35重量％至37重量％的镍，约63重量％至65重量％的铁，以及痕量的c、si、s、p、cr、mo、mn、ti、co、cu、fe、ag、nb、v、in和sb中的至少一者。金属基底ms的厚度to可以大于20μm。例如，金属基底ms的厚度to可以为30μm或更小。具体地，金属基底ms的厚度to可以为25μm或更小。因此，基础金属板100a的厚度可以制造成20μm或更小。或者，金属基底ms的厚度to可以为20μm或更小。因此，基础金属板100a的厚度可以制造成15μm或更小。基础金属板的准备步骤可以包括各种厚度减小步骤。例如，基础金属板还可以包括通过化学或电处理的厚度减小步骤。即，基础金属板的准备步骤可以包括将厚度大于20μm的金属基底ms处理成厚度为20μm或更小的基础金属板。参照图26，对基础金属板的形成步骤进行描述。由于通过化学方法或电学方法对金属基底ms进行处理，因此基础金属板的厚度与金属基底ms的厚度相比可以减小约15％至约25％的范围。由于通过化学试剂对金属基底ms进行蚀刻，因此可以形成与金属基底ms的厚度相比厚度减小约20％的基础金属板100a。此时，化学试剂是酸性溶液，并且可以是各种有机酸溶液或各种无机酸溶液。或者，由于对金属基底ms进行电解，因此可以形成与金属基底ms的厚度相比厚度减小约20％的基础金属板100a。即，根据一个实施方案的基础金属板100a可以在不使用轧制方法的情况下制造。为了制造具有超高清晰度的显示装置，应提供厚度为20μm或更小的殷钢。可以通过重复的轧制过程将厚的原材料加工成薄的殷钢，但是存在加工难度高且加工成本高的问题。为了解决这样的问题，可以通过化学方法或电学方法将殷钢加工成薄的厚度。因此，未轧制的基础金属板100a的厚度t1可以为20μm或更小。例如，未轧制的基础金属板100a的厚度t1可以为15μm或更小。参照图27，对金属表面层的形成步骤进行描述。由于通过化学或电处理对基础金属板100a的表面进行加工，因此蚀刻因子劣化。即，基础金属板100a的表面由于化学或电处理而变形以致具有大的粗糙度，因此蚀刻因子可能劣化。因此，可以在基础金属板100a的一个或两个表面上形成金属表面层。例如，当通过对金属板进行双面蚀刻而形成第一表面孔和第二表面孔时，可以在基底金属板100a的两个表面上形成第一表面层110和第二表面层120。或者，如图32中所示，当通过对金属板的一个表面进行蚀刻而仅形成第二表面孔时，可以在基础金属板100a的一个表面上形成金属表面层。表面层可以是能够改善蚀刻因子的各种材料。表面层可以是用于提供1.2或更大的蚀刻因子的各种材料。表面层可以是用于提供1.5或更大的蚀刻因子的各种材料。表面层可以是用于提供1.6或更大的蚀刻因子的各种材料。表面层可以是用于提供2.0或更大的蚀刻因子的各种材料。表面层可以形成为1μm或更小。表面层可以形成为100nm或更小。表面层可以形成为50nm或更小。表面层可以包含al、mg、o、ca、cr、si和mn中的至少一种元素。第一表面层110的厚度t2可以为1nm至100nm。第一表面层110的厚度t2可以为1nm至50nm。第二表面层120的厚度t3可以为1nm至100nm。第二表面层120的厚度t3可以为1nm至50nm。即，取决于所包含的元素，表面层对光致抗蚀剂层的粘附力可能不同，并且蚀刻因子可能不同。因此，取决于金属表面层中所包含的元素，其各种最佳厚度可以在1nm至100nm范围内。表面层可以通过多种方法例如沉积、电镀、溶液法等形成。例如，表面层可以在沉积过程中形成以形成薄膜形状。或者，表面层可以通过电镀来形成以比沉积过程制造得更厚。或者，表面层可以通过用包含纳米或微米颗粒的溶液进行处理来形成。此外，表面层可以使基础金属板氧化以增大蚀刻因子。参照图28，对光致抗蚀剂层的形成步骤进行描述。可以将第一光致抗蚀剂层p1设置在第一表面层110上，并且可以将第二光致抗蚀剂层p2设置在第二表面层120上。可以将具有开口区域的第一光致抗蚀剂层p1设置在第一表面层110上，并且可以将具有开口区域的第二光致抗蚀剂层p2可以设置在第二表面层120上。具体地，将光致抗蚀剂材料涂覆在第一表面层100a和第二表面层120中的每一者上，并且可以通过曝光和显影过程分别设置第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2。将第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2设置成使得第一光致抗蚀剂层p1与第二光致抗蚀剂层p2的开口区域的宽度彼此不同，使得形成在第一表面101上的第一表面孔v1与形成在第二表面102上的第二表面孔v2的宽度可以不同。第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2可以包括用于在沉积掩模用金属板中同时形成通孔的复数个开口区域。参照图29，对用于形成表面孔的蚀刻步骤进行描述。第一光致抗蚀剂层p1可以部分地设置在第一表面层110上。在第一表面层110上的其中设置有第一光致抗蚀剂层p1的区域中可以不形成通孔。即，第一光致抗蚀剂层p1可以包含能够在蚀刻工艺中保持物理/化学稳定性的物质。因此，第一光致抗蚀剂层p1可以抑制对设置在第一光致抗蚀剂层p1下方的第一表面层110和基础金属板100a的蚀刻。第二光致抗蚀剂层p2可以部分地设置在第二表面层120上。在第二表面层120上的其中设置有第二光致抗蚀剂层p2的区域中可以不形成通孔。即，第二光致抗蚀剂层p2可以包含能够在蚀刻工艺中保持物理/化学稳定性的物质。因此，第二光致抗蚀剂层p2可以抑制对设置在第二光致抗蚀剂层p2下方的第二表面层120和基础金属板100a的蚀刻。同时，可以在蚀刻工艺中对第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2的开口区域进行蚀刻。因此，可以在第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2的开口区域中形成金属板的通孔。通过蚀刻工艺在金属板的第一表面上形成第一表面孔v1，在与第一表面相对的第二表面上形成第二表面孔v2，并且可以通过经由连接部分ca彼此连通的第一表面孔v1和第二表面孔v2来形成通孔。例如，可以通过湿法蚀刻工艺来进行蚀刻工艺。因此，由于可以同时对第一表面101和第二表面102进行蚀刻，工艺效率可以得到提高。作为实例，湿法蚀刻工艺可以通过使用包含氯化铁的蚀刻剂在约45℃下进行。此时，蚀刻剂可以包含35重量％至45重量％的fecl3。具体地，蚀刻剂可以包含36重量％的fecl3。例如，包含43重量％的fecl3的蚀刻剂在20℃下的比重可以为1.47。包含41重量％的fecl3的蚀刻剂在20℃下的比重可以为1.44。然而，实施方案不限于此，并且可以使用各种蚀刻剂。在沉积掩模的金属板中，为了形成穿过第一表面层110、基础金属板100a和第二表面层120的通孔，蚀刻剂可以与第一表面层110的下表面和第二表面层120的上表面接触。此时，第一表面层110和第二表面层120可以包含与基础金属板100a的材料相比更耐蚀刻剂的材料，使得可以改善蚀刻因子。参照图30，对通过除去光致抗蚀剂层进行的沉积掩模的形成步骤进行描述。通过除去第一光致抗蚀剂层p1和第二光致抗蚀剂层p2在基础金属板100a上设置第一表面层110和第二表面层120，并且可以形成具有复数个通孔的金属板。在蚀刻步骤之后通过以下式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面的蚀刻因子可以为1.2或更大。通过以下式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面的蚀刻因子可以为1.5或更大。通过以下式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面的蚀刻因子可以为1.6或更大。通过以下式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一个表面的蚀刻因子可以为2.0或更大。沉积掩模的第一表面孔和第二表面孔的蚀刻因子可以为1.2或更大。沉积掩模的第一表面孔和第二表面孔的蚀刻因子可以为1.5或更大。沉积掩模的第一表面孔和第二表面孔的蚀刻因子可以为1.6或更大。沉积掩模的第一表面孔和第二表面孔的蚀刻因子可以为2.0或更大。优选地，大于第一表面孔的第二表面孔的蚀刻因子可以为1.2或更大。大于第一表面孔的第二表面孔的蚀刻因子可以为1.5或更大。第二表面孔的蚀刻因子可以为1.6或更大。第二表面孔的蚀刻因子可以为2.0或更大。<式1>蚀刻因子＝b/a在式1中，b是在蚀刻的表面孔的中心方向上的深度。a是从开口的光致抗蚀剂层的桥接区域延伸并朝向表面孔的中心突出的一端的宽度。此外，根据一个实施方案的沉积掩模的厚度可以为20μm或更小。因此，根据实施方案的沉积掩模可以提供具有高清晰度和超高清晰度的显示装置。根据实施方案的沉积掩模可以具有多种结构。根据实施方案的第一表面孔的倾斜角可以是可变的。参照图31，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的沉积掩模的倾斜角θ1可以为90度或更小。当将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角超过90度时，可能难以容纳沉积材料，并因此沉积效率可能劣化。将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角θ1可以在20度至70度的范围内。当将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角在20度至70度的范围内时，可以改善沉积的均匀性。例如，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角可以在30度至60度的范围内。例如，将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角可以在32度至38度或52度至58度的范围内。第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为70度或更小。例如，第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为60度或更小。例如，第一表面孔v1的端部的任意点p1与第二表面孔v2的端部的任意点p3之间的倾斜角可以为50度或更小。因此，可以具有能够良好地容纳沉积材料的倾斜角。将拐点p2连接至第一表面孔v1的端部的任意点p1的沉积掩模的倾斜角θ2可以为90度或更小。即，连接部分的宽度大于第一表面孔的宽度，因此可以不包括遮蔽区域sa。这可以根据沉积方法而不同。在图22的情况下，在沉积时从用于沉积的沉积源材料到点p1的沉积角度较大，因此容易发生沉积材料可以附着至点p1的情况；在图31的实施方案的情况下，沉积源材料对金属基底的粘附力低，因此容易发生沉积源材料不附着至金属基底的点p1处的情况。拐点相对于第二表面的角度和第一表面孔相对于拐点的角度可以各自为90度或更小。此时，拐点相对于第二表面的角度可以小于第一表面孔相对于拐点的角度。即，将拐点p2连接至第一表面孔v1的端部的任意点p1的沉积掩模的倾斜角θ2大于将拐点p2连接至第二表面孔v2的端部的任意点p3的倾斜角θ1。作为实例，金属表面层可以包含选自ni、cr、fe、au、mo、o和ti中的至少一种元素。例如，在根据实施方案的沉积掩模的金属板中，通过在殷钢金属板上形成含cr表面层或形成含o表面层，可以降低表面上的蚀刻速率，使得拐点与第一表面孔之间的倾斜角可以形成为90度或更小。第二表面孔的宽度可以大于拐点的宽度，并且拐点的宽度可以大于第一表面孔的宽度。或者，第二表面孔的宽度可以大于拐点的宽度，并且拐点的宽度可以对应于第一表面孔的宽度。例如，第一表面孔的宽度与拐点的宽度的比例可以为0.5:1至1:1。因此，可以防止通过第一表面孔释放的沉积图案扩散的现象。根据实施方案的沉积掩模可以通过使连接部分的宽度对应于沉积图案的宽度或者将连接部分的宽度形成为大于沉积图案的宽度来提供具有高清晰度和/或超高清晰度的显示装置。根据实施方案的沉积掩模的分辨率可以为800ppi或更高。实施方案可以不包括第一表面孔。参照图32，当仅在沉积掩模用金属板的一个表面上进行蚀刻时，可以仅在基础金属板100a的一个表面上包括第二表面层120。因此，在一个实施方案中，可以形成仅包括第二表面孔的通孔。第二表面孔可以是能够容纳沉积材料的形状，并且有机材料可以以与第二表面孔的端部对应的宽度沉积，因此可以防止取决于第一表面孔的厚度的沉积材料的扩散现象。因此，根据实施方案的沉积掩模可以提高沉积效率。因此，根据实施方案的沉积掩模可以制造具有高清晰度的显示装置。在下文中，将通过示例性实施方案和比较例更详细地说明本发明。这样的实施方案仅作为示例呈现以更详细地说明本发明。因此，本发明不限于这样的实施方案。在比较例1中，将光致抗蚀剂层设置在30μm基础沉积掩模用金属板上，并通过湿法蚀刻形成通孔。在比较例2中，将光致抗蚀剂层设置在通过对比较例1的30μm基础沉积掩模用金属板进行蚀刻而减薄至20μm或更小的厚度的基础金属板上，并通过湿法蚀刻形成通孔。在示例性实施方案1中，在比较例2的基础金属板上形成ni金属表面层。在包含ni的金属表面层上设置光致抗蚀剂层，并通过湿法蚀刻形成通孔。在示例性实施方案2中，在比较例2的基础金属板上形成cr和ni金属表面层。在包含cr和ni的二元合金的金属表面层上设置光致抗蚀剂层，并通过湿法蚀刻形成通孔。在示例性实施方案3中，在比较例2的基础金属板上形成fe和ni金属表面层。在包含fe和ni的二元合金的金属表面层上设置光致抗蚀剂层，并通过湿法蚀刻形成通孔。如上所述，可以在通过湿法蚀刻形成通孔之后除去表面层。在比较例和示例性实施方案的光致抗蚀剂层的开口区域的宽度、蚀刻剂的温度和蚀刻剂的类型相同的条件下测量蚀刻因子。<实验例1：光致抗蚀剂层的粘附力、蚀刻因子和通孔品质的评估>[表2]表2示出了示例性实施方案和比较例的光致抗蚀剂层的粘附力、蚀刻因子和通孔品质的评估结果。当不发生光致抗蚀剂层的脱膜时，其由○表示。当通孔直径的最大值与最小值之间的尺寸偏差在±3μm以内时，其由○表示。具体地，当与参照孔相邻的孔的尺寸偏差在±3μm以内时，其由○表示。参照表2，确定示例性实施方案1至3的金属表面层包含选自ni、cr和fe中的至少一种元素，从而将蚀刻因子改善至1.2或更大。可以确定示例性实施例1至3中的金属表面层的蚀刻因子改善至1.5或更大。可以确定示例性实施方案1至3中的金属表面层的蚀刻因子改善至1.6或更大。可以确定示例性实施例1至3中的金属表面层的蚀刻因子改善至2.0或更大。可以确定通过包含镍层或含镍的二元合金，示例性实施方案1至3的金属表面层的蚀刻因子增大至2.8或更大。因此，根据实施方案的沉积掩模可以减小通孔的距离(节距)。此外，根据实施方案的沉积掩模可以形成精细尺寸的通孔以具有优异的品质，并且可以通过该通孔制造具有超高清晰度的oled面板。在上述实施方案中描述的特性、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施方案中，但不限于仅一个实施方案。此外，各实施方案中示出的特性、结构和效果可以被本领域技术人员针对其他实施方案进行组合或修改。因此，应理解这样的组合和修改包括在本发明的范围内。以上对实施方案的描述仅为示例并且不限制本发明。对本领域普通技术人员显而易见的是，在不改变本发明的技术构思或基本特征的情况下，本发明可以容易地以许多不同的形式呈现。例如，可以修改和实现本文描述的示例性实施方案的要素。此外，应理解，与这样的改变和应用有关的差异包括在所附权利要求书中限定的本发明的范围内。当前第1页12