高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种多层结构，包括绝缘体上半导体结构的所述多层结构包括增强下方电荷俘获层的稳定性的绝缘层。

技术研发人员：J·L·利贝特;刘庆旻;王刚;A·M·琼斯
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2017.12.01
技术公布日：2019.10.18