1.一种半导体装置的制造方法，具有：
回蚀工序，对于在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板，供给含氧气体和含氟蚀刻气体，对所述第二金属膜进行回蚀，和
除去工序，将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，对于所述基板连续地供给所述含氧气体，同时，间断地多次供给所述含氟蚀刻气体。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，依次进行：
对于所述基板供给所述含氧气体的工序，
对于所述基板同时供给所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体的工序，和
对于所述基板供给所述含氧气体的工序。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，依次进行：
对于所述基板同时供给所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体的工序，和
对于所述基板供给所述含氧气体的工序。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，多次重复依次进行：
对于所述基板供给所述含氧气体的工序，
将所述含氧气体除去的工序，
对于所述基板供给所述含氟蚀刻气体的工序，和
将所述含氟蚀刻气体除去的工序。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，依次进行：
对于所述基板供给所述含氧气体的工序，和
对于所述基板同时供给所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体的工序。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述回蚀工序中，多次重复依次进行：
对于所述基板供给所述含氧气体的工序，
对于所述基板同时供给所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体的工序，和
将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的工序。
8.如权利要求1～7任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述基板为硅基板，
在所述回蚀工序中，在未形成所述第一金属膜和所述第二金属膜的所述基板的背面，硅基板被氧化而形成氧化硅膜。
9.如权利要求1～8任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述第一金属膜为氮化钛膜，所述第二金属膜为钨膜。
10.如权利要求1～9任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述含氧气体为氧气，含氟蚀刻气体为三氟化氮气体。
11.一种基板处理装置，具有：
容纳基板的处理室，
向所述处理室供给含氧气体和含氟蚀刻气体的气体供给系统，
对所述处理室进行排气的排气系统，和
控制部，所述控制部控制所述气体供给系统和所述排气系统，并构成为进行以下处理：向容纳有在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板的所述处理室内，供给所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体来对所述第二金属膜进行回蚀的处理，和将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的处理。
12.一种程序，其通过计算机使基板处理装置执行：
对于在所述基板处理装置的处理室容纳的、在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板，供给含氧气体和含氟蚀刻气体来对所述第二金属膜进行回蚀的过程，和
将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的过程。