技术总结
本发明公开了一种改善聚合物残留的方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成磁性复合层；在所述磁性复合层上形成导电层；在所述导电层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。本发明采用导电层作为阻挡层与磁性复合层的缓冲隔离层，阻挡层被刻蚀完之后，再刻蚀导电层，可以保护磁性复合层；用含钛材料做导电层，干法刻蚀后，钛的反应物是易挥发的物质，残留物易清洗，刻蚀所得表面比较干净，提高了产品的性能与良率；此外，易挥发的反应物对干法刻蚀腔体的环境污染较小，刻蚀腔体维护周期长，提高了生产效率并降低了生产成本。
技术研发人员：王建鹏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.01.12
技术公布日：2018.06.29