技术特征：
技术总结
一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电二极管区域、掺杂区域以及沟道区域；在所述光电二极管区域周围的半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽自所述沟道区域开始并向所述光电二极管区域的远端延伸，所述远端为所述光电二极管区域远离所述沟道区域的一端；在所述沟槽内形成隔离介质层以及延伸栅极；对所述光电二极管区域以及掺杂区域进行离子注入；在所述沟道区域的半导体衬底表面依次形成栅介质层和传输栅极，所述传输栅极位于所述栅介质层表面，其中，所述传输栅极与所述延伸栅极连接。本发明方案可以减少在光电二极管区域远端的电荷残留，有助于提高器件性能。
技术研发人员：汤茂亮;柯天麒;姜鹏
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2018.01.15
技术公布日：2018.07.13