包括电阻器的半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
提供了一种在半导体衬底上包括电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。

技术研发人员：禹孝锡;尹壮根;任峻成;黄盛珉
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.01.25
技术公布日：2018.09.14