本发明涉及电子元器件制造技术领域，尤其涉及一种二极管的制造方法。
背景技术：
发光二极管具有省电、环保和寿命长等诸多优点。目前全世界处于能源紧缺的时代，因此发光二极管的各种制备方法被广泛研究。表面粗化作为一种提高器件发光效率的一种手段已经被广泛应用，单个发光二极管晶粒的亮度有限，需组合多个发光二极管才能满足高亮度照明需求。
技术实现要素：
鉴于此，本发明提供了一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：
步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；
步骤二：在外延片的表面蒸镀一层au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；
步骤三：去除外延片表面覆盖的au金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；
步骤四：分别制作正负两个接触电极；
步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。
对本发明的进一步描述，所述的金属层的材料选自au、sn、ge、be、ti、al或in中的一种或者其中两种金属的合金。
采用上述技术方案，具有如下有益效果：
本发明在保证不破坏外延结构的前提下，一方面可以利用简单的方法实现半导体发光层表面的粗化，另一方面可以实现表面粗化效果的良好控制，使发光二极管的亮度得到显著提高。
具体实施方式
实施例1：一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：
步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；
步骤二：在外延片的表面蒸镀一层au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；
步骤三：去除外延片表面覆盖的au与be的金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；
步骤四：分别制作正负两个接触电极；
步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。
对本发明的进一步描述，所述的金属层的材料选自au、sn、ge、be、ti、al或in中的一种或者其中两种金属的合金。
实施例2：一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：
步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；
步骤二：在外延片的表面蒸镀一层au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；
步骤三：去除外延片表面覆盖的ti与al的金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；
步骤四：分别制作正负两个接触电极；
步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。
本发明在保证不破坏外延结构的前提下，一方面可以利用简单的方法实现半导体发光层表面的粗化，另一方面可以实现表面粗化效果的良好控制，使发光二极管的亮度得到显著提高。
以上描述了本发明的基本原理和主要特征，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。