技术特征：
技术总结
本发明涉及一种优化黑硅发射极的湿法回蚀工艺，其特征是，采用以下步骤：将去除背面PSG的硅片放入到湿法回蚀液体中，于40‑80℃处理80‑150秒；所述湿法回蚀液体采用无机碱或含氮有机碱性物质和脱泡剂的混合液体，无机碱或含氮有机碱性物质的质量百分浓度为1‑5%，脱泡剂的质量百分浓度为0.01‑0.05%。本发明能够提升黑硅电池的电池转换效率，解决丝网印刷等问题。
技术研发人员：张云海;陈丽萍;缪若文;孙腾;沈家军;管高飞;陈如龙
受保护的技术使用者：无锡尚德太阳能电力有限公司
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.09.28