技术特征：
技术总结
本发明涉及一种太阳能电池及其制作工艺。所述太阳能电池的硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片，所述硅片表面具有金字塔结构绒面，所述硅片的正面和反面均具有电极和发射结，所述发射结由位于硅片表面的p+区和n+区所形成。同时本发明还公开了上述太阳能电池的制作工艺。上述太阳能电池，由于其正面和反面都具有PN结，因此产生的光生载流子在内建电场的作用下，迅速被收集起来，不需要穿过整个硅片衬底，这样可以有效提高光电转换效率，同时避免了P型单多晶PERC电池、以及Al‑BSF电池所存在的热衰减现象。并且，由于具有双面发射结的特点，在实际发电过程中，一天中会有两次峰值输出，具有更高的发电量，显著降低了发电成本。
技术研发人员：崔艳峰;袁声召;张淳
受保护的技术使用者：张家港协鑫集成科技有限公司
技术研发日：2018.05.07
技术公布日：2018.10.19