技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于同轴硅通孔阵列的三维电容器，包括片上冗余的多个同轴硅通孔，同轴硅通孔阵列由N×N个同轴硅通孔以方块阵列形式构成，每个同轴硅通孔包括自内而外依次同轴设置的硅芯、金属内芯、Al2O3介质层、金属外芯和二氧化硅绝缘层，每个同轴硅通孔以表面覆盖有金属内芯的硅芯作为内芯，相对于全金属填充的传统同轴硅通孔，该结构大幅减少了金属内芯的电镀时间，且其金属内芯和金属外芯采用一次电镀工艺形成，简化了整个同轴硅通孔的制备工艺流程，极大降低了整个同轴硅通孔的制备时间和成本，从而提高了三维电容器的制作效率，该三维电容器的电容密度高、电镀时间短、制作成本低，其等效电容密度约为700pF/mm2。
技术研发人员：钱利波;何锡涛;励达;桑吉飞;叶益迭;夏桦康
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：2018.05.09
技术公布日：2018.08.10