技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有高势垒插入层的晶体管器件，包括设有沟道层和栅电极的垂直场效应晶体管，在所述沟道层任一表面或沟道层内设有高势垒插入层,所述的高势垒插入层与沟道层电性连接且与栅电极绝缘连接，所述的高势垒插入层用于在栅电极的调控下，控制电子在沟道层内的迁移。所述垂直场效应晶体管包括依次层叠的漏电极、衬底、耐压层、沟道层、接触层；所述接触层远离沟道层的表面设有源电极；所述凹槽自接触层远离沟道层表面向耐压层方向延伸至耐压层内部。本发明所述晶体管器件通过设置高势垒插入层用于调控沟道中的电子输运，设置删电极调控高势垒插入层的势垒，使得所述晶体管器件同时具备高耐压和低导通电阻的特性。
技术研发人员：卢星;任远;刘晓燕;陈志涛;赵维;龚政;黎子兰
受保护的技术使用者：广东省半导体产业技术研究院
技术研发日：2018.05.10
技术公布日：2018.08.17