技术特征：
技术总结
本发明公开了一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置，本发明通过将红外焦平面混成芯片封装于样品盘内，在样品盘背面放置导热垫片，从而提高样品盘与冷却工件盘的热传导效率，并通过快速热传导减小混成芯片背增透膜层生长时的温度积累，降低生长温度，避免混成芯片因温度过高导致性能劣化甚至失效，而且，本发明通过采用遮挡片的设计可以在背增透膜层生长时形成有效遮挡，在保证芯片镀膜的同时防止胶水及读出电路表面被镀膜。
技术研发人员：宁提;吴立明;祁娇娇;王玉龙
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
技术研发日：2018.06.08
技术公布日：2018.12.07