1.一种半导体基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，其特征在于：
该第一薄膜晶体管为顶栅型的金属氧化物薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管为底栅型的低温多晶硅薄膜晶体管；
第一薄膜晶体管包括设置于所述基板上的第一栅极、金属氧化物半导体层及与该金属氧化物半导体层连接且彼此间隔的第一源极与第一漏极；
第二薄膜晶体管包括依次设置于所述基板上的多晶硅半导体层、第二栅极、与该多晶硅半导体层连接且彼此间隔的第二源极与第二漏极；以及
该第一源极或第一漏极中的一者与该第二源极或第二漏极中的一者电性连接。
2.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于：该第一源极或第一漏极中的一者与该第二源极或第二漏极中的一者为同层设置且直接连接。
3.如权利要求2所述的半导体基板，其特征在于：该第一源极、该第一漏极、该第二源极以及该第二漏极由同一导电层图案化形成。
4.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于：该金属氧化物半导体层位于该第一源极与第一漏极远离基板的一侧。
5.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于：该半导体基板还包括形成在所述基板上且覆盖该第一栅极与该第二栅极的栅极绝缘层；
该栅极绝缘层包括沿向远离基板的方向依次层叠设置的第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层；以及
该第二栅极绝缘层开设有贯穿其厚度方向的至少一个过孔，该第一源极与第一漏极通过该至少一个过孔与该第一栅极绝缘层直接接触。
6.如权利要求5所述的半导体基板，其特征在于：该第一栅极与该第二栅极由同一导电层图案化形成。
7.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于：该半导体基板包括依次层叠于所述基板上的第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，该第二栅极位于该第一栅极绝缘层远离第二栅极绝缘层的一侧,该第一栅极位于该第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层之间。
8.一种阵列基板，其包括权利要求1-7中任意一项所述的半导体基板。
9.一种逆变器电路，其包括权利要求1-7中任意一项所述的半导体基板。
10.一种开关电路，其包括权利要求1-7中任意一项所述的半导体基板。