技术总结
本发明一种半导体基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；该第一薄膜晶体管包括该第一源极以及第一漏极，该第二薄膜晶体管包括第二源极以及第二漏极。该第一源极或第一漏极中的一者与该第二源极或第二漏极中的一者电性连接。本发明还提供应用上述半导体基板的阵列基板、逆变器电路及开关电路，本发明的半导体基板包括金属氧化物薄膜晶体管，且金属氧化物薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管共用源/漏极，可以减小使用该半导体基板的电子元件体积和漏电流。
技术研发人员：高逸群;林欣桦
受保护的技术使用者：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
技术研发日：2018.06.26
技术公布日：2020.01.03