技术特征：
技术总结
一种屏蔽栅DMOS器件，属于功率半导体技术领域，本发明在控制栅电极和屏蔽栅电极之间设置一个额外的浮空栅电极，各电极之间由介质层相互隔离，由于引进了位置可调的浮空栅电极，器件的栅源电容得以减小，且栅源电容与栅漏电容的比值可调，同时浮空栅电极和接地的屏蔽栅电极的结合使得第一导电类型半导体漂移区内部的电场更加均匀地分布，因此本发明提出的一种屏蔽栅DMOS器件，减小了器件的开关损耗，提高了器件开关速度和耐压水平，改善了导通电阻和开关损耗的矛盾关系。
技术研发人员：高巍;何文静;任敏;蔡少峰;李泽宏;张金平;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.01.01