技术特征：
技术总结
本公开提供了一种半导体器件、射频芯片和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括具有第一声波器件的第一衬底。在第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件。该第一连接件和该第二连接件分别与第一声波器件电连接。该半导体器件还包括具有第二声波器件的第二衬底。在第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件。该第三连接件与该第一连接件对接，该第四连接件与该第二连接件对接。该半导体器件还包括在第一衬底与第二衬底之间的环状件。该环状件、第一衬底和第二衬底形成有腔体。该腔体位于第一声波器件和第二声波器件之间。本公开可以减小器件的面积。
技术研发人员：于涛;陈高鹏;陈威;刘海玲
受保护的技术使用者：宜确半导体（苏州）有限公司
技术研发日：2018.09.25
技术公布日：2019.01.29