技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，为解决顶栅结构的薄膜晶体管存在的短沟道效应的问题而发明。该薄膜晶体管，包括衬底基板、覆盖于衬底基板上的有源层、覆盖于有源层上的栅绝缘层以及覆盖于栅绝缘层上的栅极，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧、且均与沟道区相连接的导体化区，衬底基板上设有放置部，放置部用于放置沟道区，以使沟道区与位于沟道区两侧的导体化区之间具有高度差。本发明可用于液晶显示面板、OLED显示面板中。
技术研发人员：黄勇潮;程磊磊;成军;刘军;张扬;王庆贺;王东方;闫梁臣
受保护的技术使用者：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2018.09.29
技术公布日：2019.02.01