一种有机发光显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及有机发光显示技术领域，更为具体的说，涉及一种有机发光显示面板及显示装置。

背景技术：

有机发光显示(organiclight-emittingdiode,oled))设备为自发光型显示设备，oled设备包括多个有机发光器件，每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中，分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入，通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子，这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。

作为自发光型显示设备，oled设备不需要单独的光源，因此，oled设备可以以低电压驱动，并且更易制作为轻薄化的外形；此外，oled设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势，故而oled设备被广泛应用于多种领域，如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。但是，现有的oled设备经常出现封装失效的情况。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种有机发光显示面板及显示装置，有效的改善了现有的有机发光显示面板封装失效的情况。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种有机发光显示面板，所述有机发光显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述有机发光显示面板包括：

基底；

位于所述基底一表面上的晶体管阵列层；

以及，位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧依次叠加的平坦化层和像素定义层以及由所述像素定义层开口限定的发光器件；

其中，所述晶体管阵列层位于所述非显示区处包括若干凹陷，且任意所述凹陷距离其靠近的所述显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm，包括端点值，所述平坦化层和所述像素定义层均包括暴露所述凹陷的镂空区。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的有机发光显示面板。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明提供了一种有机发光显示面板及显示装置，在晶体管阵列层位于非显示区处设置若干的凹陷，且凹陷距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm，以及，在平坦化层和像素定义层对应有凹陷处形成暴露该凹陷的镂空区，以通过凹陷的设置降低晶体管阵列层在该区域的表面高度，及通过镂空区的设置去除平坦化层和像素定义层在该区域的材料，以避免后续制作膜层结构时出现掩膜板划伤晶体管阵列层对应凹陷处的表面和划伤像素定义层对应镂空区处表面的情况，改善了有机发光显示面板由于划伤造成的封装膜层失效的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视图；

图3为本申请实施例提供的一种公共掩膜板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种晶体管阵列层的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种晶体管阵列层的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图；

图12为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图；

图13为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，作为自发光型显示设备，oled设备不需要单独的光源，因此，oled设备可以以低电压驱动，并且更易制作为轻薄化的外形；此外，oled设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势，故而oled设备被广泛应用于多种领域，如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。但是，现有的oled设备经常出现封装失效的情况。

基于此，本申请实施例提供了一种有机发光显示面板及显示装置，有效的改善了现有的有机发光显示面板封装失效的情况。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图13对本申请实施例提供的技术方案进行像素描述。

参考图1和图2所示，图1为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图，图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视图，其中，所述有机发光显示面板划分为显示区aa和围绕所述显示区aa的非显示区na，所述有机发光显示面板包括：

基底100；

位于所述基底100一表面上的晶体管阵列层200；

以及，位于所述晶体管阵列层200背离所述基底一侧依次叠加的平坦化层300和像素定义层400以及由所述像素定义层400开口限定的发光器件500；

其中，所述晶体管阵列层200位于所述非显示区na处包括若干凹陷210，且任意所述凹陷210距离其靠近的所述显示区aa的边缘之间的距离为50μm-500μm，包括端点值，所述平坦化层300和所述像素定义层400均包括暴露所述凹陷210的镂空区310。

在本申请一实施例中，本申请提供的所述凹陷的深度为50nm-5000nm，包括端点值，通过优化凹陷的深度范围，在保证晶体管阵列层在凹陷处的表面不被后续制作膜层时的掩膜板划伤外，还能够避免凹陷深度过大而使得该凹陷处易断裂。

可以理解的，现有有机发光显示面板在制作像素定义层完毕后，需要通过多个掩膜板制作后续相应的膜层，如有机发光层、阴极等，其中，在非显示区，掩膜板易对平坦化层、像素定义层和晶体管阵列层裸露的背离基底一侧的表面会造成划伤，使得封装膜层在划伤处出现暗斑的情况，从而影响最终封装膜层的完整性，导致封装膜层失效。此外，制作像素定义层制程后的膜层时需要用到公共掩膜板，其中，如图3所示，为本申请实施例提供的一种公共掩膜板的结构示意图，其中，公共掩膜板1000一般制作为一框状结构，其设置于非显示区na且环绕显示区aa。公共掩膜板1000主要通过有机显示面板的非显示区na的支撑结构(未画出，例如挡墙、支撑柱)支撑，由于支撑结构的高度为纳米级，因此公共掩膜板1000极易划伤平坦化层、像素定义层和晶体管阵列层裸露于非显示区的表面，最终导致封装膜层失效。

故而，本申请实施例提供的技术方案，在易划伤处进行结构的优化，达到避免掩膜板对裸露表面造成划伤的目的；即，本申请实施例提供的公共掩膜板设置于非显示区中距离显示区边缘50μm-500μm处，以使小于50μm的区域为预留的公共掩膜板的对位误差空间，避免公共掩膜板覆盖到显示区而使在显示区制备的膜层出现位置偏差；同时使公共掩膜板位于500μm以内区域，能够避免公共掩膜板覆盖区域过大而造成资源浪费的情况，因此，本申请提供的膜层易划伤处常出现在非显示区中距离显示区边缘50μm-500μm区域范围内；而且，凹陷设置在距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm处在减小或避免膜层不被公共掩膜板划伤的同时，还可以兼具避免凹陷影响其他膜层的作用，例如可以为外围驱动电路、vsr电路提供充足的设置空间。故而，将凹陷设置在距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm处；以及，在平坦化层和像素定义层对应有凹陷时，在平坦化层和像素定义层对应凹陷处形成暴露该凹陷的镂空区，以通过凹陷的设置降低晶体管阵列层在该区域的表面高度，及通过镂空区的设置去除平坦化层和像素定义层在该区域的材料，以避免后续制作膜层结构时出现掩膜板划伤晶体管阵列层对应凹陷处的表面和划伤像素定义层对应镂空区处表面的情况，改善了有机发光显示面板由于划伤造成的封装膜层失效的情况。

如图1所示，在本申请一实施例中，本申请提供的基底100可以为柔性基底或刚性基底，其中，基底100可以玻璃材料、金属材料、塑料材料等，对此本申请不做具体限制。进一步的，在基底100和晶体管阵列层200之间还可以设置一缓冲层110，在晶体管阵列层200制作时，缓冲层110能够阻挡基底100中杂质进入晶体管阵列层200中，避免基底100中杂质影响晶体管的性能。

在本申请一实施例中，本申请提供的所述晶体管阵列层的无机绝缘层对应所述凹陷处设置为凹槽或镂空结构。

可以理解的是，本申请实施例提供的晶体管阵列层，其需要设置若干凹陷，其中，晶体管阵列层包括有无机绝缘层、半导体层、栅极、源极和漏极等，由于半导体层、栅极、源极和漏极占用面积小且具有各自相应图案，而无机绝缘层在基底上的垂直投影基本全部覆盖该基底，故而，晶体管阵列层上的凹陷实质为对无机绝缘层进行挖槽或挖空形成的。

本申请实施例提供的晶体管阵列层中，晶体管可以为顶栅型晶体管，还可以为底栅型晶体管，故而，无机绝缘层可以为单独膜层，还可以为多个子膜层叠加形成的膜层，对此本申请不做具体限制。

参考图4所示，为本申请实施例提供的一种晶体管阵列层的结构示意图，其中，晶体管阵列层200包括的晶体管为薄膜晶体管，且其为顶栅型薄膜晶体管，晶体管阵列层200包括：

位于基底100上的半导体层，半导体层包括形成晶体管的有源层201；

位于所述半导体层背离基底100一侧的栅极无机绝缘层202；

位于所述栅极无机绝缘层202背离基底100一侧的栅极层，栅极层包括形成晶体管的栅极203；

位于栅极层背离基底100一侧的层间无机绝缘层204；

以及，位于所述层间无机绝缘层204背离基底100一侧的源漏层，源漏层包括形成晶体管的源极205和漏极206，其中，源极205和漏极206通过过孔与有源层201接触。

进一步的，如图3所示，本申请实施例提供的晶体管阵列层200还包括位于源漏层背离基底100一侧的无机钝化层207，通过无机钝化层207保护裸露的源极205和漏极206不被划伤。

可以理解的，如图4所示的具有顶栅型晶体管的晶体管阵列层200，其无机绝缘层对应凹陷210的凹槽或镂空结构，实质为对栅极无机绝缘层202、层间无机绝缘层204和无机钝化层207中一层或多层进行挖槽或挖空处理形成的；即，本申请实施例提供的无机绝缘层为栅极无机绝缘层202、层间无机绝缘层204和无机钝化层207的叠层组合。

如图4所示，本申请实施例提供的晶体管阵列层200中，可以对栅极无机绝缘层202和/或层间无机绝缘层204在凹陷210处进行挖槽或挖空而形成凹槽结构和镂空结构，而保证无机钝化层207整层的完整，整层的无机钝化层207不仅能够将其下无机绝缘层形成凹槽结构或镂空结构时裸露的线路结构覆盖进行保护，还能够更好的阻挡水汽对晶体管阵列层200内的侵蚀。

或者，参考图5所示，为本申请实施例提供的另一种晶体管阵列层的结构示意图，其中，晶体管阵列层200包括的晶体管为底栅型晶体管，晶体管阵列层200包括：

位于基底100上的栅极层，栅极层包括形成晶体管的栅极211；

位于栅极层背离基底100一侧的栅极无机绝缘层212；

位于栅极无机绝缘层212背离基底一侧的半导体层，半导体层包括形成晶体管的有源层213；

以及，位于半导体层背离基底100一侧的源漏层，源漏层包括形成晶体管的源极214和漏极215，且源极214和漏极215均与有源层213接触。

进一步的，如图5所示，本申请实施例提供的晶体管阵列层还包括位于源漏层背离基底100一侧的无机钝化层216，通过无机钝化层216保护裸露的源极214和漏极215不被划伤。

可以理解的，如图5所示的具有顶栅型晶体管的晶体管阵列层200，其无机绝缘层对应凹陷210的凹槽或镂空结构，实质为对栅极无机绝缘层212和无机钝化层216中一层或多层进行挖槽或挖空处理形成的；即，本申请实施例提供的无机绝缘层为栅极无机绝缘层212和无机钝化层216的叠层组合。可选的，本申请实施例提供的晶体管阵列层中，可以对栅极无机绝缘层在凹陷处进行挖槽或挖空而形成凹槽结构和镂空结构，而保证无机钝化层整层的完整，整层的无机钝化层不仅能够将其下无机绝缘层形成凹槽结构或镂空结构时裸露的线路结构覆盖进行保护，还能够更好的阻挡水汽对晶体管阵列层内的侵蚀。

在本申请一实施例中，本申请实施例提供的所述凹陷被所述镂空区暴露的底面为第一无机层的表面；

所述第一无机层为所述无机绝缘层；

或者，有机发光显示面板还包括无机填充层，所述无机填充层填充在所述凹陷内，且所述无机填充层背离所述基底一侧的表面，低于其所在的凹陷背离所述基底一侧的顶面，其中，所述第一无机层为所述无机填充层。

如图1所示，凹陷210被镂空区暴露的底面可以为晶体管阵列层200的无机绝缘层的表面。或者，如图6所示，为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图，其中，凹陷210被镂空区暴露的底面为无机填充层240的表面，且无机填充层240背离基底100一侧的表面，低于其所在凹陷210背离基底100一侧的顶面。

可以理解的，本申请实施例提供的凹陷被镂空区暴露的底面为无机表面，由于后续采用至少一侧无机封装层的薄膜封装层进行封装，且无机封装层与无机表面相接触，由于无机表面和无机封装层均为无机材料，故而，无机封装层与无机表面接触能够保证封装效果更好，进一步提高阻断水汽侵蚀通道的能力。

在本申请一实施例中，由于在制作有机发光显示面板时，会制作一些电极层，如阳极、阴极等，且阳极和/或阴极会对应有凹陷的部分，对此，本申请优选的将电极层进行开孔处理，通过开孔暴露凹陷，进而暴露凹陷的第一无基层的表面，最终达到提高封装效果的目的。参考图7所示，为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，其中，本申请实施例提供的有机发光显示面板还包括：位于所述晶体管阵列层200背离所述基底100一侧的导电层600，所述导电层600包括暴露所述凹陷210的开孔。

以及，如图7所示，本申请实施例提供的有机发光显示面板还包括：

位于所述发光器件500背离所述基底100一侧的薄膜封装层700；

所述薄膜封装层700包括至少一层无机封装层，所述无机封装层通过所述镂空区310和/或所述开孔与所述第一无机层接触。

可以理解的，本申请实施例提供的凹陷被镂空区和/或开孔暴露的底面为无机表面，由于后续采用至少一侧无机封装层的薄膜封装层进行封装，且无机封装层与无机表面相接触，由于无机表面和无机封装层均为无机材料，故而，无机封装层与无机表面接触能够保证封装效果更好，进一步提高阻断水汽侵蚀通道的能力。

需要说明的是，本申请实施例提供的导电层可以为单独膜层，还可以为多个电极层的叠层组合，故而，对其与像素定义层的位置关系不做具体限定，因此图7中示出的与像素定义层的位置关系仅仅是多个可实现结构的一种，对此需要根据实际应用进行具体设置。以及，本申请实施例提供的导电层的开孔，其可以将凹陷完全暴露，即开孔在基底上的垂直投影覆盖凹陷在基底上的垂直投影；或者，开孔可以暴露部分凹陷，即开孔在基底上的垂直投影在凹陷在基底上的垂直投影范围内，对此本申请不做具体限制。

具体的，本申请提供的导电层可以为阴极，还可以为与阳极同层同材料制作的电极层，还可以为与阳极同层同材料制作的电极层和阴极的叠层组合，其中，如图1所示，本申请实施例提供的所述发光器件500包括：

位于所述晶体管阵列层200背离所述基底100一侧的阳极510；

位于所述阳极510背离所述基底100一侧的发光层630；

以及，位于所述发光层630背离所述基底100一侧的阴极620；

其中，所述导电层包括与所述阳极510同层同材料的第一电极层和/或所述阴极620。

具体的，本申请实施例提供的导电层可以为与阳极同层同材料制作的电极层和阴极的叠层组合，参考图8所示，为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，其中，所述阴极620延伸至所述非显示区na，在所述非显示区na中，所述第一电极层610与控制单元(未画出)电连接，且所述阴极620与所述第一电极层610接触连接，所述阴极620通过所述第一电极层610与所述控制单元电连接。

如图8所示，本申请实施例提供的有机发光显示面板，由于阳极的制程于平坦化层300制作后且于像素定义层400制作前，故而，与阳极同层同材料制作的第一电极层610，其位于平坦化层300的表面；而阴极620的制程于像素定义层400的制作后(如可以为制作发光层以后)，故而，阴极620实质位于像素定义层400背离基底100一侧，因此，需要将像素定义层400进行部分挖除后，才可以将阴极620与第一电极层610相接触设置。

可以理解的，本申请实施例提供的第一电极层610与控制单元电连接，而后阴极620与第一电极层610相接触，而使得阴极620与控制单元电连接，无需单独制作关于阴极与控制单元的连接线路的膜层结构，简化了制作工艺，降低了制作难度；同时，在需要将阴极620与晶体管阵列层内线路连接时，可以采用与阴极620电连接的第一电极层与晶体管阵列层内线路跨层连接，避免阴极620直接与晶体管阵列层内线路跨层连接，相较于阴极620与晶体管阵列层内线路之间的膜层数量和连接难度，第一电极层与晶体管阵列层内线路之间的膜层数量少且连接难度低，进一步降低了制作难度。

在本申请一实施例中，本申请提供的像素定义层可以包括有多个岛柱结构，参考图9所示，为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图，其中，所述像素定义层400包括环绕所述显示区aa的第一环形区域，所述像素定义层400位于所述第一环形区域na1呈多个岛柱状410。

在本申请一实施例中，本申请提供的所述晶体管阵列层200位于所述第一环形区域na1在所述晶体管阵列层200的垂直投影处包括多个所述凹陷210。其中，本申请实施例提供的晶体管阵列层200位于第一环形区域na1在晶体管阵列层200的垂直投影处的凹陷210可以连通为环绕显示区aa的闭合环路。

进一步的，如图9所示，本申请实施例提供的第一电极层610和阴极620可以在第一环形区域na1相接触，其中，相邻岛柱状410之间具有间隙，第一电极层610位于多个岛柱状410的间隙形成的间隙区域，阴极延伸覆盖岛柱状410且与间隙区域的第一电极层610相接触。由于第一电极层610位于多个岛柱状410的间隙形成的间隙区域，因此，第一电极层610呈网格状结构，阴极620与网格状的第一电极层610接触，能够提高两者接触界面的应力释放效果，减小电极结构翘曲的几率。

可以理解的，本申请实施例提供的像素定义层在第一环形区域呈多个岛柱状，在此区域保证第一电极层和阴极接触效果良好的基础上，由于岛柱状数量众多且岛柱状相当于凸起，多个柱状结构形成凹凸表面，棱角较多，提起端相较于平面与公共掩膜板接触面积更小，碰撞后压强较大，使得岛柱状更易被掩膜板划伤，更易破碎，产生杂质故而，晶体管阵列层在第一环形区域的若干的易划伤处设置凹陷，而后通过镂空区以去除凹陷处对应的岛柱状，能够大大减少掩膜板划伤的岛柱状的数量，改善有机发光显示面板的封装失效的情况，另一方面即使出现公共掩膜板划伤岛状结构、产生划伤颗粒，可以通过凹陷容纳划伤产生的杂质，避免杂质导致降低之间的致密性，从而可以进一步提高封装可靠性。

参考图10所示，为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，其中，所述像素定义层400包括环绕所述显示区aa的第一环形延伸区域na2，所述第一环形延伸区域na2位于所述第一环形区域na1和所述显示区aa之间，其中，所述晶体管阵列层200位于所述第一环形延伸区域na2在所述晶体管阵列层200的垂直投影处包括多个所述凹陷210。

可以理解的，本申请实施例提供的第一环形延伸区域为一整面的环形区域，由于其面积较大，故而被掩膜板划伤的几率大，因此，晶体管阵列层在第一环形延伸区域的若干易划伤处设置凹陷，而后通过镂空区以去除像素定义层在此处的材料，能够达减少掩膜板划伤的几率，改善有机发光显示面板的封装失效的情况。

进一步的，参考图11所示，为本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图，其中，位于所述第一环形延伸区域na1的所有所述凹陷210连通且环绕所述显示区aa形成闭合环路220。

可以理解的，将第一环形延伸区域的凹陷均连通形成闭合环路，使得镂空区同样连通形成闭合环路，将呈闭合环路的镂空区对应像素定义层处的材料均去除，能够进一步减小掩膜板划伤像素定义层在第一环形延伸区域处的几率，改善有机发光显示面板的封装失效的情况。

在本申请一实施例中，本申请提供的晶体管阵列层对应第一环形区域处还可以不设置凹陷。如图12所示，为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图，其中，所述像素定义层400包括环绕所述显示区aa的第一环形区域，所述像素定义层400位于所述第一环形区域na1呈多个岛柱状410。晶体管阵列层位于第一环形区域na1在晶体管阵列层的垂直投影处无设置凹陷；此外，位于所述第一环形延伸区域na1的所有所述凹陷210可以连通且环绕所述显示区aa形成闭合环路220。

可以理解的，晶体管阵列层位于第一环形区域na1在晶体管阵列层的垂直投影处无设置凹陷，能够保证阴极与第一电极层在第一环形区域na1处的接触面积大，同时，能够避免在晶体管阵列层位于第一环形区域na1在晶体管阵列层的垂直投影处设置凹陷时，尤其是晶体管阵列层位于第一环形区域na1在晶体管阵列层的垂直投影处设置的凹陷环绕显示区呈闭合环路时，而出现将第一电极层和阴极接触的导电层截断为两部分的情况。

参考图13所示，为本申请实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，其中，所述有机显示面板包括环绕所述第一环形区域na1的挡墙800，所述像素定义层400包括环绕所述第一环形区域na1的第二环形延伸区域na3，所述第二环形延伸区域na3位于所述第一环形区域na1和所述挡墙800之间，其中，所述晶体管阵列层200位于所述第二环形延伸区域na3在所述晶体管阵列层200的垂直投影处包括多个所述凹陷210。

可以理解的，本申请实施例提供的薄膜封装层可以包括依次形成的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，本申请实施例提供的挡墙即为阻挡有机封装层向外界溢出的挡墙。本申请提供的晶体管阵列层位于第二环形延伸区域在其上的垂直投影处设置凹陷，能够使得有机显示面板边缘处的裂纹向该凹陷处延伸，以阻挡裂纹向显示区延伸。此外，晶体管阵列层在此处设置凹陷，在制作有机封装层时，能够阻挡有机材料向挡墙方向的流动速度，以在此处累积更多有机材料，保证非显示区和显示区的有机封装层的均匀性较高，在后续制作功能膜层时能够使功能膜层的厚度均匀性高，如制作触控电极和触控电极走线等结构的功能膜层。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一实施例提供的有机发光显示面板。

在本申请一实施例中，本申请提供的有机发光显示装置可以为移动智能终端、电视、电脑、可弯折或可卷曲显示装置等电子设备。

本申请实施例提供了一种有机发光显示面板及显示装置，在晶体管阵列层位于非显示区处设置若干的凹陷，且凹陷距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm，以及，在平坦化层和像素定义层对应有凹陷处形成暴露该凹陷的镂空区，以通过凹陷的设置降低晶体管阵列层在该区域的表面高度，及通过镂空区的设置去除平坦化层和像素定义层在该区域的材料，以避免后续制作膜层结构时出现掩膜板划伤晶体管阵列层对应凹陷处的表面和划伤像素定义层对应镂空区处表面的情况，改善了有机发光显示面板由于划伤造成的封装膜层失效的情况。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。