柔性显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，以有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，简称oled)为中心的新一代柔性显示装置已被逐渐应用到多个领域，比如：电视机、便携式电脑、移动电话、智能手环、智能手表等。oled的优势在于其可做成可弯曲或可折叠的柔性显示产品。

当柔性显示装置在多次弯折或者卷曲过程中，膜层之间容易发生剥离或分离现象，影响柔性显示装置的使用寿命。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明提供一种柔性显示装置，用于减少或避免出现柔性显示装置的膜层之间发生剥离或者分离，提高了柔性显示装置的使用寿命。

为了实现上述目的，本发明提供一种柔性显示装置，包括层叠设置的阵列基板、多个发光单元、第一电极层以及封装层，其中，所述显示装置还包括与所述多个发光单元对应的发光区，和与所述发光区相邻的非发光区，其特征在于，所述非发光区设置有通孔，所述通孔贯穿所述第一电极层，以及贯穿所述第一电极层与所述阵列基板的衬底基板之间的至少一个金属层；所述柔性显示装置还包括穿设在所述通孔内并与所述通孔胀紧配合的绝缘柱。

本发明提供的柔性显示装置，通孔贯穿第一电极层，以及贯穿第一电极层与衬底基板之间的至少一个金属层，且通孔内具有与通孔胀紧配合的绝缘柱，使得第一电极层与通孔贯穿的其他各膜层之间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱连接，由于绝缘柱与通孔胀紧配合，即绝缘柱穿过的各膜层可以将绝缘柱抱紧。因此，与现有技术通过范德华力相互附着各膜层相比，本发明明显提高了第一电极层与通孔贯穿的其他各膜层之间的连接力，减少或避免在弯折过程中膜层之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置的使用寿命。

可选地，所述阵列基板包括源/漏极，所述通孔贯穿所述源/漏极。

可选地，还包括设置在所述阵列基板与所述第一电极层之间的第二电极层，所述第二电极层与所述源/漏极电连接，所述通孔贯穿所述第二电极层。

可选地，所述阵列基板包括存储电容，所述存储电容包括相对设置的上电极和下电极；

所述通孔贯穿所述上电极和所述下电极中的至少一个。

可选地，所述阵列基板包括源/漏极以及存储电容，所述存储电容包括相对设置的上电极和下电极；

所述通孔包括：贯穿所述源/漏极的第一通孔，以及贯穿所述上电极和所述下电极中的至少一个的第二通孔。

可选地，所述通孔贯穿至所述衬底基板，所述绝缘柱抵接在所述衬底基板朝向所述封装层的上表面上。

可选地，所述通孔为多个，多个通孔分别位于所述发光区的两侧，且位于所述发光区一侧的所述通孔的倾斜方向与位于所述发光区另一侧的所述通孔的倾斜方向相反。

可选地，所述绝缘柱与所述封装层一体成型。

可选地，所述绝缘柱内具有孔隙，所述孔隙内嵌设有使所述绝缘柱的外壁与所述通孔的孔壁胀紧配合的压紧柱。

可选地，所述封装层包括第一层封装层以及覆盖在所述第一层封装层上的第二层封装层；

所述绝缘柱与所述第一层封装层一体成型；

所述压紧柱与所述第二层封装层一体成型。

可选地，所述第一层封装层为无机封装层，所述第二层封装层为有机封装层。

可选地，还包括设置在所述封装层和所述阵列基板之间，且用于分隔各所述发光单元的所述像素限定层；所述像素限定层的朝向所述第一电极层的面上具有支撑部，所述第一电极层覆盖至少部分所述支撑部，所述通孔贯穿所述支撑部。

除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明提供的柔性显示装置及其制作方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图一；

图2为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图二；

图3为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图三；

图4为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图四；

图5为本发明一实施例提供的柔性显示装置在弯折时的结构示意图；

图6为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图五；

图7为图6的俯视图；

图8为本发明一实施例提供的柔性显示装置的制作方法的流程示意图。

附图标记说明：

1—柔性显示装置；

100—衬底基板；

200—阵列基板；

201—缓冲层；

202—半导体层；

203—栅绝缘层；

204—栅极层；

205—源/漏极；

206—层间绝缘层；

261—第一层间绝缘层；

262—第二层间绝缘层；

207—存储电容；

271—下电极；

272—上电极；

208—平坦化层；

209—第二电极层；

301—像素限定层；

302—发光单元；

303—支撑部；

400—第一电极层；

401—通孔；

500—封装层；

501—第一层封装层；

502—第二层封装层；

600—绝缘柱；

601—压紧柱；

602—绝缘帽。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

现有的柔性显示装置包括：层叠设置的阵列基板、像素限定层、阴极层以及封装层，当柔性显示装置在多次弯折或者卷曲过程中，阵列基板、像素限定层、以及阴极层之间容易受到应力影响，导致发生局部剥离或分离现象，影响柔性显示装置的使用寿命。

图1为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图一；图2为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图二；图3为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图三；图4为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图四；图5为本发明一实施例提供的柔性显示装置在弯折时的结构示意图；图6为本发明一实施例提供的柔性显示装置的结构示意图五；图7为图6的俯视图。

请参照图1-图7。本实施例提供一种柔性显示装置1，用于减少或避免出现柔性显示装置1的膜层之间发生剥离或者分离，提高了柔性显示装置1的使用寿命。

为了实现上述目的，本实施例提供一种柔性显示装置1，包括层叠设置的阵列基板200、多个发光单元302、第一电极层400以及封装层500，其中，柔性显示装置1还包括与多个发光单元302对应的发光区，和与发光区相邻的非发光区，非发光区设置有通孔401，通孔401贯穿第一电极层400，以及贯穿第一电极层400与阵列基板200的衬底基板100之间的至少一个金属层；柔性显示装置1还包括穿设在通孔401内并与通孔401胀紧配合的绝缘柱600。

通孔401贯穿第一电极层400，以及贯穿第一电极层400与衬底基板100之间的至少一个金属层，且通孔401内具有与通孔401胀紧配合的绝缘柱600，使得第一电极层400与通孔401关窗的其他膜层之间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，由于绝缘柱600与通孔401胀紧配合，即绝缘柱600穿过的各膜层可以将绝缘柱抱紧。因此，与现有技术通过范德华力相互附着各膜层相比，本发明明显提高了第一电极层400和通孔401穿过的各膜层之间的连接力，减少或避免在弯折过程中膜层之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置的使用寿命。

具体地，第一电极层400可以为阴极层，或者第一电极层400为阳极层。

柔性显示装置1包括发光区和与发光区相邻设置的非发光区，其中，发光区与设置在显示区的多个发光单元302所在的区域对应，显示区用于显示视频或图片的画面。

非发光区包括显示区的非发光区以及非显示区；显示区内具有间隔设置的多个发光单元302，以及用于分隔各发光单元302的像素限定层301，显示区的非发光区为像素限定层301对应的区域；非发光区还包括位于显示区外围的非显示区，非显示区用于设置与显示区的多个发光单元302连接的金属线以及设置便于封装的外围堤坝。

实施例一

本实施例中非发光区位于非显示区，即通孔401设置在非显示区，此时通孔401可以贯穿第一电极层400、非显示区的金属线以及非显示区内用于包裹金属线的膜层；或者通孔401贯穿第一电极层400、非显示区的金属线以及外围堤坝；当然，通孔401还可以贯穿第一电极层400、非显示区的金属线、非显示区内用于包裹金属线的膜层以及外围堤坝。

通孔401内穿设有绝缘柱600，绝缘柱600与通孔401胀紧配合，也就是说，绝缘柱600的直径比通孔401的直径略大，绝缘柱600与通孔401的侧壁之间过盈配合，使得通孔401的内壁可以抱紧绝缘柱600；如此设计，可以增强绝缘柱600与通孔401侧壁之间的结合力，防止绝缘柱600脱离通孔401。并且通孔401所贯穿的各膜层之间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，提高了通孔401所穿过的各膜层之间连接力。减少或避免在弯折过程中膜层之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置1的使用寿命。

实施例二

本实施例提供一种柔性显示装置1，包括发光区和与所述发光区相邻设置的非发光区，发光区与设置在显示区的多个发光单元所在的区域对应，显示区用于显示视频或图面的画面；非发光区为设置在显示区的间隔设置的多个发光单元之间的像素限定层所对应的区域。

本实施例中，柔性显示装置1包括层叠设置的阵列基板200、多个发光单元302、第一电极层400以及封装层500。其中，发光单元302之间设置有用于分隔各发光单元302的显像素限定层301。具体制作时，比如可以是，对像素限定层301进行图案化处理，以在像素限定层301上形成开口，然后向开口内填充用于形成发光单元302的有机发光材料。

位于显示区的像素限定层301设置有通孔401，通孔401贯穿第一电极层400，以及贯穿位于第一电极层400和阵列基板200的衬底基板100之间的至少一个金属层。其中，将通孔401设置在像素限定层301对应的非发光区，可以使得通孔401避开发光区，从而避免通孔401以及设置在通孔401内的绝缘柱600影响柔性显示装置的显示效果。衬底基板100为阵列基板200中最底层的柔性基板。

通孔401内穿设有绝缘柱600，绝缘柱600与通孔401胀紧配合，也就是说，绝缘柱600的直径比通孔401的直径略大，绝缘柱600与通孔401的侧壁之间过盈配合，使得通孔401的内壁可以抱紧绝缘柱600；如此设计，可以增强绝缘柱600与通孔401之间的结合力，防止绝缘柱600脱离通孔401。以图1所示的柔性显示装置为例，绝缘柱600的上端与封装层500相连，绝缘柱600的下端与通孔401的孔底抵接。将绝缘柱600的两端分别与封装层500以及孔底面相连，可以使绝缘柱600填满整个通孔401，增强绝缘柱600对其所穿过的各膜层之间连接力。

在本实施例中，由于通孔401贯穿第一电极层400，以及贯穿第一电极层400与衬底基板100之间的至少一个金属层，且通孔401内具有与通孔401胀紧配合的绝缘柱600，使得第一电极层400和像素限定层301以及被通孔401贯穿的其他膜层之间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，由于绝缘柱600与通孔401胀紧配合，即绝缘柱600穿过的各膜层可以将绝缘柱600抱紧，因此，与现有技术相比，本发明实施例明显提高了第一电极层400和像素限定层301以及被通孔401贯穿的其他膜层之间的连接力，减少或避免在弯折过程中膜层之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置1的使用寿命。

在本实施例中，通孔401贯穿第一电极层400，以及贯穿第一电极层400和衬底基板100之间的至少一个金属层，其中，如图1所示，阵列基板200具体可包括：衬底基板100，以及层叠设置在衬底基板100上的缓冲层201、半导体层202、栅绝缘层203、栅极层204、层间绝缘层206、源/漏极205、平坦化层208。本实施例中，还包括设置在阵列基板200与第一电极层400之间的第二电极层209；进一步地第二电极层209设置在平坦化层208朝向封装层500的面上。其中，第二电极层209设置有穿过平坦化层208的延伸部，第二电极层209通过该延伸部与源/漏极205电连接。可以理解的是，阵列基板200中的源/漏极205以及第二电极层209均属于金属层。

阵列基板200还可以包括：设置在衬底基板100和像素限定层301之间的存储电容207。存储电容207具体包括：相对设置的上电极272和下电极271，上电极272位于下电极271的上方。可以理解的是，上电极272和下电极271均为金属层。

在本实施例中，第一电极层400和衬底基板100之间的金属层包括第二电极层209、阵列基板200中的源/漏极205以及存储电容207的上电极272和下电极271。通孔401除了贯穿第一电极层400外，还可以贯穿源/漏极205、上电极272或下电极271中的一个或多个，下面将结合附图进行举例说明。

请参照图1，阵列基板200包括设置在衬底基板100和像素限定层301之间的源/漏极205，通孔401贯穿源/漏极205。具体地，沿第一电极层400指向衬底基板100的方向，通孔401贯穿：第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、源/漏极205。相应的，绝缘柱600穿过第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、源/漏极205，并将其所穿过第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、源/漏极205连接，因此，第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、源/漏极205之间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，与现有技术中这些膜层通过范德华力相互附着相比，明显提高了这些膜层之间的连接力，从而使得在柔性显示装置1弯折过程中，减少或避免第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、源/漏极205之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置1的使用寿命。

进一步地，柔性显示装置1还包括设置在阵列基板200和第一电极层400之间的第二电极层209，第二电极层209与源/漏极205电连接，通孔401贯穿第二电极层209。具体地，请参照图1，通孔401由上至下至少贯穿第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、源/漏极205。也就是说，通孔401至少贯穿了第一电极层400和衬底基板100之间的两个金属层：源/漏极205和第二电极层209，相应的，绝缘柱600也穿过了第一电极层400和衬底基板100之间的两个金属层，利用绝缘柱600提高了第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、源/漏极205之间的连接力，从而使得在柔性显示装置1弯折过程中，减少或避免第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、源/漏极205之间出现剥离或者分离。具体地，第一电极层400可以为阴极层，相应的第二电极层209为阳极层；或者第一电极层400为阳极层，相应的第二电极层209为阴极层。

参照图3，阵列基板200包括设置在衬底基板100和像素限定层301之间的存储电容207，存储电容207包括相对设置的上电极272和下电极271；通孔401贯穿上电极272和下电极271中的至少一个。

具体地，通孔401沿第一电极层400指向衬底基板100的方向，通孔401贯穿第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、第二层间绝缘层262以及上电极272；或者，通孔401沿第一电极层400指向衬底基板100的方向，通孔401贯穿第一电极层400、像素限定层301、平坦化层208、第二层间绝缘层262、上电极272、第一层间绝缘层261以及下电极271。当然，在其他实现方式中，通孔401也可以仅贯穿下电极271。

穿设在通孔401内的绝缘柱600，可以延伸至上电极272和/或下电极271。存储电容207附近的阵列基板200的各膜层间除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，与现有技术中这些膜层通过范德华力相互附着相比，提高了这些膜层之间的连接力；另外，在绝缘柱600的作用下还提高了阵列基板200在对应存储电容207区域处的膜层与第一电极层400和像素限定层301之间的连接力。

进一步地，通孔401包括贯穿源/漏极205的第一通孔，以及贯穿上电极272和下电极271中的至少一个的第二通孔。第一通孔和第二通孔内均穿设有绝缘柱600，这样设置可进一步提高阵列基板200不同位置处的膜层与第一电极层400和像素限定层301之间的连接力。

此外，继续参照图1-图4，通孔401还可以在贯穿第一电极层400和阵列基板200的衬底基板100之间的至少一个金属层之后，继续向下延伸至衬底基板100，绝缘柱600抵接在衬底基板100的上表面上。通过使通孔401贯穿至衬底基板100，绝缘柱600由第一电极层400一直向下延伸至阵列基板200的最底层，增大了阵列基板200与绝缘柱600之间的接触面积，进一步提高了阵列基板200与第一电极层400和像素限定层301之间的连接力。举例来说，通孔401由上至下贯穿第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、源/漏极205、层间绝缘层206、栅绝缘层203；或者通孔401由上至下贯穿第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、第二层间绝缘层262、上电极272、第一层间绝缘层261、下电极271、栅绝缘层203。

具体实现时，为了阻挡潮气或者杂质扩散，栅绝缘层203与衬底基板100之间设置有缓冲层201，在本实施例中，缓冲层201具体可以由氮化硅层和氧化硅层堆叠的层形成。当衬底基板100上设置有缓冲层201时，参照图1所示，此时通孔401具体可贯穿至缓冲层201，绝缘柱600抵接在缓冲层201的上表面。

在本实施例中，可通过激光打孔的方式形成上述通孔401，也可以通过刻蚀的方式形成上述通孔401。通孔401形成后，可通过沉积、蒸镀等方式向通孔401内填充绝缘材料，通常情况下绝缘材料会将通孔401填满。在向通孔401中填充绝缘材料的工艺过程中，绝缘材料的温度较高(比如，采用pecvd沉积时温度可达到80～100℃)，使得位于金属层的通孔401部分的孔壁会受热向外膨胀，当沉积结束后绝缘材料温度下降，此时通孔401的孔壁向内收缩，从而将形成在通孔401中的绝缘柱600抱紧；或者说，通孔401所贯穿的金属层紧固在绝缘柱600上，从而提高了第一电极层400和像素限定层301之间的连接力，防止弯折过程绝缘柱600由通孔401内拔出，以免第一电极层400、像素限定层301与阵列基板200和/或第二电极层209之间出现剥离、分离。

需要说明的是，构成绝缘柱600的绝缘材料受热的膨胀率需小于金属层受热的膨胀率，即受热后绝缘柱600的膨胀量小于金属层的膨胀量，使得冷却后金属层的收缩量大于绝缘柱600的收缩量，进而使通孔600的内壁能够抱紧绝缘柱600。

在本实施例中，继续参照5，通孔401可以为多个，每个通孔401内穿设有一个绝缘柱600。在一个可实现的方式中，柔性显示装置1易弯折区域的通孔401的分布密度大于柔性显示装置1的易弯折区域之外的区域的通孔401的分布密度。在柔性显示装置1弯折时，由于柔性显示装置1易弯折区域的绝缘柱600的数量多于柔性显示装置1易弯折区域外的绝缘柱600的数量，因此，可以进一步提高柔性显示装置1易弯折区域的各膜层之间的连接力，从而减少或避免发生膜层剥离或分离；此外，也可以分散柔性显示装置1易弯折区域的弯折应力，进一步减少或避免发生膜层剥离或分离。

在本实施例中，继续参照图6和图7(图中未示出位于像素限定层301上的第一电极层400以及封装层500)，通孔401为多个，多个通孔401分别位于发光区的两侧，且位于发光区一侧的通孔401的倾斜方向与位于发光区另一侧的通孔401的倾斜方向相反。

每一通孔401内均穿设有绝缘柱600，位于发光区两侧的通孔401内的绝缘柱600，可以提高发光区两侧像素限定层301和第一电极层400与阵列基板200和第二电极层209之间的连接力。

需要说明的是，位于发光区另一侧的通孔401可以与位于发光区另一侧的通孔401贯穿相同的膜层或者不同的膜层。

举例说明，位于发光区一侧的通孔401由上至下可以贯穿第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、源/漏极205、层间绝缘层206、栅绝缘层203；位于发光区另一侧的通孔401由上至下可以贯穿第一电极层400、像素限定层301、第二电极层209、平坦化层208、第二层间绝缘层262、上电极272、第一层间绝缘层261、下电极271、栅绝缘层203。

进一步地，于发光区一侧的通孔401的倾斜方向与位于发光区另一侧的通孔401的倾斜方向相反。倾斜设置的通孔401可以增大绝缘柱600与通孔401之间的接触面积，以提高绝缘柱600与通孔401所在的各膜层之间的连接强度；另外，倾斜设置的通孔401可以在绝缘柱600受到沿垂直于阵列基板100的作用力时，阻止绝缘柱600向通孔401的外部移动，进而避免绝缘柱600由通孔401内拔出。

具体地，通孔401具有朝向衬底基板100的底端以及背离衬底基板100的顶端，位于发光区一侧的通孔401与位于发光区另一侧的通孔401彼此朝向对方倾斜可以包括：位于发光区一侧通孔401的顶端与位于发光区另一侧通孔401的顶端彼此朝向对方倾斜，或者位于发光区一侧通孔401的底端与位于发光区另一侧通孔401的底端彼此朝向对方倾斜。

在本实施例中，绝缘柱600可以与封装层500一体成型。在制作时，首先开设通孔401，之后通过喷墨打印、沉积、蒸镀等方式形成封装层500，在形成封装层500的同时，部分材料填充在通孔401内以形成绝缘柱600。与封装层500一体成型的绝缘柱600可以提高封装层500、第一电极层400以及像素限定层301与阵列基板200和第二电极层209之间连接力。

进一步地，继续按照图2和图4，绝缘柱600内具有孔隙，孔隙内嵌设有使绝缘柱600的外壁与通孔401的孔壁胀紧配合的压紧柱601。压紧柱601可以将绝缘柱600的外壁压紧在通孔401的孔壁上，以保证绝缘柱600与通孔401胀紧配合，以进一步提高第一电极层400和像素限定层301与阵列基板200和第二电极层2099之间的连接力。

具体地，绝缘柱600上的孔隙可以为在向通孔401内填充材料以形成绝缘柱600的过程中，材料并未完全填充通孔401而形成的；或者，绝缘柱600上的孔隙为在形成绝缘柱600后，通过激光打孔或者刻蚀等方式在绝缘柱600上形成的。

进一步地，封装层500包括第一层封装层501以及覆盖在第一层封装层501上的第二层封装层502；绝缘柱600与第一层封装层501一体成型；压紧柱601与第二层封装层502一体成型。制作时，首先形成通孔401，之后在第一电极层400上通过喷墨打印、沉积、蒸镀等方式形成第一封装层501，形成第一封装层501的同时，部分材料填充在通孔401内以形成绝缘柱600；之后在第一封装层501上通过喷墨打印、沉积、蒸镀等方式形成第二封装层502，在形成第二封装层502的同时，部分材料填充在绝缘柱600上的孔隙内，以形成压紧柱601。绝缘柱600与第一层封装层501一体成型，压紧柱601与第二层封装层502一体成型，简化了绝缘柱600和压紧柱601的制作难度，方便加工。

进一步地，第一封装层501可以为无机封装层，第二封装层502为有机封装层。绝缘柱600的材质与第一封装层501的材质相同，此时被绝缘柱600贯穿的各膜层中的无机层会与绝缘柱600较好的结合，例如，栅绝缘层203和层间绝缘层206一般为无机层，从而提高了绝缘柱600与被绝缘柱600贯穿的无机层之间的连接力。

在其他的实现方式中，第一封装层501可以为有机封装层，第二封装层502为无机封装层。绝缘柱600的材质与第一封装层501的材质相同，此时被绝缘柱600贯穿的各膜层中的有机层会与绝缘柱600较好的结合，例如，像素限定层301和平坦化层208一般为有机层，从而提高了绝缘柱600与被绝缘柱600贯穿的有机层之间的连接力。

继续参照图6、在其他实现方式中，也可以先在通孔401中形成绝缘柱600，然后再形成封装层500，即绝缘柱600与封装层500分开加工。进一步地，可以在向通孔401内填充绝缘材料以形成绝缘柱600时，在绝缘柱600的顶端形成有覆盖在第一电极层400上的绝缘帽602，之后在第一电极层400上形成封装层500，即封装层500覆盖在绝缘帽602以及第一电极层400上，绝缘帽602可以增大绝缘柱600与封装层500之间的连接面积，进而提高绝缘柱600与封装层500之间的连接强度。

在本实施例中，像素限定层301的朝向第一电极层400的面上具有支撑部303，第一电极层400覆盖至少部分支撑部303，通孔401贯穿支撑部303。可以进一步增大绝缘柱600与膜层之间的接触面积，以提高绝缘柱600与膜层之间的连接力。

实施例三

图8为本发明一实施例提供的柔性显示装置的制作方法的流程示意图。结合图1至图8所示，本实施例提供一种柔性显示装置的制作方法，该制作方法可用于制作上述实施例提供的柔性显示装置。

该制作方法包括：

s101、提供一包括依次层叠设置的阵列基板200、像素限定层301和阴极层400的柔性显示面板，其中，像素限定层301内设置有有机发光层302。

阵列基板200通常包括：次层叠设置在衬底基板100上的缓冲层201、半导体层202、栅绝缘层203、栅极层204、层间绝缘层206、源/漏极205、平坦化层208、阳极层209，其中，阳极层209设置有穿过平坦化层208的延伸部，阳极层209通过该延伸部与源/漏极205电连接。可以理解的是，阵列基板200中的源/漏极205、阳极层209均属于金属层。

阵列基板200还可以包括：设置在衬底基板100和像素限定层301之间的存储电容207。存储电容207具体包括：相对设置的上电极272和下电极271，上电极272位于下电极271的上方。可以理解的是，上电极272和下电极271均为金属层。

s102、在像素限定层301的非发光区形成通孔401，通孔401贯穿阴极层400，以及贯穿阴极层400和阵列基板200的衬底基板100之间的至少一个金属层。

阴极层400和衬底基板100之间的金属层包括阳极层209、阵列基板200中的源/漏极205以及存储电容207的上电极272和下电极271。通孔401除了贯穿阴极层400外，还可以贯穿源/漏极205、上电极272和下电极271中的一个或多个。

通孔401可通过激光开孔的方式形成，也可以通过刻蚀等方式形成。

s103、向通孔401中填充绝缘材料，形成与通孔401的孔底抵接，且与通孔401的内壁胀紧配合的绝缘柱。

其中，可以采用蒸镀或者沉积等方式向通孔401中填充绝缘材料，绝缘材料一般需要填满通孔401。

s104、在阴极层400上形成封装层500。其中，封装层500可以通过喷墨打印、涂布等方式形成。

在本发明实施例提供的实施例提供的柔性显示装置的制作方法，首先形成贯穿阴极层400，以及贯穿位于阴极层400和阵列基板200的衬底基板100之间的至少一个金属层的通孔，然后向通孔401中填充绝缘材料，形成与通孔401的孔底抵接，且与通孔401的内壁胀紧配合的绝缘柱600；由于填充绝缘材料的过程中绝缘材料的温度较高，使得位于金属层的通孔401部分的孔壁会受热向外膨胀，当填充结束后绝缘材料温度下降，此时通孔401的孔壁向内收缩，从而将形成在通孔401中的绝缘柱600抱紧；利用该穿过阴极层400以及阴极层400和阵列基板200的衬底基板100之间至少一个金属层的绝缘柱600，与现有技术通过范德华力相互附着各膜层相比，本发明中各膜层除了通过范德华力相互附着外，还通过绝缘柱600连接，因此，本发明明显提高了阴极层400、像素限定层301以及阵列基板200之间的连接力，减少或避免在弯折过程中上述膜层之间出现剥离或者分离的情况，提高了柔性显示装置1的使用寿命。

在一种可行的实现方式中，绝缘柱600具体可与第一层封装层501由一次沉积工艺形成。比如，第一层封装层501为无机材料时，此时，在阴极层400上方沉积第一层封装层501材料，第一层封装层501的部分材料会填充入通孔401中，在通孔401中形成绝缘柱600，即，当第一层封装层501形成好之后，通孔401中同时形成了绝缘柱600。

进一步地，在沉积结束后，若绝缘柱600内有孔隙，为了保证绝缘柱600的外壁与通孔401的孔壁之间的胀紧配合，保证绝缘柱600与其穿过的层之间的紧固力，本实施例的制作方法还包括：向绝缘柱600的孔隙中嵌入压紧柱601，通过压紧柱601进一步保证绝缘柱600的外壁与通孔401的孔壁之间的胀紧配合。

具体该制作方法包括：在第一层封装层501上形成第二层封装层502以及嵌入孔隙中的压紧柱601。可以理解的是，在形成第二层封装层502的过程中，第二层封装层502的部分材料会填充入孔隙中，从而在孔隙中形成压紧柱601，从而使得封装层500与绝缘柱600这个整体结构更加稳定，连接力更强，进而提高了封装层500、阴极层400、像素限定层301、阵列基板200之间的连接力，提高了整个结构的稳定性。

本实施例提供的柔性显示装置的制作方法可用于制作上述实施例提供的柔性显示装置，其具体实现原理和技术效果与上述实施例相同，对于相同或者类似的概念本实施例不再一一赘述，具体可参照上述实施例的描述。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。